• Title/Summary/Keyword: 저압 MOCVD

Search Result 28, Processing Time 0.027 seconds

Selectively Grown ALGaAs/GaAs Multilayers and InGaAs/GaAs Quantum Wire Structures Grown by Low Pressure MOCVD (선택적 에피 성장법에 의한 GaAs/AIGaAs 다층구조 및 InGaAs/GaAs 양자세선의 성장 및 photoluminescence 연구)

  • 김성일;김영환
    • Journal of the Korean Vacuum Society
    • /
    • v.12 no.2
    • /
    • pp.118-122
    • /
    • 2003

  • Using low pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD), we have developed selectively area epitaxy (SAE). Using the developed SAE technology, we have grown AlGaAs/GaAs multi layers and InGaAs/GaAs quantum wire structures on the selectively $SiO_2$ masked GaAs substrates. We have obtained triangular shaped AlGaAs/GaAs and InGaAs/GaAs structures with sharp tips and smooth sidewalls. To rod the optimum conditions, several growth parameters such as growth rate, V/III ratio, growth temperature, and direction of the opening stripes were investigated. The emission peak from quantum wires was observed at 975 nm. With increasing of temperature the emission intensity from side wall quantum wells decreased abruptly. But the intensity from Quantum wires decreased slowly compared to that of side wall quantum wells and it became even stronger from above 50 K.

  • PDF KSCI

Low Prewwure MOCVD Growth and Characterization of $Ga_xIn_{1-x}P$ Grown on (100) GaAs Substrates (저압 MOCVD법에 의한 (100)-GaAs 기판위의 $Ga_xIn_{1-x}P$ 성장과 특성)

  • 전성란;손성진;조금재;박순규;김영기
    • Journal of the Korean Vacuum Society
    • /
    • v.3 no.1
    • /
    • pp.94-102
    • /
    • 1994

  • x- 0.51인 GaxIn1-x-P 에피층을 저압 MOCVD 성장법으로 TEGa(triethylgallium) TmIn(trimethylindium)등의 MO(metalorganic) 원료와 PH3(phosphine)를 사용하여 GaAs(100) 기판위에 성장하였다. 성장조건에 의한 표면 morphology 결정결함 성분비 PL spectra 운반자 농도와 이동도 및 DLTS spectra와 같은 성장층의 특성을 관찰하였다, $650^{\circ}C$의 성장온도와 V/III비, 즉 TEGa와 TMIn 두 원료의 유량에 대한 PH3 의유량변화에 아무런 영향을 받지 않음을 알 수 있었다. Ga0.51In0.49P에피층과 기판의 격자상수 차에 의한 격자 부정합 $\Delta$a /a0은 약 (3.7~8.9)x10-4 이었으며 실온과 5Kd서 에피층의 PL 피크 에너지는 각각 1.85eV와 1.9eV였다. 성장층의 운반자 농도와 이동도는 V/III 비에 따라 달라지 는데 그비가 120에서 220으로 증가함에 따라 농도는 1.8x1016cm-3에서 8.2x1016cm-3로 증가하였고 이동도 는 1010cm/V.sec에서 366cm/V.sec로 감소하였다.

  • PDF