Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.247-247
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2011
차단기의 주 임무는 사고전류를 차단하는 것이다. 진공 인터럽터는 진공차단기의 차단부로서 진공차단기의 핵심부이다. 사고전류 발생시 전극이 분리되면서 아크가 발생한다. VI의 아크소호 방식에는 크게 축자계 방식과 횡자계 방식이 있는데 본 논문은 횡자계 방식에 관한 것이다. 교류전류에서는 전류가 일시적으로 공급되지 않는 전류영전에서 아크소호가 가능하다. 전류영점에서 아크가 소호된 직후 극간저항은 거의 0에서부터 무한대까지 급격하게 변화하는데 이때 이 저항의 증가에 비례하여 과도회복전압이 발생한다. 하지만 잔류플라즈마의 소멸에는 일정시간이 소요되며 아크가 소호된 이후에도 종종 극간에 금속증기가 존재하게 된다. 잔류플라즈마는 전기전도도를 가지므로 극간에 과도회복전압이 걸리면 전류영점 직후에 아크를 통해 흘러 결국 아크의 재점호를 야기시키는 post arc current를 발생시킬 수 있다. 따라서 전류영점의 충분한 시간 이전에 아크를 확산아크로 전환시켜 극간에 존재하는 잔류 플라즈마 량을 최소화시켜야 한다. VI 내부의 아크거동에 미치는 인자에는 접점재료와 VI 용기내부의 진공도 이외에도 전극의 직경, 쉴드, 전극의 개극속도, 최종 극간거리 등이 있다. 본 연구에서는 나선형 VI 접점을 대상으로 두 접점 사이의 비틀림 각도에 따른 아크제어성능을 비교분석하였다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.132-132
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2012
압력 $10^{-9}$ Torr 이하의 초고진공(ultrahigh vacuum) 영역에서의 압력 측정에는 수 mA의 열전자로 잔류 가스를 이온화시켜 그 이온 전류를 측정하는 이온게이지를 주로 사용한다. 압력이 $10^{-12}$ Torr영역 이하인 극고진공(extreme high vacuum: XHV) 영역에 진입하면, ESD (electron stimulated desorption) 효과 등에 의한 이온 게이지 자체의 가스방출률이 커져 정확한 압력 측정이 곤란해 진다. 극고진공 영역에서 이온 게이지는 수 와트(W) 이상의 전력을 사용하여 수 mA의 열전자를 방출시키나, 신호인 이온 전류의 양은 1pA 이하이기 때문에 열전자에 의해 발생되는 백그라운드 전류에 묻혀 신호 전류가 측정되지 않는다고 할 수 있다. 100 nm 이하의 곡률을 가진 뾰족한 금속 탐침에 강한 전기장을 걸어주면 고체 내부의 전자가 터널링 효과에 의해 진공 중으로 방출되며, 이를 전계방출(Field Electron Emission) 효과라 부른다. 전계 방출 전류량은 탐침 표면의 일함수에 의존하며, 일함수가 클수록 지수함수 적으로 감소한다. 금속 표면에 진공 중의 잔류 가스가 부착하면 일함수가 증가한다. 가열에 의해 전계방출 탐침의 표면을 세정한 후에 전자 빔을 방출 시키면, 표면에 가스 분자가 흡착하여 방출 전류량은 점점 감소한다. 감소 속도는 압력에 비례하며, W(310) 탐침의 경우 $10^{-10}$ Torr 영역에서는 수분만에 최초 전류값의 1% 이하로 감소한다. 전계방출 전류의 감소속도가 압력에 비례하는 현상을 이용하여 압력을 측정하였다. Extractor Ionization Gauge 측정값 $5{\times}10^{-12}-3{\times}10^{-10}$ Torr의 범위에서 (111) 방향으로 정렬된 텅스텐 단결정 탐침을 사용하여 방출전류의 로그값을 시간의 함수로 semilog그래프를 그리면, 그래프는 직선을 그리며 그 기울기가 압력에 비례함을 알 수 있었다. 기울기 값과 게이지 측정값은 $10^{-11}{\sim}10^{-10}$ Torr 영역에서 거의 완벽한 비례관계를 보여주었으나, $10^{-12}$ Torr 영역에서 게이지 측정값은 기울기 값에서 추출한 압력치보다 높은 값을 보여주었으며, 이는 게이지 백그라운드 전류에 의한 차이라고 생각된다. W (310) 탐침의 방출전류는 그 감소속도가 W (111) 탐침과 마찬가지로 압력에 비례하였으나, 전류-시간 그래프는 가열 세정 직후에 전류가 거의 감소하지 않는 $2{\times}10^{-10}$ Torr에서 약 10분간 지속되는 '안정 영역'이 존재함을 보여주었다. '안정 영역'은 $10^{-11}$ Torr 영역에서는 수십분, $10^{-12}$ Torr 영역에서는 수시간 이상으로 증가하였다. 초-극고진공 영역에서의 잔류가스 주성분인 수소에서 물, 일산화탄소등의 가스로 바뀌면 '안정 영역'은 사라졌고, 이는 '안정 영역'이 수소 흡착에 의해서만 나타나는 고유 현상임을 말해준다.
CHF$_{3}$/CH$_{4}$Ar 플라즈마에 의해 형성된 산화막 식각 잔류물의 화학구조와 이 잔류물의 제거를 위한 세정방법을 x-ray photoelectron spectroscopy를 이용하여 조사하였다. 잔류무르이 구조는 CF$_{x}$-polymer와 Si-C, Si-O 결합으로 이루어진 SiO$_{y}$ C$_{z}$ 이었다. CF$_{4}$O$_{2}$ 플라즈마에 의한 silicon light etch는 산화막 식각 잔류물인 SiO$_{y}$ C$_{z}$ 층과 손상된 실리콘 표면을 제거하엿으며 NH$_{4}$OH-H$_{2}$O$_{2}$과 HF용액으로 완전히 제거되는 CF$_{x}$-polymer/SiO$_{x}$층을 남겼다. 100.angs.정도의 silicon light etch는 minority carrier life time과 thermal wave signal값을 초기 웨이퍼 수준까지 회복시켰으며 접합누설 전류도 거의 습식 식각 공정수준까지 감소시켰다.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.26
no.2
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pp.51-54
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2019
The electrodeposition of rhodium (Rh) on silicon substrate at different current conditions were investigated. The cracks were found at high current density during the direct current (DC) plating. The pulse current (PC) plating were applied to avoid the formation of cracks on the deposits. Off time in the pulse plating relieved the residual stress of the Rh deposits and consequently the current conditions for the crack-free Rh deposits were obtained. Optimum pulse current (PC) condition is 5:5 (on:off) for the crack-free Rh electroplating.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.15
no.4
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pp.71-76
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2008
The mechanical properties of Ni-Fe alloy were varied with the current type, current density and bath conditions such as concentrations and temperature. The effect of electroplating parameters on the surface hardness, mechanical strength, residual stress and wear properties were investigated. The mechanical properties of electrodeposits with PC plating is superior to those with DC plating. Ni-Fe electrodeposits with PC has approximately 50% lower residual stress than that of DC plating. The tensile strength of PC electroplated specimen was 15% higher than that of DC electroplated specimen. The wear resistance of PC specimen was 30% improved relative to that of DC specimen.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2015.11a
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pp.267-267
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2015
본 연구에서는 에틸렌디아민을 착화제로 사용하여 전해도금으로 Ni-Pd 합금피막을 형성하였다. 염화팔라듐 농도 1~5 mM, 전류밀도 $0.2{\sim}1.5A/dm^2$ 구간에서 고용체 합금피막이 형성되었으며, 이의 격자상수는 X선회절 분석을 통하여 확인하였다. Pd 함량은 전류밀도가 증가할수록 감소하였고, 경도는 전류밀도가 증가할수록 증가하다가 전류밀도 $1.3A/dm^2$ 이후 급격히 감소하였다. 경도증가 원인은 결정립미세화이고, 전류밀도 $1.3A/dm^2$ 이후에서 잔류응력으로 인한 크랙 발생으로 사료되었다.
본 논문은 전력케이블의 열화진단을 위한 기초연구로서 6.6kV XLPE 케이블에 직류전압을 인가한 후에 절연 저항, 직류 누설 전류, 잔류 전압 비율, 킥 현상, 성극 지수 등을 각각 측정하였다. 본 논문은 전력케이블의 열화 현상을 파악하고, 예방진단을 위한 기초적인 Data를 얻기 위하여 직류 누설 전류의 특성을 파악하였다. Virgin케이블에 있어서 절연성능은 절연 저항의 특성은 거의 $\infty$를 나타내지만 잔류 전압의 특성은 케이블의 길이와 인가되는 전압에 따라서 큰 변화를 나타내고 있다. 이같은 잔류 전압의 특성은 케이블내의 공간전하의 형성과 크기에 따라서 의존되는 것으로 판단되며, 반면에 측정의 분위기에 많은 영향을 받는다. 이와같은 측정결과를 기초로 하여 계속적으로 Virgin케이블을 흡습시키면서 각 절연특성의 변화를 평가할 계획에 있다.
월성원자력4호기가 '99.06.09일 11:53분 경 전출력 소외전원상실시험시 주발전기 병입차단기 및 기동용변압기 차단기의 트립과 동시에 예상 밖의 13.8Kv 원자로 냉각재펌프모터#3(9.000HP)이 순시과전류 보호계전기(50Y) 동작으로 트립되어 이로 인한 냉각재 저유량으로 원자로 제1정지계통이 동작되고 원자로가 비상정지 되어 동 시험이 실패되었음. 이 비정상적인 고장은 예비디젤발전기의 수동 기동 병입과 터빈 수동 정지 및 주발전기 트립후 적절한 조치로 소내전원은 정상적으로 복구되었음. 이에 대해 냉각재펌프모터#3의 순시과전류 동작 원인을 유도전동기의 전원상실 후 발생되는 잔류전압(Residual Voltage)과 공급 모선전압(Bus Voltage) 측면에서 분석하며, 모터의 회전속도, 위상각, 잔류전압크기 변화 및 신속개방 절체시 냉각재펌프모터의 돌입 기동전류를 계산하고, PSS/E 프로그램을 사용한 간략한 모의 사례로 검증하였으며 이에 대한 재발방지를 위한 대책을 제시함.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.25
no.2
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pp.199-207
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2014
Although High-altitude electromagnetic pulse(HEMP) protection filter meets the requirements of pulsed current injection(PCI) acceptance test, the equipment under test which has low electromagnetic susceptibility level can be damaged during PCI verification test that is performed on operating condition of equipment. This paper proposed the HEMP effect analysis method using comparison of norms between residual current of HEMP filter and transient electromagnetic conducted susceptibility criteria of equipment, as an alternative method under the condition that performing PCI verification test is limited in HEMP hardened facilities. PCI acceptance test of HEMP filter, transient electromagnetic conducted susceptibility test, and PCI verification test are performed and test results are analyzed.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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