• The Optical Journal
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• s.100
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• pp.65-73
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• 2005

고정 지립, 즉 지석으로 경면 가공한 새로운 연삭 가공법이 확립되면서 또한 초정밀한 운동 정밀도를 가진 기계 요소와의 결합에 따라 광학 부품이 나 전자 부품에 이용되는 기능성 재료를 고품위·고능률로 경면 가공하는 초정밀 연삭 기술로 계속 발전하고 있다. 유리 지립을 이용하는 연마 가공이 고정 지립화의 필요성이 요구되는 현실을 받아들이고, 새로운 연삭 기술은 가공 품위, 형상, 거칠기, 정밀도, 능률 등의 성능을 종합적으로 최적화하는 초정밀 연삭 기술로서 그 위치를 다지기 시작한 것으로 인식되고 있다. 이러한 기술의 하나로[ELID 연삭법]이 있는데, 본 기술은 최근 다양한 공업 생산에 실용화되기 시작하면서 많은 연구 개발 분야에서도 확립되기 시작했다. 본 고에서는 ELID 연삭법의 원리, 효과, 적용 그리고 장치와 응용에 대해 설명한다.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2004.10a
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• pp.1132-1132
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• 2004

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2014.11a
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• pp.142-144
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• 2014

전해가공(ECM)과 방전가공(EDM) 공정은 독특한 출력이 가능한 두 가지 이점이 있다. 방전가공과 전해가공은 보다 효과적이면서 거대하고, 미세한 나노 특성과 재료 가공의 정확한 3차원 복잡 형상 가공의 대안을 제공해준다. 본고에서는 학술적이고 산업적인 연구와 응용에 있어서 기예를 반영한 전해가공과 방전가공 공정의 기술적인 진전을 간략히 기술하였다.

• The Optical Journal
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• s.98
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• pp.68-74
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• 2005

최근 실리콘 웨이퍼 등 취성 재료에 있어 표면 거칠기나 마이크로 크랙 등 표면 품질과 함께 형상 정밀도에 대한 요구가 높아지고 있다. 본 고에서는 경취 재료의 초정밀 가공으로서 광학 유리재를 대상으로 하여 다이아몬드 절삭에 의한 임계 절입 깊이를 실험적으로 조사한 결과와 메탈 본드 다이아몬드 지석을 이용한 초정밀 경면 절삭 기술에 대해 소개한다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.8 no.5
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• pp.648-657
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• 1995

정보처리의 다양화, 고속화를 위하여 장래의 집적회로는 다량의 정보를 단시간에 처리하지 않으면 안된다. 종래, 3년에 4배의 고집적화가 실현되어 LSI개발에 기술 견인차의 역할을 하고 있는 DRAM(Dynamic Random Access Memory)은 미세화기술의 한계를 우려하면서도 오히려 개발에 박차를 가하고 있다. 이러한 DRAM의 미세, 대용량화에는 미세가공 기술, 새로운 메모리 셀과 트랜지스터 기술, 새로운 회로 기술, 그 이외에 재료박막기술, Computer aided design/Design automation(CAD/DA) 기술, 검사평가기술 혹은 소형팩키지(package)기술등의 광범위한 기술발전이 뒷받침되어 왔다. 그 중에서 미세가공 기술 및 새로운 트랜지스터 기술과 메모리 셀 기술을 중심으로 개발 동향을 살펴보고 최근에 발표된 1Gbit DRAM의 시제품 기술에 대하여 분석해 보기로 한다.

• 기계와재료
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• v.8 no.4 s.30
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• pp.70-81
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• 1996

• 기계와재료
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• v.1 no.1 s.1
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• pp.106-117
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• 1989

• 기계와재료
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• v.3 no.2 s.8
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• pp.74-87
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• 1991

• 기계와재료
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• v.2 no.1 s.3
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• pp.142-149
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• 1990

• 기계와재료
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• v.7 no.2 s.24
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• pp.81-95
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• 1995