• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.03a
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• pp.71-71
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• 2003

최근 통신용 전자부품의 소형화, 저가격화, 고기능화의 요구가 점점 더 증대되고 있으며 이를 위해서 기판의 배선밀도를 높이는 것과 개별 부품 또는 모듈의 크기와 무게를 줄이는 것이 절실히 필요하다. 본 연구에서는 저융점의 phosphate계 유리 프릿의 첨가를 통해 LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramic) 에 적용 가능한 조성을 개발하고자 하였다. 마이크로파 용 유전재료로서 널리 사용되고있는 BNT (BaO-Nd$_2$O$_3$-TiO$_3$) 계 세라믹스에 저융점 유리 프릿의 양을 10-30wt% 범위로 변화시키면서 900-110$0^{\circ}C$ 범위에서 소결하여 이에 따른 수축률 변화와 상대밀도의 변화를 조사하였다 유리 프릿으로 P$_2$O$_{5}$-ZnO-BaO-Nd$_2$O$_3$ 계, P$_2$O$_{5}$-SnO-ZnO 계 2가지 조성의 유리를 사용하였다 그 결과로 소결체의 상대밀도는 소성온도가 900-110$0^{\circ}C$ 로 증가함에 따라 85-96% 로 증가하였고, 그 수축률은 소결온도 100$0^{\circ}C$ 에서 급격히 증가하였다. 이러한 결과는 저온 동시소성 세라믹 조성의 사용을 위해 좋은 결과가 예상된다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.5 no.1
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• pp.19-30
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• 1998

Aluminium secondary butoxide(ASB)를 출발물질로 하여 졸-겔방법에 의해 소결거 동에 미치는 $\alpha$-Al2O3 seed의 첨가효과에 따른 알루미나의 저온소결 가능성과 알루미나의 상전이에 대하여 TEM, DTA, XRD, FT-IR등으로 고찰을 하였다. TEM 분석결과 초기 생 성물인 boehmite가 비정질에서 단결정질로 진행되어 가고 있음을 확인하였다. 그리고 DTA 분석결과 $\alpha$-Al2O3 seed의 첨가한 경우 seed의 함량이 증가함에 따라 상전이 온도는 점차 낮아졌으며 약 0.4wt%일 때 seed를 첨가하지 않은 시료의 전이온도(약 1126$^{\circ}C$)에 비하여 약 7$0^{\circ}C$ 저하된 약 1056$^{\circ}C$로나타났으며 그 이상의 seedcja가에 있어서는 전이온도에 크게 영향을 나타내지 않았다. 또한 XRD분석결과 $\alpha$-Al2O3 seed를 첨가하지 않은 경우 110$0^{\circ}C$이 상의 온도에서 $\alpha$상이 생성되었음을 알수 있었다. 또한 100$0^{\circ}C$이상의 온도에서 $\alpha$상이 생성 되었음을 나타내는 Al-O 흡수특성 피크가 400~1000cm-1 범위에서 나타내고 있는 것을 FT-IR 분석결과에서도 확인할수 있었다. 그리고 $\alpha$-Al2O3 seed를 약 0.4wt% 첨가시 900~ 95$0^{\circ}C$에서 $\alpha$상이 형성됨을 관찰할 수 있었다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.41 no.2
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• pp.165-169
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• 2004

Microwave dielectric properties and the behavior of low-temperature sintering of $Zn_{1-x}(Li_{1/2}La_{1/2})_xTiO_3$ ($0.01{\leq}x{\leq}0.05$) with 4 wt% $H_3BO_3$ were investigated as a function of $(Li_{1/2}La_{1/2})^{2+}$ content. The sintering temperature of the specimens can be reduced from $1150^{\circ}C$ to $875^{\circ}C$ with the addition of 4 wt% $H_3BO_3$ as a sintering agent. Dielectric constant (K) and Temperature Coefficient of resonant Frequency (TCF) with the substitution of ($(Li_{1/2}La_{1/2})^{2+}$ ion depended on dielectric mixing rule. Quality factor (Qf) depended on density and microstructure. Typically, K of 26.5, Qf of 19,030 GHz and TCF of 7.5 ppm$/^{\circ}C$ were obtained for the specimens with x=0.03 sintered at $875^{\circ}C$ for 3 h.

• The Proceeding of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.12 no.3
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• pp.25-34
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• 2001

There are many kinds of dielectric materials in microwave dielectric filters for mobile telecomunication. But It is need to new dielectric materials for IMT200O, Bluetooth, wireless LAN to miniaturize the dielectric filters. These kinds of materials should have high dielectric constants, high Q, and low firing sintering temperature(<900˚C ). Multilayer monolithic dielectric filters are manufactured by BiNb04, dielectric ceramics cofired at 875˚C .

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2007.06a
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• pp.320-322
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• 2007

A new binder-free $TiO_{2}$ paste was prepared by common ion applying effect, enabling low temperature fabrication required for flexible solar cells. The binder-free and high viscosity $TiO_{2}$ coating solution was produced by adding 7.5% aniline in $TiO_{2}$ colloid solution obtained from the high pressure water-heat response method. The resulting pastes had high level of viscosities proper for optimal coating and thus revealed excellent performances in terms of thickness uniformity and I-V characteristics.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.6 no.2
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• pp.168-174
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• 1993

두가지 부분수산법, 즉 부분수산법(1)과 수정된 부분수산법에 의해 합성한 미분말을 사용하여 PZT 세라믹스를 저온소성하고 그 전기적 제특성을 조사하였다. 두가지 부분수산법에 의해 합성한 분말의 소결거동을 조사해본 결과 고상반응법보다 훨씬 낮은 소결온도인 950.deg.C에서도 단일상의 페로브스카이트상이 얻어지고 치밀화가 이루어졌을 뿐만 아니라 비유전율, 전기기계 결합계수, 압전정수 등 유전 및 압전특성이 고상반응법에 비해 손색이 없었다. 특히 두가지의 부분수산법에 의해 얻어진 PZT 세라믹스는 물리적 전기적 제특성이 서로 비슷하게 나타났으며 이 결과로부터 부분수산법(1)에서 수반되는 ZTO 분말을 따로 합성하는 공정이 불필요한 수정된 부분수산법이 편리함을 알았다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.5 no.1
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• pp.31-38
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• 1998

저온소결기판용 Glass-ceramics를 제조하기 위해 LiO2-MgO-MgF2-SiO2계 조성에 서 B2O3첨가가 결정화 특성 및 물성에 미치는 영향을 고찰하였다. 145$0^{\circ}C$에서용융하여 제조 한 모유리의 핵형성 온도와 결정화 온도를 결정하기 위해 TMA와 DTA분석을 실시하였다. 결정화시킨 유리의 결정상과 미세구조를 관찰하기 위하여 XRD와 SEM관찰을 실시하였다. Water swelling을 통해 Glass-ceramics powder를 제조하였으며 제조한 powder의 평균입자 크기는 8.32$\mu$m였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.04b
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• pp.73-76
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• 2009

ZnBo이 첨가된 (Ba,Sr)$TiO_3$ 후막을 이용한 planner capacitor의 전기적 특성을 조사하였다. 후막은 알루미나 기판에 스크린 프린팅기법에 의해서 제작되었고 $1200^{\circ}C$의 온도에서 소결하였다. 출발 물질인 BST의 저온 소결을 위해서 ZnBO를 첨가하였다. ZnBO가 1, 3, 5 wt% 첨가된 경우 소결온도가 $1200^{\circ}C$의 낮은 온도에서 소결되는 것을 확인했으며 ZnBO의 첨가랑이 증가함에 따라서 유전율은 감소하고 유전손실는 증가 하는 현상이 나타났다. 1, 3, 5 wt%의 ZnBO가 첨가된 (Ba,Sr)$TiO_3$는 각각 756, 624, 554의 유전율를 보였다. 또한 ZnBO의 양이 증가함에 따라서 누설전류가 감소되는 것을 확인하였고, ZnBO의 첨가가 grain의 성장과 density가 증가되어 누설전류의 양이 감소하게 되는 것으로 분석되었다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2012.05a
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• pp.82.2-82.2
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• 2012

캐패시터, 액추에이터와 같이 MIM (Metal-Insulator-Metal) 구조를 갖는 디바이스는 높은 소결온도를 갖는 세라믹 유전체/압전체와 고온 내산화성이 낮은 금속 전극의 적층 형태로 인하여 동시 열처리 공정에 있어서 많은 제약이 따른다. 본 연구에서는 소결온도를 대폭 낮춘 저온 소결용 PZT 압전체 테이프를 니켈 금속 포일에 적층하여 동시 열처리를 통하여 소결을 시도하였다. 동시 열처리된 MIM 디바이스의 세라믹과 금속 전극 계면의 미세구조 및 성분 분석을 통하여 계면 반응 기구를 확인하였고, 계면 반응층이 디바이스의 특성에 미치는 영향에 대한 정량적 분석을 수행하였다. 또한 열처리 시간에 따른 계면 반응층의 변화를 관찰하고 반응층의 변화가 특성에 미치는 영향을 분석하였다. 니켈 이외에 니켈 합금인 INCONEL 718과 PZT 세라믹과의 동시 소성을 시도하여 니켈, INCONEL 두 금속 기판과 PZT 사이에 생성되는 계면 반응층의 미세구조와 특성의 차이점을 비교하였고 디바이스로서 사용하기 위한 적합성 여부를 확인하였다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.37 no.11
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• pp.1065-1070
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• 2000

TiO$_2$의 첨가가 Mn-Zn ferrites의 전자기적 물성에 미치는 효과에 대해 연구하였다. TiO$_2$의 첨가량이 증가함에 따라 밀도와 전기비저항이 증가된 반면 초기투자율은 감소하였다. TiO$_2$의 첨가에 따라 Fe$^{2+}$ ion의 증가에 기인하여 전력손실의 최소 값을 나타내는 온도가 저온으로 이동하였다. TiO$_2$를 0.12wt% 첨가한 시편의 경우, 100 kHz, 200 mT, 8$0^{\circ}C$ 측정 조건에서는 소결온도가 증가함에 따라 전력손실이 감소하였으며 125$0^{\circ}C$ 소결한 시편이 340 mW/㎤으로 가장 낮은 값을 보였다. 500 kHz, 50 mT, 8$0^{\circ}C$의 측정 조건에서는 소결 온도가 감소함에 따라 전력손실이 감소하였으며 115$0^{\circ}C$ 소결한 시편이 105 mW/㎤으로 가장 낮은 전력손실 값이 관찰되었다.