• Proceedings of the Korean Ceranic Society Conference
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• 2000.04a
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• pp.83.1-83.1
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• 2000

• Proceedings of the Korean Ceranic Society Conference
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• 2003.04a
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• pp.140.1-140
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• 2003

• Proceedings of the Korean Ceranic Society Conference
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• 2003.04a
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• pp.141.1-141
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• 2003

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.251-252
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• 2009

전류에 의한 자속변화를 검출하는 로고스키코일은 자성체를 코어로 이용하는 종전의 변류기 (Current Transformer) 와는 달리 공심이거나 비자성재료를 사용하기 때문에 자기적으로 포화되지 않으므로 일반적으로 디지털 적산 전력량계의 전류센서로 활용되고 있다. 본 연구는 저온소성 다층 세라믹 기판상에 로고스키코일을 적용한 전자식 전력량계의 정밀 전류측정용 센서 개발에 관한 것이며. 3차원 전자기장 해석 프로그램인 MWS를 하여 기판의 소재와 코일의 패턴의 크기 등을 달리하여 그 특성을 알아보고 실제 구현된 센서의 측정된 값과 비교해 보았다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.41 no.4
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• pp.313-322
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• 2004

Thick film photolithography is a new technology in that the lithography process such as exposure and development is applied to the conventional thick film process including screen-printing. In this research, low-temperature cofireable silver paste, which enabled the formation of thick film fine-line using photolithographic technology, was developed. The optimum composition for fine-line forming was studied by adjusting the amounts of silver powder, polymer and monomer, and the additional amount of photoinitiator, and then the effect of processing parameter such as exposing dose on the formation of fine-line was also tested. As the result, it was found that the ratio of polymer to monomer, silver powder loading, and the amount of photoinitiator were the main factors affecting the resolution of fine-line. The developed photosensitive silver paste was printed on low-temperature cofireable green sheet, then dried, exposed, developed in aqueous process, laminated, and fired. Results showed that the thick film fine-line under 20$\mu\textrm{m}$ width could be obtained after cofiring.

• Proceedings of the Korean Ceranic Society Conference
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• 2003.04a
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• pp.176.2-176
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• 2003

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.2 no.1
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• pp.49-58
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• 1995

출발물질은 cordierite 유리와 borosilicate/Si3N4 복합분말을 사용하였다. Cordierite 유리조성은 무게비로 17.8MgO-23.1Al2O3-48.1ASiO2-5.0ZnO-1.0B2O3를 선택하였다. Borosilicate/Si3N4복합분말은 sol-gel법으로 a-si3N4 core 분말에 borosilicate 겔을 코팅하여 얻었다. 복합분말과 cordierite 유리 분말을 부피비로 0/100, 12.5/87.5 및 25/75의 조성으로 혼합하여 tape casting 에 의해 green sheet를 제작하였다. 이들 sheet들을 800~100$0^{\circ}C$에서 2시간 소성하여 얻은 시편을 SEM, XRD, 밀도, 유전상수 등을 측정하여 저 유전율의 저온 소성 기판재료를 제조하기 위한 조건들을 검토하였다.

• 한국ITS학회:학술대회논문집
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• 2008.11a
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• pp.364-366
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• 2008

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.3 no.1
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• pp.1-10
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• 1996

반도체 산업의 급속한 발전에따라서 모든 전자산업부품의 경박단소화와 신호처리 속도가 고속화되는 추세에 있다. 특히 중대형 컴퓨터의 연산 처리가 고속화 됨에 따라서 반 도체 실장 재료로서 널리 사용되었던 Al2O3/Mo계 세라믹 소재로는 요구조건을 만족시킬수 없게 되었다. 따라서 저 유전율 절연 재료와 고밀도 배선이 가능한 고전도성 도체 재료의 개발이 요구되고 있다. Cu는 높는 전도성 뿐만 아니라 내 migration 특성 미세패턴의 적합 성 및 고주파 특성 등이 우수하여 저온 소성용 세라믹 기판용 전극 재료로서 유망하다.

• Proceedings of the Korean Ceranic Society Conference
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• 2002.10a
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• pp.95.2-95
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• 2002