방사선들 중에서 감마선은 우리의 몸 속을 깊숙이 침투할 수 있다. 그런 감마선이 우리 몸을 투과할 때, 체세표를 이룬 원자들의 궤도전자들과 충돌하면서 소멸된다. 우리는 그런 현상들을 물질과의 상호작용 이라 부른다. 방사선과 물질과의 상호작용은 원자의 단위에서 일어난다. 감마선이 물질과의 상호작용들은 물리적으로는 광전자 산란 효과, 컴프턴 산란 효과 그리고 전자쌍 생성효과 등으로 구분하여 설명된다. 방사선이 우리의 몸 속에서 체세포의 원자와 충돌하여 생기는 자유전자들은 몸 속에 남게 되고, 그들은 몸 속을 상당 기간 동안 배회하면서 인체의 생명 현상을 유지시킬 생화학 작용의 기능들을 약화시키기도 하고, 악성인 암세포들을 만들어내기도 하므로 건강 유지에 불리하게 작용한다. 따라서 감마선에 쪼여 생긴 자유전자들은 우리의 정상적인 건강 조건들을 해치는 주된 요소가 된다.
암반발파작업에서 발생되는 발파진동은 주변의 생활환경과 인접한 구조물에 영향을 미쳐 공해를 발생시킨다. 계단발파와 터널발파에서 발생되는 발파진동은 진동에 영향을 미치는 요소들의 일부는 동일하게 작용하고 일부는 서로 다르게 작용하여 진동의 크기가 결정된다. 일반적으로 발파진동의 크기에 영향을 미치는 요소 중에서 암반의 조건과 폭약종류, 장약량 등 제 요소가 동일한 경우에는 최소저항선 거리와 자유면의 수에 의해 발파진동이 결정되는 것으로 알려져 있다. 그러나 터널 발파에서는 최소저항선거리와 자유면의 수 외에 자유면의 크기가 발파진동의 크기를 결정하는 주된 요소로 작용하게 된다. 본고에서는 자유면의 크기가 발파진동에 미치는 영향을 고찰하여 터널발파의 진동제어방법을 제시하였다.
Fig. 1에서 보는 바와 같이 수 MeV의 에너지를 가진 입사이온이 고체 시료표면과 충돌했을 때 여러 가지의 상호작용과 과정들이 일어난다. 입사 아온이 표적원자의 원자가전자나 내각전자와 상호작용을 하였을 때 원자를 여기시키거나 이온화시키게 되며 입사 이온이 표적 핵과 매우 가까이 접근했을 때 입사이온과 표적 핵사이에 쿨롱상호작용이나 핵 상호작용이 일어나게 된다. 이러한 여러가지 상호작용의 결과들로부터 분석하고자 하는 시료의 성분, 구조, 상호작용 과정에 대한 정보를 얻을 수 있다. 이러한 고에너지 이온선을 이용한 분석기술로는 Fig. 1에서 보는 바와 같이 후방산란법(BS : Backscattering Spectrometry), 전방산란법(FRS : Forward Recoil Spectrometry), 핵반응법(NRA : Nuclear Reaction Analysis), 양성자여기X선검출법(PIXE : Proton Induced X-ray Emission)등과 이러한 방법들과 같이 조합하여 사용하는 이온 채널링(ion channeling)등이 있다. 본 해설에서는 이러한 분석법중에서도 널리 사용되고 있는 후방산란법과 이온 채널링에 대하여 주로 기술하고자 한다.
한국광학회 1990년도 제5회 파동 및 레이저 학술발표회 5th Conference on Waves and lasers 논문집 - 한국광학회
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pp.199-203
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1990
원자와 강력한 빛이 상호작용을 하면 섭동이론으로 취급되지 않는 형광선들이 나타나게 된다. Nd:YAG 레이저로 펌핑된 색소레이저를 열 파이프 오븐에 발생시킨 Na 원자 기체의 D1 및 D2 흡수선에 입사시켜 Na 원자를 공명여기 시켰다. 그결과 빛 싸인 원자 모델에서 예측한 7개의 형광선을 얻었고 이들 형광선에 대한 입사광의 세기 및 detuning에 의한 효과에 대해 논의 검토하였다.
2단으로 구성된 DFB 레이저의 정적 및 동적 작용을 분석하기 위하여 종방향 모드 전송선로 이론 (L-MTLT)을 이용하였다. 활성영역을 갖는 DFB 구조의 특성 임피던스와 등가 전파상수를 L-MTLT에 기초하여 유도하였다. 2단으로 구성된 DFB 레이저가 전송선로 망으로 유사화 되었으며, 각 단은 그에 대응하는 등가 요소들로 등가화된 전송선로 블록으로 나타내었다. 등가 전송선로 망에 기초한 DFB 레이저의 종방향 공진 조건 (resonance condition)이 레이트 방정식 (rate equation)을 재구성하기 위하여 사용되었으며, 이를 이용하여 활성여역을 갖는 2단 DFB 레이저의 정적 및 동적 작용을 자세하게 분석하였다.
목적 : 본 연구는 형제그룹 감각통합치료가 전반적 발달장애 아동의 사회적 상호작용에 미치는 효과에 대해서 알아보고자 한다. 연구방법 : 전반적 발달장애 진단을 받은 만 7~8세 아동 2명을 대상으로 2011년 7월부터 9월까지 총 8주간 형제그룹 감각통합치료를 실시하였다. 개별실험연구방법(single subject research design) 중 A-B-A' 설계를 사용하였으며, 기초선 A 3회기, 중재기 B 16회기, 기초선 A' 3회기로 총 22회기를 적용하였다. 사회적 상호작용의 질은 기초선 A와 A'기간에 ESI(Evaluation Social Interaction)를 통하여 측정하였다. 사회적 상호작용의 빈도는 기초선 기간에는 중재가 없는 상태에서 측정하였으며, 중재기간에는 매 중재 후 10분간의 자유놀이를 비디오로 촬영하여 등간기록법(interval recording)을 통해 측정하였다. 결과 : 대상 아동 모두에게서 중재 후 사회적 상호작용의 질은 통계적으로 유의한 향상을 보였다. 또한 매 회기 중재 후 실시한 자유놀이에서 대상 아동 모두 기초선 A의 평균과 2표준편차 밴드 이상인 값들이 두 개 이상 연속으로 나타나 사회적 상호작용의 빈도에서도 통계적으로 유의한 변화가 나타났다. 결론 : 형제그룹 감각통합치료가 전반적 발달장애 아동의 사회적 상호작용에 긍정적인 효과가 있음을 확인하였다. 따라서 임상에서 전반적 발달장애 아동에게 사회적 상호작용 향상을 위한 치료방법으로써 형제그룹 감각통합치료를 효과적으로 적용할 수 있을 것이다.
본 연구에서는 통신선 가설 보조 기구인 조가선에 이상 장력이 작용하였을 때 전주의 영향을 유한 요소 해석을 통하여 전주 보호 기구를 설계 해석하여 보호시스템을 개발하였다. 보호시스템은 일반하중 또는 풍압과 일반적인 불평형 하중에서는 조가선이 탈락되지 않고 일정강도 이상이 가해지면 조가선이 자동 탈락되어 전주의 절손 방지 역할을 한다. 이러한 보호시스템의 구조는 유한 요소 해석을 통하여 해석되어졌고, 실제 제품에 대한 인장강도를 측정함으로써 성능을 입증하였다.
$SnO_2$ 나노선은 n-type 반도체 특성을 띄며 트랜지스터, 가스 센서, pH 센서 등 여러 분야에 걸쳐 다양하게 사용되고 있다. $SnO_2$ 나노선은 그 자체만으로 시계방향의 전기적 히스테리시스를 보이며 이것은 나노선 표면에 흡착된 물이나 산소가 발생시키는 전자 갇힘 현상이 가장 큰 원인으로 작용한다. 특히 고분자를 게이트 절연막으로 사용할 경우 게이트 절연막의 전기적 히스테리시스가 소자 특성에 영향을 미치게 되며, 고분자 절연막의 히스테리시스는 $SnO_2$ 나노선의 히스테리시스와 반대인 반시계 방향의 특성을 보인다. 고분자 내에서 발생하는 히스테리시스는 고분자 사이에 흡착된 물 분자나 고분자의 높은 극성을 가지는 작용기 등이 원인으로 작용한다. 전기적 히스테리시스는 FET소자를 구동하는데 있어 부적절한 특성으로, 이것의 원인을 이해하는 것은 중요하며 히스테리시스의 방향과 크기를 조절할 수 있는 기술 또한 중요하다. 본 연구에서는 폴리이미드(PMDA-ODA)를 게이트 절연막으로 사용하여 플렉시블 기판을 만들고 그 위에 $SnO_2$ 나노선을 슬라이딩 전이 방식으로 정렬하여 플렉시블 FET를 제작하였다. 제작된 소자는 $0.7cm\;{\times}\;0.7cm$ 넓이 안에 300개의 FET가 존재하며 SEM 이미지를 통해 넓이 $50{\mu}m$, 길이 $5{\mu}m$의 FET채널에 약 150개의 나노선이 연결되어 있는 것을 확인했다. 이 소자의 히스테리시스는 폴리이미드의 교차결합 정도에 따라, 그리고 폴리이미드 절연막을 제작할 때의 습도에 따라 변하게 된다. 교차결합이 많아지고 습도가 낮아질수록 폴리이미드 절연막 내부에 흡착되는 물분자가 줄어들게 되고 절연막의 히스테리시스가 사라지며 시계방향의 나노선 히스테리시스가 지배적이 된다. 반대로 교차결합이 줄어들고 습도가 높아질수록 폴리이미드 절연막 내부에 물분자가 늘어 나면서 시계반대방향의 폴리이미드 히스테리시스가 FET의 전기적 특성에서 눈에 띄게 나타난다. 이 실험을 통해 고분자 절연막을 사용한 $SnO_2$ 나노선 FET의 전기적 히스테리시스를 조절할 수 있었으며, 소자의 히스테리시스를 없앨 수 있는 가능성에 대해서 논하고자 한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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