• 한국수산과학회지
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• 제12권4호
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• pp.293-296
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• 1979

굴(Crassostrea gigas)의 질소배설과 산소소비에 미치는 수온 및 염분의 상호영향을 조사한 결과는 다음과 같다. 1. 굴은 수온과 염분변화에 따라 질소배설율과 배설암모니아 및 아미노산간의 배설비에 현저한 변동을 보였으며 산소소비량에도 역시 많은 변동을 보였다. 2. 질소배설율과 산소소비율은 염분이 증가함에 따라 특히 고염분일 때 고수온$(29^{\circ}C)$의 경우에 현저히 감소하였으나 저온분에서는 상당히 증가하였다. 이것은 생리적 내성의 고온단계와 저염분에 대한 포상작용에 기인한 결과라고 생가된다. 3. 암모니아를 주로 배설하였으나 상당한 량의 아미노-질소도 배설하였으며, 특히 상염분-온난온도대$(32.5\%_{\circ}-22^{\circ}C$에서는 아미노산의 배설량이 우세하였다. 그리고 어느 실험온도에서나 고염분에서 아미노-질소의 배설량은 감소하였고 저염분에서는 증가하였다. 4. 배설암모니아-질소에 대한 소비산소의 원자비 (O: N비)는 저온$(15^{\circ}C)$에서는 현저히 낮고 상온 및 고온($22^{\circ}$ 및 $29^{\circ}C$)에서는 높았다. 그러나 저온분의 경우 고온에서는 현저히 감소되었다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제9권2호
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• pp.303-310
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• 2008

ICP-CVD(inductively-coupled Plasma chemical vapor deposition)를 사용하여 $250^{\circ}C$기판온도에서 140 nm 두께의 수소화된 비정질 실리콘(${\alpha}$-Si:H)을 제조하였다. 그 위에 30 nm-Ni을 열증착기를 이용하여 성막하고, $200{\sim}500^{\circ}C$ 사이에서 $50^{\circ}C$간격으로 30분간 진공열처리하여 실리사이드화 처리하였다. 완성된 실리사이드의 처리온도에 따른 실리사이드의 면저항값 변화, 미세구조, 상 분석, 표면조도 변화를 각각 사점면저항측정기, HRXRD(high resolution X-ray diffraction), FE-SEM(field emission scanning electron microscope), TEM(transmission electron microscope), SPM(scanning probe microscope)을 활용하여 확인하였다. $300^{\circ}C$에는 고저항상인 $Ni_3Si$, $400^{\circ}C$에서는 중저항상인 $Ni_2Si$, $450^{\circ}C$이상에서 저저항의 나노급 두께의 균일한 NiSi를 확인되었다. SPM결과에서 저저항 상인 NiSi는 $450^{\circ}C$에서 RMS(root mean square) 표면조도 값도 12 nm이하로 전체 공정온도를 $450^{\circ}C$까지 낮추어 유리와 폴리머기판 등 저온기판에 대응하는 저온 니켈모노실리사이드 공정이 가능하였다.

• 한국식품과학회지
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• 제34권5호
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• pp.927-930
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• 2002

시금치를 한국 식단의 식자재로 사용하기 위해 cook-chill 가공과 sous vide 기술을 사용하였다. 시금치는 500 g 단위로 차단성 필름을 사용하여 진공포장하고 Listeria monocytogenes의 6D 사멸조건에서 저온살균하고 $3^{\circ}C$에서 급속히 냉각한 다음 $3^{\circ}C$와 $10^{\circ}C$에서 저장하면서 품질을 측정하였다. 오염지표균은 중온성세균, 저온성세균, 혐기성세균, 내열성세균, 대장균군, 효모 및 곰팡이, Enterobacteriacea 및 분원성연쇄상구균을 측정하였다. 원료 시금치에서는 $2.2{\times}10^8\;cfu/g$로 높은 분포를 보였고, cook-chill 가공 후에는 $6.0{\times}10^3\;cfu/g$로 감소하였으며 저장기간 동안 서서히 증가하였다. 저온성세균과 혐기성세균은 거의 같은 양상을 보였으며, 효모 및 곰팡이, 대장균군, 분원성연쇄상구균 및 Enterobacteriacea는 cook-chill 가공 후에는 검출되지 않았다. 그람음성의 병원성세균은 Aeromonas hydrophila, Escherichia coli O157:H7, Plesiomonas shigelloides, Pseudomonas aeruginosa, Salmonella spp., Shigella spp., Yersinia enterocolitica, 그람양성균은 Bacillus cereus, Campylococcus spp., Clostridium perfringens, Listeria monocytogenes, Staphylococcus aureus을 분리시험하였다. A. hydrophila는 수세한 시금치에서 분리되었으나, 원료 시금치와 cook-chill한 시금치에서는 분리되지 않았다. B. cereus와 C. perfringens는 원료 시금치, 수세한 시금치와 cook-chill 가공한 시금치에서 분리된 반면 S. aureus는 원료 시금치와 수세한 시금치에서만 분리되었다. 그 외의 다른 병원성세균은 cook-chill 과정에서 분리되지 않았다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제8권5호
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• pp.995-999
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• 2007

저온 소결용 압전 세라믹 소결체의 치밀화에 미치는 첨가제의 영향을 조사하기 위하여 $PbZrTiO_3$(PZT) 분말을 제조하였으며, 이 PZT 분말을 이용하여 제조한 압전 세라믹스의 치밀화에 미치는 첨가제의 영향을 조사하였다. 첨가제는 $wB_2O_3-xBi_2O_3-zCuO$와 $LiBiO_2-CuO$ 두 종류가 제조되었으며 이 들 첨가제의 양을 변화 시켜 효과를 조사하였다. PZT 분말에 소결조제로서 1wt.% 의 $LiBiO_2-CuO$를 첨가하여 시편을 제조한 후, $800{\sim}1200^{\circ}C$까지의 온도 범위에서에서 소결한 결과 $900^{\circ}C$에서 최고의 소결밀도를 나타내었다. 소결된 압전체의 결정상을 분석하기 위하여 X-선회절분석을 시행하였으며, $900^{\circ}C$의 저온에서 소결한 $PbZrTiO_3$의 시편의 미세조직을 관찰하기 위하여 주사전자현미경(SEM)을 이용하였다. X-선 회절분석에서는 잘 발달된 PZT 상이 나타났으며, SEM 관찰 결과 평균입경은 $2{\sim}4\;{\mu}m$의 페로브스카이트 결정으로 균일하고 치밀한 조직을 나타내었으며, 높은 소결성은 첨가제에 의한 액상소결에 기인한다.

• 한국재료학회지
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• 제8권3호
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• pp.224-228
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• 1998

비정량적 조성을 가진 비정질 산화타이타늄 박막을 반응성 스퍼터링으로 제조한후, $500^{\circ}C$~$600^{\circ}C$에서 10분-3시간 열처리후 냉각속도를 달리하였을 때의 상변태과정을 고찰하였다. 10분-30분정도의 단기간의 열처리후 급냉한 경우에는 Mageneli상이 관찰되어 비정상정 상($TiO_{2-x}$)이 산화되는 속도가 결정화속도보다 훨씬 느린 것으로 생각되었다. 그러나 열처리 유지시간이 증가하면 $500^{\circ}C$에서 부터의 느린 냉각과정에서는 Magneil가 anatase로 변화하며 변태한 anatase는 저온에서는 rutile로 변화하지 않았으나 $500^{\circ}C$~$300{\circ}C$의 온도 구간을 비교적 빠르게 냉각하면 Matneli상은 직접 rutile상으로 변화할 수 있는 것으로 고찰되었다. 또한 $600^{\circ}C$에서 냉각시에도 rutile상이 형성됨으로서 rutile상은 $500^{\circ}C$이상의 고온에서도 이 상ㅇ르 거치지 않고 변태할 수 있는 것으로 분석된다. 결정화 및 산화과정은 부피의 변화를 야기하여 박막의 표면 형상의 변화도 가져옴이 관찰되었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제34권6호
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• pp.645-651
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• 1997

입성장 제어없이 정방정 니르코니아의 파괴인성과 상 안정성을 증진시키기 위해 $Y_{2}O_{3}$와 $Nb_{2}O_{5}$가 첨가된 정방정 지르코니아를 상압소결방법으로 제조하였다. 지르코니아 복합체는 상 안정성이 뛰어난 조성에 상변화가 우수한 조성을 중량비로 혼합 합성하였다. 상변화가 우수한 조성을 15 wt% 첨가한 복합체와 동일한 단일조성의 경우 공기중에 $1500^{\circ}C$ 10시간 소결후 9$MPam^{1/2}$의 파괴인성값과 $220^{\circ}C$에서 $1000^{\circ}C$/까지 100시간이상 agmg을 한 뒤에도 우수한 저온 및 고온 상 안정성이 관찰되었다. 복합체와 상응하는 단일조성은 90.24 mol% $ZrO_2$-5.31 mol% $Y_{2}O_{3}$ mol% $Nb_{2}O_{5}$이었다. 조직관찰 결과 결정립은 소결시간에 따라 증가하였으며 미세균열이나 twinning은 발견되지 않았다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1998년도 제14회 학술발표회 논문개요집
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• pp.108-108
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• 1998

최근의 GaN에 관한 연구는 주로 MOCVD법과 MBE법이 이용되고 있으며 대부분 800¬1$\alpha$)()t 정도의 고옹에서 이루어지고 었다. 그러나 이러한 고온 성장은 GaN 성장 과청에서 질 소 vacancy를 생성시켜 광특성을 저하시키고 청색 발광충인 InGaN 화합물에 In의 유입울 어 렵게 하며 저온에서보다 탄소 오염이 증가하는 동의 문제캠을 가지고 있다. 이러한 고온 생장 의 문제점을 해결하기 위한 방법중의 한 가지로 제시되고 있는 것이 저온 성장법이다. 본 연구 에 사용된 RPE-UHVCVD법은 Nz률 rf plasma로 $\sigma$acking하여 공급함으로써 NI-h롤 질소원으 로 사용하는 고온 성장의 청우와는 다르게 온도에 크게 의존하지 고 질소원올 공급할 수 있 어 저옹 성장이 가능하였다. 기판으로는 a - Alz03($\alpha$)()1)를 사용하였고 3족원은 TEGa(triethylgallium)이며,5족원으로는 6 6-nine Nz gas를 rf plasma로 cracking하여 활성 질소원올 공급하였다 .. Nz plasma로 질화처리 를 한 sapphire 표면 위에 G따애 핵생성충을 성장 옹도(350 t, 375 t, 400 t)와 성장시간(30 분,50 분) 그리고 VIllI비(1$\alpha$)(), 2뼈)둥을 변화시키면서 성장시킨 후 GaN 에피택시충을 450 $^{\circ}C$에서 120 분 동안 성장시켰다 .. XPS(x-ray photoelectron spectroscopy), XRD(x-ray d diffraction), AFM(atomic force microscope)둥올 이용하여 표면의 조성 및 morphology 변화와 결정성을 관찰하였다. X XPS 분석 결과 질화처리를 한 sapphire 표면에는 AlN가 형성되었다는 것을 확인 할 수 있 었으며 질화처리를 한 후 G따J 핵생성충올 성장시킨 경우에 morphology 변화를 AFM으로 살 펴본 결과 표면에 facet shape의 island가 형성되었고 이러한 결파는 질화처리 과청이 facet s shape의 island 형성을 촉진시킨다는 것을 알 수 있었다. 핵생성충의 성장온도가 중가함에 따 라 island의 모양은 round shape에서 facet shape으로 변화하였다. 이러한 표면의 morphology 변화와 GaN 에피택시충의 결정성과의 관계를 살펴보면 GaN 에피택시충 표면의 rms(root m mean square) roughness가 중가하는 경 우 XRD (j -rocking curve의 FWHM(full width half m maximum) 값이 감소하는 것으로 나타났다. 이러한 현상은 결정성의 향상이 columnar 성장과 관계가 었다는 것올 알 수 있었다 .. columnar 성장은 결함의 밀도가 낮은 column의 형생과 G GaN 에피택시충의 웅력 제거로 인해 G값{의 결정성을 향상시킬 수 있는 것으로 생각된다. 톡 히 고온 성장의 경우와는 달리 rms roughness의 중가가 100-150 A청도로 명탄한 표면올 유 지하면서 결정성을 향상시킬 수 있었다. 본 실험에서는 핵생성충올 375 t에서 30 분 생장시킨 경우에 hexagonal 모양의 island로 columnar 성장을 하였고 GaN 에피태시충의 결정성도 가장 향상되었다 이상의 결과로부터 RPE-UHVCVD법용 이용한 GaN 저온 성장에서도 GaN의 결청성올 향 상시킬 수 있음융 확인할 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제9권11호
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• pp.1083-1087
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• 1999

마그네트론 스퍼터로 알루미나 기판위에 $\textrm{SnO}_2$박막을 증착하여 증착온도, rf 전력, 공정기체 중 산소분율(O$_2$/Ar)등 공정변수에 따른 박막의 미세구조와 가스검지 특성을 조사하였다. 증착된 박막의 미세구조는 결정성이 없는 비정질 구조(A), 비정질 기지 중에 결정이 분산된 구조(A=P), 방향성이 거의 없는 다결정 구조(P), 미세 기둥구조(FC), 조대한 기둥구조(CC), 고밀도 특성을 보이는 섬유상 구조(Zone T)의 6가지로 분류되었다. 공정 중 산소를 첨가하지 않았을 때, 저온, 낮은 rf 전력에서 A 구조가, 저온, 높은 rf 전력에서 A+P 구조가, 고온, 높은 rf 전력에서 P 구조가 형성되었고, 산소 첨가 시는 낮은 rf 전력, 저온에서 FC 구조가, 낮은 rf 전력, 고온에서 CC 구조, 높은 rf 전력, 저온에서 Zone T 구조가 형성되었다. 위의 미세구조를 가진 박막들을 센서로 제작하여 $200^{\circ}C$, $300^{\circ}C$, $400^{\circ}C$에서 CO 가스에 대한 민감도를 측정한 결과$200^{\circ}C$에서는 감도가 나타나지 않으며, $300^{\circ}C$, $400^{\circ}C$에서는 FC 구조를 가진 센서가 다른 미세구조를 가진 센서에 비해 우수한 감도를 나타냈다. 이는 미세한 column 들로 이루어진 FC 구조의 높은 비표면적으로 인해 산소와 피검가스의 흡착이 많아지게 되고, 가스흡착에 의한 저항변화, 즉 감도가 높게 나타나는 것으로 판단된다.

• 청정기술
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• 제24권4호
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• pp.307-314
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• 2018

본 연구에서는 NMO (Natural Manganese Ore), $MnO_2$, $Mn_2O_3$ 촉매를 산소 존재 하에 저온에서 $NH_3$를 환원제로 이용하여 질소산화물(NOx)을 제거하는 선택적 촉매 환원법에 사용되었다. NMO의 경우, 안정성 실험에서 질소산화물 전환율이 423 K에서 100시간 후에도 변하지 않는 것을 확인하였다. 동력학 실험의 경우, 열 및 물질전달이 영향을 주지 않는 영역에서 수행하였다. 정상상태에서의 반응속도 연구는 저온 SCR반응에서 암모니아에 대하여 0차이고 일산화질소에 대해서는 0.41 ~ 0.57차였으며 산소에 대해서는 0.13 ~ 0.26차인 것을 확인하였다. 온도가 증가할 때, 암모니아와 산소 농도의 결과에 따라 반응차수가 감소함을 확인하였다. 촉매 표면에 해리흡착 된 암모니아와 가스상 일산화질소(E-R 모델)와의 반응 및 흡착 된 일산화질소(L-H 모델)와의 반응을 확인하였다.

• 한국토양비료학회지
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• 제22권1호
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• pp.61-66
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• 1989

수도묘(水稻苗)를 실내시험(室內試驗)으로 무경화(無硬化), 변온경화(變溫硬化)($25-20-15^{\circ}C$), 저온경화(低溫硬化)($10^{\circ}C$, 2-4-8시간(時間)), ABA $10^{-4}$M 수용액(水溶液) 3회(回) 엽면처리(葉面處理)하여 $10^{\circ}C$생육상(生育床)에 3일간(日間) 방치한 후 묘소질(苗素質), 근활력(根活力), 광합성능(光合成能), 수도체중(水稻體重) 인지질(燐脂質)의 지방산(脂肪酸) 부포화도(不飽和度) 및 내생(內生) ABA함량(含量)과 포장(圃場)에 조기이앙(早期移秧)(수원(水原) 1985. 5. 6)하여 생존개체율(生存個體率)을 조사(調査)하여 얻어진 결과(結果)를 요약(要約)하면 다음과 같다. 1. 묘(苗)의 개체(個體) 건물중(乾物重)은 무경화(無硬化) 175mg에 비(比)하여 변온경화(變溫硬化) 186mg 저온경화(低溫硬化) 192mg, ABA처리(處理) 182mg으로 유의성(有意性) 있는 차이(差異)를 보였다. 2. 경화(硬化) 및 ABA처리묘(處理苗)를 1 주(株) 1 본(本)씩 조기이앙(早期移秧)하여 조사(調査)한 생존개체율(生存個體率)은 변온경화(變溫硬化) 85%, 저온경화(低溫硬化)90.7% ABA처리(處理) 77.8%로 무경화(無硬化) 62.0%에 비(比)하여 증가(增加)하였다. 3. 근활력(根活力) (${\mu}g/gF.W/hr$)은 무경화(無硬化) 110에 비(比)하여 변온경화(變溫硬化) 125, 저온경화(低溫硬化) 135, ABA처리(處理)는 120 으로 증가(增加)되었고, 개엽별(個葉別) 광합성능(光合性能)(${\mu}gCO_2/dm^2/hr$)은 무경화(無硬化) 55.1에 비(比)하여 변온경화(變溫硬化) 62.0, 저온경화(低溫硬化) 67.0, ABA처리(處理) 61.9로 높았다. 4. 수도체(水稻體)의 인지질(燐脂質) 지방산부포화도(脂肪酸不飽和度)(부포화(不飽和)/포화(飽和))는 무경화(無硬化) 1.19에 비(比)하여 변온경화(變溫硬化) 1.75, 저온경화(低溫硬化) 1.86, ABA처리(處理) 1.80으로 경화(硬化) 및 ABA처리(處理)로 부포화지방산(不飽和脂肪酸) 함량(含量)이 증가(增加)되었다. 5. 경화처리(硬化處理)에 의한 식물체중(植物體重) 내생(內生) ABA함량(含量)(ng/gF.W)은 무경화(無硬化) 33.9에 비(比)하여 저온경화(低溫硬化)에서 67.2로 증가(增加)되었고 ABA처리(處理)에서는 91.7이었다.