• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.250-250
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• 2010

Flexible display의 발전에 따라 점차 고온 공정에서 plastic 기판에 영향을 주지 않는 저온 공정으로 변화해 가고 있다. 이러한 발전에 따라 공정온도에 따른 SiNx의 특성 분석을 위해 우선 150C~300C에서 SiNx의 박막을 증착하였다. gas ratio (SiH4:NH3=4:60)와 Power (50W), 공정시간(25min)을 고정하고 온도만을 가변하여 박막의 특성을 분석하였다. 이후에 150C로 온도를 고정 후 gas ratio를 가변하고 Power (40W)와 온도(150C)는 고정 후 실험을 진행하여, 150C에서 최적화된 gas ratio를 알아내도록 하였다. 위의 실험은 p-type 실리콘 웨이퍼 위에 SiNx 박막 증착 후 굴절률과 증착률을 측정하였고, Al 전극을 증착하여 MIS구조를 구현하여, gate voltage에 따른 capacitance를 측정하였다. 이번 논문에서는 SiNx의 Substrate temperature와 gas ratio의 변화에 따른 다양한 특성을 확인하고 이를 체계적으로 분석하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.2 no.4
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• pp.462-467
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• 1993

ECR PECVD(Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition )장치를 이용하여 (100) 실리콘 기판 위에 실리콘 산화막을 상온에서 증착하였다. 기체 유량비(SiH4/O2)가 막의 성질에 미치는 영향을 고찰하여 최적의 증착 조건을 도출하였다. 기체 유량비가 0.071일 때 비가역 파괴 전장은 9~10MV/cm 이었고, 4~5MV/cmm의 전장하에서 누설 전류는 ~10-11 A/$ extrm{cm}^2$이었다. 이러한 수치들은 액정 표시 소자용 박막 트랜지스터와 같이 저온의 제조공정이 요구되는 소자를 만들기에 충분하다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2001.05a
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• pp.108-108
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• 2001

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.3 no.3
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• pp.309-315
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• 1994

순간증착법으로 p형(Bi0.5Sb1.5Te3)과 n형(Bi2Te24Se0.6)열전박막을 제조하여 상온에서 Seebeck 계 수, 전기전도도 및 열전성능지수를 측정하였다. 또한 금속재 mask를 이용하여 다중접점 박막형 열전소 자를 제작하고 그 작동특성을 조사하였다. 이때 소자의 고온부와 저온부의 온도를 직접측정하기 위하여 copper/constantan 박막을 접점부에 증착하여 열전쌍이 되게 하였다. p/n 접점이 5쌍이 소자의 경우 Peltier 효과에 의해 생성된 최대온도차는 22K이었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2013.05a
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• pp.43-43
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• 2013

붕화질소(hexagonal Boron Nitride, h-BN)위의 그래핀은 산화규소(SiO2) 위에 전사된 그래핀에 비해서 월등한 전기적 특성을 갖는다. 따라서 전자소자의 산업적 응용을 위한 대면적화를 위하여, 그래핀을 붕화질소위에 화학증기증착(CVD) 방법을 통해 직성장시키고, 그 전기적 성질이 산화규소 및 suspended된 그래핀에 비해서 훨씬 더 이상적임을 원자 수준의 공간해상도에서 초고진공 저온 주사형 터널링 현미경(scanning tunneling microscope, STM)을 통해 입증하였다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.9 no.11
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• pp.1083-1087
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• 1999

Microstructures and the gas-sensing characteristics of the $\textrm{SnO}_2$ thin films were studied, which were deposited at various conditions (rf power, sample temperature, $\textrm{O}_2$/Ar ratio) by the rf magnetron sputtering. As a result, six typical microstructures were derived, such as amorphous(A), amorphous mixed with polycrystalline grains (A+P), polycrystalline with random crystalographic orientation (P), fine columnar (FC), coarse columnar (CC) and Zone T (T) with dense fiberous structure. Typically, A, A+ P, and P structures were formed when no $\textrm{O}_2$ was added to the sputter gas, whereas FC, CC, and T structures were obtained when $\textrm{O}_2$ was added. The A structure formed at low rf power and low temperature, the A+P at high rf power and low temperature, and the P at high rf power and high temperature. The FC structure was obtained at low rf power and low temperature. the CC at low rf power and high temperature, and the T at high rf power and low temperature. Results of the gas-sensing test of the sensor chips fabricated from the typical films indicated that the fine columnar microstructure shows the highest sensitivity both at $300^{\circ}C$ and $400^{\circ}C$. It was proposed that this is due to the high specific surface area of the micro-columns.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.17 no.2
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• pp.194-200
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• 2006

Titanium oxide films were deposited by the nozzle type HCP RT-MOCVD for the application of metal-oxide films. In the case of TTNB, after depositing films, films must be annealed at a proper temperature, but in the case of titanium ethoxide, titanium oxide films could be directly deposited by titanium ethoxide without general annealing. We could confirm that ratio of O to Ti in the films was about 2 : 1 at RF-power of 240 watt, distance between cathode and substrate of 3 cm, deposition time of 20 min, and ratio of Ar to $O_2$ of 1 : 1. Therefore, we could obtain the titanium oxide film deposited by the nozzle type HCP RT-MOCVD without an annealing process and could apply in the metal-oxide deposition process at a low temperature.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2008.05a
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• pp.394-396
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• 2008

기존의 PECVD에서 문제시 되고 있는 플라즈마에 의한 박막손상과 $300^{\circ}C$ 이상의 증착온도 등의 단점을 보완한 증착 기술로 중성입자 빔 (Hyper-thermal neutral beam ; HNB)을 이용한 저온 증착방법에 대한 연구를 진행하였다. 중성빔을 이용하여 HNB sputtering 방법과 $SiH_4$와 Ar, $H_2$ 가스를 이용한 HNB CVD 방법으로 a-Si 박막 제작에 대한 연구를 진행하였고, HIT(heterojunction with Intrinsic Thin layer) cell 태양전지를 만들고자 기본적인 박막 증착과 박막 특성 및 계면특성 등의 분석을 실시하였다. 유리기판과 p-type Si 기판 위에 a-Si 및 nc-Si 박막을 증착하였으며, TEM, FTIR, Raman, IV 측정 등을 통해 그 특성을 분석하여 HNB의 특성 및 효과를 규명하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2005.11a
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• pp.230-231
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• 2005

본 논문은 광 활성도가 가장 좋은 아나타제(anatase) 상의 광촉매 $TiO_2$ 분말을 상온에서 aerosol deposition 법을 사용하여 박막을 제조하였다. 이런 제조 방법은 aerosol 분말을 초음속으로 분사하여 기판에 증착시키는 방법으로, 저온에서 박막 증착이 가능하여 thermal stress를 줄일 수 있고, 공정 단가를 낮출 수 있다는 장점이 있다. 박막 제조시 aerosol bath의 압력은 500 torr이고, chamber의 압력은 0.4 torr였다. 이런 압력차는 0.4mm$\times$10mm의 크기의 노즐을 통해 $TiO_2$ 나노 분말을 초음속으로 가속하여 기판에 증착시켰다. 박막 제조를 위해 사용한 기판은 수질정화에 응용하기 위해 직경 50mm인 원판 SUS 멤브레인을 사용하였다. SUS 멤브레인 위에 증착되어 있는 $TiO_2$ 박막의 입자 크기와 조성을 알아보기 위해 주사 현미경 (SEM) 및 EDX 분석을 하였고, l$\mu$m 정도의 입자 크기와 수처리 후에도 표면에 증착 되어진 anatase 상의 $TiO_2$ 박막을 확인할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.116-116
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• 2011

오늘날 표시장치는 경량, 고밀도, 고해상도 대면적화의 요구에 의해 TFT-LCD의 발전이 이루어졌다. TFT에는 반도체 재료로서, Poly-Si을 사용하는 Poly-Si TFT와 a-Si:H를 이용하는 a-Si;H TFT가 있는데 a-Si는 $350^{\circ}C$ 이하의 저온으로 제작이 가능하여 많이 사용되고 있다. 이러한 방향에 맞추어 bottom gate 구조의 a-Si TFT 실험을 진행하였다. P-type silicon substrate ($0.01{\sim}0.02{\Omega}-cm$)에 gate insulator 층인 SiNx (SiH4 : NH3 = 6:60)를 200nm 증착하였다. 그리고 그 위에 active layer 층인 a-Si (SiH4 : H2 : He =2.6 : 10 : 100)을 다른 RF power를 적용하여 100 nm 증착하였다. 그 위에 Source와 Drain 층은 Al 120 nm를 evaporator로 증착하였다. active layer, gate insulator 층은 ICP-CVD 장비를 이용하여 증착하였으며, 공정온도는 $300^{\circ}C$ 로 고정하였다. active layer층 증착시 RF power는 100W, 300W, 500W, 600W로 가변하였고, width/length는 100 um/8um로 고정하였다. 증착한 a-Si layer층을 Raman spectroscope, SEM 측정 하였으며, TFT 제작 후, VG-ID, VD-ID 측정을 통해 전기적 특성인 Threshold voltage, Subthreshold swing, Field effect mobility, ON/OFF current ratio를 비교해 보았다.