• Title/Summary/Keyword: 인덕턴스 특성

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Transient Grounding Impedance Behaviors of Deeply-driven Ground Rods According to the Injection Point of Impulse Currents (임펄스전류의 인가위치에 따른 심매실 봉상 접지전극의 과도접지임피던스 특선)

  • Lee, Su-Bong;Li, Feng;Lee, Seung-Ju;Jeon, Byung-Wook;Lee, Bok-Hee
    • Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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    • v.22 no.10
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    • pp.62-68
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    • 2008
  • This paper presents the transient and conventional grounding impedance behaviors of deeply-driven ground rods associated with the injection point of impulse currents. The transient grounding impedance strongly depends on the length of deeply-driven ground rod and the rise time and injection point of impulse currents, and the intrinsic inductance of ground rod has a significant affect on the transient grounding impedance of grounding system in fast rise time ranges. The reduction of inductance is decisive to improve the impulse impedance behaviors of deeply-driven ground rods. It is effective that grounding conductor is connected to the top of the ground rod as short as possible.

Study on Frequency Characteristics for Double-Layer Symmetric Spiral Inductor (2층 대칭 나선형 인덕터에 대한 주파수 특성 연구)

  • Kim, Jae-Wook
    • The Journal of Korea Institute of Information, Electronics, and Communication Technology
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    • v.15 no.5
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    • pp.315-320
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    • 2022
  • In the case of a general spiral inductor, the orientation of the port is affected as it has an asymmetric structure. In this paper, double-layer spiral inductor that can have a symmetrical structure is proposed, and the simulation and frequency characteristics are analyzed. Compared to the conventional single-layer symmetrical inductor having an inductance of 3.9~4.2nH, the proposed double-layer symmetric spiral inductor has an inductance of 11~12nH in 0.3~1.2GHz frequency range, a quality factor of about 4.4 in 800MHz, and a self-resonant frequency of about 2.7~2.8GHz without changing the port. Compared to the general spiral inductor having a large difference depending on the port, it was confirmed that the influence on the port direction was small.

대면적 Transformer coupled Plasma Source에서 파워결합에 관한 실험적 연구

  • 김희준;손명근;황용석
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 1998.02a
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    • pp.166-166
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    • 1998
  • 반도체 공정에서 기존보다 큰 30cm 웨이퍼훌 이용하기 위해서 기존의 ECR, Helicon, ICP, 등 공정용 고 밀도 플라즈마 원들의 대면적화에 대한 연구가 세계적으로 진행되고 있다 현 상황에서는 평판형 안테 나룰 이용한 TCP가 대면적용 폴라즈마 원의 가장 유력한 후보로 여겨지고 있다 TCP롤 대면적화 하는 데 있어서 중요한 문제점으로는 대면적에서의 큰 안테나 인되턴스로 인한 임피던스 정합과 대면적에서 의 유전울질의 기계적 강도이다. 앓은 유전물질올 사용힐 수 있도록 대면적 TCP 플라즈마 원올 실계 저l작하였고 이차원 가열이론올 이용한 TCPRP code 률 이용하여 안테나의 반경옳 결정하였디 안테나의 인덕턴스 값올 줄이기 위해서는 주m수는 13.56MHz 보다 낮은 4-5MHz 부근에서 작동하는 RF 파워룰 선택하였다 이 파워 서플라이는 보통 사용되는 50n 흩력 입묘$\mid$던스훌 갖는 형태가 Of니라 LC 공진현상 올 이용하여 부하에 파워률 전달하는 형태이다 .. TCP 장치에 사용할 수 있도록 파워 서플라이 흩력 단에 안테나와 직혈로 가변 콘덴서를 달아서 임11I던스 정합올 힐 수 있게 하였다 안테나에 직훌로 달Of줌으 로써 안테니의 인덕턴스훌 훌여주는 효과훌 얻올 수 있다 안테나에 흐르는 전류룰 측정하기 위해서 사 각형 루프로 전류 픽업 코일을 만들었고 진공상태에서 RF 파워률 인가하고 안테나의 전류와 전압을 측정하여 픽업 코일걸과훌 조정하였다. 발생기체로는 헬륨올 사용하였고 1-100mTorr 의 압력범위에서 실험을 하였다 플라즈마롤 빌샘시키고 파워를 증가 시킴에 따라 E-H mode transition 현상이 관찰되었고 그 때의 임계 전류 값을 측정하였다. 압력이 낮올수록 모드 변화가 일어나는 전류의 값이 작았다 임계 전류는 압력에 대해서 선형적인 특성을 보였다 이는 압력이 낮을수록 유도걸힘이 더 잘 된다는 것을 의미한다 1 1 mTorr에서는 H-mode에서 안테나의 전류가 파워훌 증가시킴에 따라 계속 증가하였으니, 압력이 올라 갈수록 조금씩 증가하는 정도가 줄어들고. 100mTorr에서는 포화된 값을 나타냈다 H-mode로 넘어간 후 에는 파워가 증가황에 따라 안테나의 임피던스 값이 모든 압력영역에서 줄어드는 경황을 보였고, 이는 플라즈마의 인덕턴스에 의해서 안테나의 인덕턴스 기 감소되기 때문이다, 파워가 증가할수록 안테U오} 플라즈마 루프사이의 상호걸합이 증가하는 걸로 해석힐 수 있다 안테나의 인되턴스 변화보다는 저항.성 분의 변화가 컸다 하지만 전체 임피던스로 볼 때 저항성분이 상대적으로 작기 때문에 인덕턴스의 감소 가 더 큰 영향을 미치는 걸로 볼 수 있다. 하지만 플라즈마로의 파워 전달에는 저항성분만이 영향올 미 치므로 저항성분의 큰 변화는 파워가 많이 전달될올 의미한다 피워전달 효율을 계산해 본 결과 수 r mTorr 부근이 80-90% 정도의 높은 효율올 보였고 5mTorr 일 때가 가장 좋았다.

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Design of the Modified Wilkinson Power Divider Using Coupling and Inductive Slit (결합 특성과 유도성 슬릿을 이용한 새로운 구조의 Wilkinson 전력분배기 설계)

  • Kim, Jin-Pyo;Kim, Sang-Tae;Kim, Won-Gi;Na, Geuk-Hwan;Sin, Cheol-Jae
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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    • v.37 no.8
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    • pp.24-32
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    • 2000
  • In this paper, we have designed and fabricated a new type power divider to be efficient to a size and electrical performance by folding each quarter-wavelength 70.7 Ω section into a tightly-coupled "meander-line" and inserting a slit. In this type, because of coupling, the electrical phase of quarter -wavelength line and the performance change. For this reason, with the inductive slit and the tuning of quarter-wavelength line length, we have compensated for those. The inductance value of the inserted slit is decided by its width and depth, therefore, we could improve the electrical performance through optimization of inductance. Input and output return losses of the designed power divider were -34.2 dB, -34.3 dB respectively, and isolation was -36.7 dB at 1.75 GHz. Besides, a new design approach reduced occupied substrate area by 3:1 approximately.

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A Study for Frequency Characteristics of Solenoid-Type RF Chip Inductors (크기에 따른 솔레노이드 형태 RF 칩 인덕터의 주파수 특성 연구)

  • Kim, Jae-Wook
    • Journal of IKEEE
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    • v.11 no.4
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    • pp.145-151
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    • 2007
  • In this work, small-size, high-performance solenoid-type RF chip inductors utilizing a low-loss ${Al_2}{O_3}$ core material were investigated. The size of the chip inductors fabricated in this work were $0.86{\times}0.46{\times}0.45m^3$, $1.5{\times}1.0{\times}0.7m^3$, $2.1{\times}1.5{\times}1.0m^3$, and $2.4{\times}2.0{\times}1.4m^3$ and copper (Cu) wire with $27{\sim}40{\mu}m$ diameter was used as the coils. High frequency characteristics of the inductance, quality factor, and impedance of developed inductors were measured using an RF Impedance/Material Analyzer (HP4291B with HP16193A test fixture). It was observed that the developed inductors with the number of turns of 7 have the inductance of 13 to 100nH and exhibit the self-resonant frequency (SRF) of 6.4 to 1.1GHz. The SRF of inductors decreases with increasing the inductance and the inductors have the quality factor of 50 to 80 in the frequency range of 300MHz to 1.3GHz. In this study, small-size solenoid-type RF chip inductors with high inductance and high quality factor were fabricated successfully.

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Design and Crosstalk Analysis of MEMS Probe Connector System (누화 특성 감소를 위한 MEMS 프로브 커넥터 시스템의 설계)

  • Bae, Hyeon-Ju;Kim, Jong-Hyeon;Lee, June-Sang;Pu, Bo;Lee, Jae-Joong;Nah, Wan-Soo
    • The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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    • v.23 no.2
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    • pp.177-186
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    • 2012
  • In this paper, we propose a design method that the crosstalk of probe connector pins satisfy the limitation of -30 dB. The parameters(inductance and capacitance) were extracted in the grid-structured probe connector pin system, and it is shown that the new parameters are easily calculated with increasing ground pin numbers using the previously calculated parameters. In addition, the crosstalk reduction algorithm by employing more grounds around the signal pin has been suggested, and it is confirmed that the suggested method is quite effective especially for the reduction of inductive couplings. Finally, we suggested the correlation between the pitch and the length of the pins to satisfy the crosstalk limitation of -30 dB with the given number of ground pins, which will be quite useful when design a probe connector pin system.

Signal Transmission Properties Improvement of Serial Advanced Technology Attachment Connector Using Analysis of Differential Impedance (차동 임피던스 분석을 사용한 SATA 커넥터의 신호 전달 특성 개선)

  • Yang, Jeong-Kyu;Kim, Moonjung
    • Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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    • v.50 no.2
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    • pp.47-53
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    • 2013
  • In this work, signal transmission properties of SATA connector have been improved using its differential impedance calculation and its design revision to closer impedance matching. Using 3 dimensional electromagnetic field simulator, the differential mode S-parameter was calculated to investigate its signal fidelity. The differential impedance is calculated from the equation of the odd mode impedance with inductance, capacitance, mutual inductance, and mutual capacitance. The differential impedance of SATA connector was calculated to be $107.3{\Omega}$ and did not meet the design specification with $100{\Omega}{\pm}5%$. In order to achieve its impedance range and improve its signal transmission properties, SATA connector's design has been revised with two different directions and analyzed through the calculation of differential impedance, differential reflection loss, and differential insertion loss.

Computer Simulation of A Power Supply Circuit for Continuous-Wave Magnetron (연속파 마그네트론을 구동하는 전원회로의 컴퓨터 시뮬레이션)

  • 김원수;나정웅
    • 전기의세계
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    • v.28 no.2
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    • pp.61-67
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    • 1979
  • 연속파 마그네트론을 구동하는 전원회로에 대하여 컴퓨터 시뮬레이션을 행함으로써, 컴퓨터를 이용한 회로설계 방법을 제시하였다. 철공진변압기는 잘 알려진 T-등가회로보다 비선형 특성을 해석하기에 용이한 .pi.-등가회로를 나타내었다. 변압기 철심의 자화특성은 i=a.phi.+b.phi.$^{7}$ 의 함수로 모델링하였으며, 마그네트론과 다이오드는 구분적직선 모델로 근사화하였다. 해석적 설계방정식으로부터 구한 커패시턴스, 변압기의 누설 인덕턴스 및 권수비의 값들을 사용하여 전원회로에 대한 컴퓨터 시뮬레이션을 행하여서 마그네트론의 전류파형및 평균양극전류의 값들을 얻었다. 이 시뮬레이션 결과를 해석적 계산치 및 실험측정 결과와 비교하였으며 특히 해석적 설계방법의 유효성을 검토하였다.

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Development of High frequency Multi-layered Ceramic Chip Inductor (고주파 적층형 칩 인덕터 개발)

  • 강남기;임욱;유찬세
    • Proceedings of the KAIS Fall Conference
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    • 2001.05a
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    • pp.148-150
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    • 2001
  • 본 논문에서는 소결 후 20 ㎛ 정도의 두께를 갖는 ceramic green sheet를 이용하여 초소형(1005) 칩 인덕터를 제작하였다. 인덕터의 패턴을 최적화함에 있어서 HP사의 HFSS(High Frequency Structure Simulator)를 이용하였고 이 과정에서 인덕터의 전기적 특성, 등가회로등을 추출하였다. 칩 인덕터를 제작함에 있어서 모든 적층 공정을 최적화하였다. 실제 제작한 인덕터와 simulation 결과의 관계성을 도출하고 이를 통해 목표 용량을 tuning하였다. 이와 같은 과정을 통해 1-39 nH의 인덕턴스를 갖는 1005크기의 칩 인덕터를 개발하였고, 이를 선진사의 제품과 비교할 때 우수한 전기적 특성을 나타내었다.

Characteristics Analysis of 4/6 pole High Speed Hybrid SRM (고속 하이브리드 4/6극 SRM의 특성 해석)

  • Ahn, Soo-yong;Jeong, Kwang-il;Ahn, Jin-woo
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2016.11a
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    • pp.111-112
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    • 2016
  • 본 논문에서는 일반적인 스위치드 릴럭턴스 전동기(Switched Reluctance Motor, SRM)의 고정자 철심에 영구자석과 조합된 구조를 가지는 하이브리드형 스위치드 릴럭턴스 전동기(Hybrid SRM, HSRM)을 제안하였다. 제안된 HSRM은 기존 블렌더용 2상 4/2극 SRM의 인덕턴스 및 토크 특성과 비교하였다. 그 결과 제안된 HSRM은 높은 토크 출력 및 소형화가 가능함을 확인하였다.

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