• Proceedings of the Korean Ceranic Society Conference
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• 2002.10a
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• pp.62.2-62
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• 2002

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2005.06a
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• pp.88-89
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• 2005

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2002.12a
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• pp.172-173
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• 2002

스핀전자소자 연구 분야의 가장 큰 관심은 전하와 스핀의 자유도를 동시에 고려하여 메모리 및 논리용 트랜지스터를 구현하려는데 있다. 스핀 분극 된 전자를 자성금속으로부터 상자성 및 절연체를 이용하여 또 다른 자성체 및 반도체, 초전도체에 주입하는 일 (Spin injection)에 관한 연구가 일부 진행되어 왔다. 두 개의 자성 금속 사이에 Au등의 상자성 금속을 끼워 넣는 구조로 한쪽의 자성금속을 스핀 소스로 사용하여 상자성 금속에 스핀을 주입하고 다른 쪽의 자성금속으로 주입된 스핀을 검출하는 스핀 스위치 저장소자로서의 양극 스핀 트랜지스터 (bipolar spin transistor)를 많은 연구소에서 제조 연구하였다. (중략)

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2011.06a
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• pp.89-89
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• 2011

• Electrical & Electronic Materials
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• v.16 no.12
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• pp.20-28
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• 2003

• Electrical & Electronic Materials
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• v.18 no.11
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• pp.17-23
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• 2005

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2004.06a
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• pp.13-13
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• 2004

• Proceedings of the Korean Ceranic Society Conference
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• 2003.10a
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• pp.199.1-199
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• 2003

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.16 no.2
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• pp.130-135
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• 2006

We theoretically demonstrate that the interlayer exchange coupling (IEC) energy can be manipulated by means of an external bias voltage in a $F_1/NM/F_2/S$$(F_1:ferromagnetic,\;NM:nonmagnetic\;metallic,\;F_2:ferromagnetic,\;S:semiconductor\;layers)$ four-layer system. It is well known that the IEC energy between two ferromagnetic layers separated by nanometer thick nonmagnetic layer depends on the spin-dependence of reflectivity to the $F_1/NM/F_2/S$ four-layer system, where the reflectivities at the interface in $NM/F_2$ interface also depends on $F_2/S$ interface due to the multiple reflection of an electron-like optics. Finally, the IEC energy depends on the spin-dependent electron reflectivity not only at the interfaces of $F_1/NM/F_2$, but also at the interface of $F_2/S$. Naturally the Schottky barrier is formed at the interface between metallic ferromagnetic layer and semiconductor, the Schottky barrier height and thickness can be tailored by an external bias voltage, which causes the change of the spin-dependent reflectivity at $F_2/S$ interface. We show that the IEC energy between two ferromagnetic layers can be controlled by an external bias voltage due ti the electron-optics nature using a simple free-electron-like one-dimensional model.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2003.08a
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• pp.130-130
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• 2003