• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.8 no.4B
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• pp.519-523
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• 1999

Epitaxial thickness $t_e(T_s)$ of Si films grown at the substrate temperature $T_s$=80~30$0^{\circ}C$ by ultra-high vacuum ion-beam sputter deposition onto nominally-singular, [100]-miscut Si(001) was measured. $t_e(T_s)$ values of films grown on vicinal Si(001) substrates were decreases compared to those of films grown on nominally-singular Si(001). Evolution of surface roughness measured by atomic force microscopy of films grown at $300^{\circ}C$ showed that the increases step density in vicinal substrates increases the tendency toward unstable growth resulting in larger surface roughness, which in turn decreases te.

• The Sea:JOURNAL OF THE KOREAN SOCIETY OF OCEANOGRAPHY
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• v.10 no.1
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• pp.79-91
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• 2005

In order to understand growth characteristics of ten major species of microalgae responsible for frequent harmful algal blooms in Korean coastal waters, the growth rates of the isolates were examined in relation with the impacts of water temperature, salinity and irradiance. In addition, their bloom events since 1990 as well as monthly abundance of vegetative cells were analyzed. Heterocapsa triquetra, Eutreptiella gymnastica and Alexandrium tamarense were considered as relatively mid temperature adapted species in that growth rates were comparatively high at low water temperatures of $10{\sim}16^{\circ}C$ and drastically decreased at above $22^{\circ}C$. Prorocentrum micans and Pyramimonas sp. were categorized as relatively high temperature adapted species by showing comparatively better growths at high water temperatures above $25^{\circ}C$. Akashiwo sanguinea, Heterosigma akashiwo, Prorocentrum minimum and Scrippsiella trochoidea were eurythermal species with relative high growth rates in a broad ranges of water temperature, $16{\sim}25^{\circ}C$ were slightly halophobic, showing better growths at low salinities of $10{\sim}30$ psu than at above 35 psu. H. akashiwo, P. minimum and H. triquetra were euryhaline species with remarkable growths in a broad ranges of salinity, 15-40 psu. Frequent algal blooms by these three species at extremely low salinities below 25 psu after rainfall were attributed to their euryhaline and slightly halophobic physiological characteristics. Growth rates of H. akashiwo, P. minimum and Pyraminonas sp. increased with the increase of irradiance within the experimental ranges of $2{\sim}150\;{\mu}E{\cdot}m^{-2}{\cdot}s^{-1}$. However, A. sanguinea, A. tamarense and H. triquetra showed better growths at comparatively low irradiance of $50{\sim}100\;{\mu}E{\cdot}m^{-2}{\cdot}s^{-1}$ and drastic decreases in growth rates above $150\;{\mu}E{\cdot}m^{-2}{\cdot}s^{-1}$ of irradiance. Overall, relatively high temperature adapted species make blooms frequently in high water temperature season with strong natural irradiance, and relatively low temperature adapted species grow better at low water temperature with relatively weak natural irradiance.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.13 no.5
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• pp.230-234
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• 2003

CuPt-type ordering has been observed in Zn-rich $Cd_xZn_{1-x}$Te epilayers grown on (001)GaAs and ZnTe/GaAs(001) substrates. X-ray diffraction, electron beam diffraction, high-resolution transmission electron microscopy and low-temperature photoluminescence have been used to characterize the CuPt-type ordering in Zn-rich $Cd_xZn_{1-x}$Te epilayers.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1998.07d
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• pp.1355-1357
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• 1998

TFT의 게이트 절연막으로 사용되는 절연체는 우수한 절연특성과 낮은 계면포획전하밀도($D_{it}$)를 요구한다. 이에 본 연구에서는 우수한 절연특성을 가지며, 격자상수가 Si과 유사한 $CaF_2$의 증착 특성을 연구하였다. 진공증착법을 이용하여 p형 Si(100) 기판위에 $CaF_2$의 기판온도, 두께를 변화시켜 전기적, 구조적 특성을 평가하였다. 또한 Si 기판에 방향에 따른 박막의 특성을 조사하였다. 구조적 특성분석으로부터 Si(100) 기판의 경우 $CaF_2$는 (200)방향으로 주도적인 성장을 하였으며 기판온도를 상승시킴에 따라 (220)방향으로도 성장을 하는 것으로 나타났다. 열처리 전후의 구조적 특성은 SEM을 통해서 확인 할 수 있었다. 열처리 전후의 특성 변화로부터 저온($100^{\circ}C$이하)에서는 기판과의 성장방향과 동일하였으며 고온($200^{\circ}C$이상)에서는 기판방향과는 다른 방향 성장 결과를 얻었다. 전기적 특성평가를 위하여 C-V 특성을 평가하였다. C-V 특성으로부터 Si(100) 기판의 온도가 $100^{\circ}C$, $1455\AA$ 두께로 증착한$CaF_2$ 박막의 $D_{it}$는 $1.8{\times}10^{11}cm^{-1}eV^{-1}$로 낮은 값을 가지 고 있었으며 0.1MV/cm에서 누설전류밀도가 $10^{-8}A/cm^2$ 이었다.

• Korean Journal of Crystallography
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• v.7 no.1
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• pp.64-72
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• 1996

Calculation of the amount of excess arsenic charge has been carried out for the single crystal growth of GaAs with 1-T HB(single temperature zone horizontal Bridgman) method which has no low temperature arsenic zone. Based upon the investigation of the thermochemical properties of the Ga and As system, a general equation for the excess dimension of the ampoule and temperature gradient of the furnace. From this result, a theoretical background of the 1-T HB method has been constructed for the single crystal growth of GaAs.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.3 no.4
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• pp.466-481
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• 1994

차세대 집적회로 제조공정에 있어 핵심기술인 선택적 단결정 실리콘 성장공정에 대한 이동현상, 열역학, 미시적 전산모사를 수행하여 다각적인 분석과 이해를 시도하였다. 첫째, 실리콘 단결정 성장 공 정에 가장 많이 사용되는 배럴 반응기를 대상으로 유한 요소법을 이용하여 이동현상적 이론연구를 수행 하였다. 반응기내의 기체속도 분포, SiH2Cl2 농도분포를 각각 구하였으며 압력, 기판온도, 총유량 HCl 유 량변화 등의주요공정변수가 증착율과 균일도 지수에 미치는 영햐을 고찰하였다. 이러한 연구를 통하여 저온, 저압, 총유량이 많고 첨가되는 HCl 유량이 작은 경우가 균일도 확보를 위하여 적합한 조업조건임 을 알수 있었다. 둘째 Si-H-Cl 계에 대한 열역학적 기체의 Cl/H비가 낮은 경우가 선택적 실리콘 증착 에 적합함을 알수 있었다. 셋째, Monte Carlo법을 이용한 선택적 실리콘 미세박막 성장패턴에 관한 이 론 연구를 수행하여 종횡비, 재방출, 표면확산에 따른 박막증착 패턴의 변화를 고찰하였으며 표면확산이 선택도 상실 현상의 중요한 원인이 될 수 있음을 발견하였다. 또한 최상의 선택도 확보를위해서는 낮은 부착계수와 낮은 표면확산계수를 유지해야 됨을 알수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.308-308
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• 2011

6.48 ${\AA}$의 격자 상수를 갖는 InSb 물질은 0.17 eV의 낮은 에너지 밴드갭과 78,000 cm2/Vs의 전자 이동도를 갖는 물질로서 고속의 자성 센서소자, 장파장의 광 검출기 그리고 고속 전자소자 등의 분야에서 많은 주목을 받고 있다. 그러나, 전기적 특성이 우수한 InSb 물질을 소자로 구현하는데 있어서 큰 어려움이 있다. InSb와 격자 크기가 잘 맞으면서 절연이 우수한 기판의 부재가 가장 큰 문제가 되는 부분이다. 즉, 격자 부정합을 최소화하며 동시에 절연기판을 사용함으로써 소자의 특성을 잘 살려야 하는 것이다. 이러한 이유로 인하여 InSb 기반의 소자가 널리 사용되지 못하고 있는 것이다. 현재 범용으로 사용하고 있는 기판은 격자 부정합이 14%인 GaAs, 11%의 InP 그리고 18%의 Si 등이 있다. 이번 발표에서는 GaAs 기판 위에 격자 부정합을 최소화하여 InSb 박막을 최적화 시켜 성장하는 방법에 대해서 소개하고자 한다. InSb 박막 성장하는데 있어 논문으로 보고된 여러 가지 방법들이 있다. 기판과의 격자 부정합을 줄이기 위하여 저온-고온 (L-T)의 의한 메타몰픽(metamorphic) buffer 층을 성장 후 InSb 박막을 성장하는 방법[1] 그리고 단계별 buffer를 성장하는 방법[2] 등을 통해서 많은 진보가 있었다. 하지만, 우리는 GaAs 기판 위에 AlSb 박막을 성장 하면서 동시에 In과 Al의 양을 서서히 변화시키는 grading 기술을 사용하였다. 즉, 물질 각각의 격자상수를 고려하여 GaAs (기판)-AlSb-InAlSb-InSb로 변화를 주어 격자 부정합이 최소가 되도록 하여 만들어진 buffer 위에 InSb 층이 만들어 지도록 하여 GaAs 기판 위에 InSb 박막을 성장 할 수 있었다. grading 기술을 이용하여 만들어진 buffer 위에 성장된 0.3 um의 InSb 박막 층은 상온에서 전자 이동도가 약 38,000 cm2/Vs에 이르는 것을 확인하였다. InSb 박막의 두께가 약 1 um 되어야 30,000 cm2/Vs 이상의 전자 이동도를 얻을 수 있다고 많은 논문을 통해서 보고 되고 있으나 우리는 단지 0.3 um의 InSb 박막두께에서 이와 같은 전기적인 특성을 확인하였기에 이상과 같이 보고 하고자 한다.

• Journal of Bio-Environment Control
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• v.11 no.3
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• pp.139-143
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• 2002

Cotton Glutathione S-Transferase (GST: EC 2.5.1.18) was cloned and overexpressed in tobacco (Nicotiana tabacum) plants. Northern blot analysis confirmed the successful transformation of cotton gst gene in tobacco plant. Type I and Type ll transcript patterns were identified in transgenic tobacco plants and only Type I transcripts were discussed in this paper, The activity of GST in the type II transgenic plants was about 1.5-fold higher than those of the wild type and non-expresser by using 1-chloro-2,4-dinitrobenzene (CDNB) and reduced glutathione as the substrate. The expression of cotton GST in tobacco plants proved that Gh-5 could be translated into functional protein. Type II transgenic plants produced functional GST in the cells. The effects of cotton GST in the seedlings was evaluated by growing the control and transgenic seedlings at $15^{\circ}C$ in the growth chamber in the light. Overexpressors were grown well compared to the control plants (non-expressors). lo test far tolerance to salinity, seeds of Gh-5 overexpressors and the wild type Xanthi seedlings were grown at 0, 50, 100, 150, and 200 mM NaCl solution. Gh-5 transgenic seedlings showed higher growth rate over control seedlings on 50 and 100 mM NaCl solution. There was no difference in growth rate at 150 and 200mM NaCl concentration.

• Journal of Food Hygiene and Safety
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• v.32 no.5
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• pp.363-370
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• 2017

In this study, we stored frozen shrimp (Litopenaeus vannamei) at $4^{\circ}C$ during 12 days and investigated the effect of chitosan coating with natural preservatives (0.05% carvacrol, 0.05% thymol) on the growth of microorganism (mesophilic bacteria, psychrophilic bacteria, Pseudomonas spp., $H_2S$ producing bacteria) and physiological characteristics (total volatile basic nitrogen and pH) and sensory evaluation (appearance, odor and general acceptance). Chitosan coating with natural antimicrobial compounds (0.05% carvacrol and 0.05% thymol) had inhibited the growth of all the target microorganism and showed the significant antimicrobial activity (p < 0.05) to mesophilic bacteria, psychrophilic bacteria and $H_2S$ producing bacteria until 12 day (the last day of this study). These treated groups had showed the significant difference (p < 0.05) in total volatile basic nitrogen and all the sensory characteristics but not in pH. Therefore, chitosan coating combined with natural antimicrobial compounds (0.05% carvacrol and 0.05% thymol) showed the effective antimicrobial activity on major spoilage microorganism on shrimp and could be used to elongate the shelf life of refrigerated shrimp.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.7 no.3
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• pp.188-195
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• 1997

Copper ions were adsorbed on amorphous Si films by spincoating of Cu solutions and were employed as surface nucleation sites for low-temperature crystallization. The crystallization temperature can bc lo~vered down to $500^{\circ}C$ and rhe crystallization time can be shortened by Cu adsorption. The Cu-adsorbed amorphous films were crystallized by fractal growth with the shape of tree branches. The fractal size ranged from $30 to 300{\mu}m$, depending on the Cu solution concentration. The fractals consisted of f e a t h e r like elliptical grains with the size of $0.3~0.4{\mu}m$. which was comparable to that of the intrinsic films crystallized at $600^{\circ}C$. Both the nucleation activation energy and grotvth activation energy decreased as the Cu concentration in the solution increased. The results suggest thcit the adsorbed Cu increases preferred nucleation sites at the surface and enhmces crystallization by reducing thc activation energies of nucleation and growth.