• 한국산학기술학회논문지
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• 제16권7호
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• pp.4918-4924
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• 2015

본 논문은 비가시선 채널 환경에서 이중 편파 안테나를 이용하여 두 명의 사용자에게 데이터를 전송하는 시스템의 전송 용량 향상 방안을 고려한다. 이것을 위해 이 시스템의 멀티캐스트 및 유니캐스트 평균 채널 용량의 상한 분석을 수행하여 평균 채널 용량을 최대화하는 복소 교차 편파 식별도의 조절 조건을 제안한다. 또한 최대 평균 채널 용량에 근접한 성능을 달성하면서 동시에 시스템 복잡도를 줄일 수 있는 복소 교차 편파 식별도 조절 조건 역시 제시한다. 마지막으로 시뮬레이션 기반 성능 검증을 통해 제안한 조절 조건을 이용하는 시스템이 현존하는 복소 교차 편파 식별도 조절 조건을 포함한 다양한 다른 조절 조건을 채용하는 시스템 보다 높은 주파수 이용 효율을 획득할 수 있음을 보인다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권11호
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• pp.804-809
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• 2001

본 논문에서는 광 WDM 멀티홉 네트워크에서 필요한 파장 채널 수를 줄이기 위하여 격행 연결 이중층 셔플넷 방식을 이용한 효과적인 채널 공유 방식과 이를 위한 라우팅 알고리즘을 제안한다. 채널 공유 방법은 2P개의 노드들이 하나의 채널을 공유하게 하는 방법으로써 전체적으로 필요한 파장 수가 기존의 방법에 비하여 줄어들게 된다. 각 열에 있는 노드는 두 개씩 짝을 이루게 하여 각각의 쌍의 번호를 p-진수로 계산하고, 각 쌍의 위에 위치한 노드에는 2-진수의 0을 첨가하고 아래에 위치한 노드에는 2-진수의 1을 첨가하여 각 노드에 대한 주소를 결정한다. 이와 같이 정해진 주소를 이용하여 효과적으로 패킷을 중계하도록 알고리즘을 제안하고 (4, 2) 토폴로지에서의 경로설정 방법을 예를 들어 설명한다.

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제7권4호
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• pp.39-48
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• 2007

Ad hoc 네트워크는 고정된 기지국이나 기반네트워크가 없는 무선 네트워크이다. DUDMAC(dual -channel DMAC) 프로토콜에서, 제어 채널에서의 ORTS와 OCTS는 dearness 문제를 해결하고, 데이터 채널에서의 DDATA와 DACK는 방향성 안테나에 대한 효과적인 블로킹 알고리즘을 사용함으로써 공간 재사용을 향상시킨다. 본 논문에서는 DUDMAC 프로토콜에 전송전력을 제어하는 방식을 적용한 PCDUDMAC(power controlled DUDMAC)프로토콜을 제안한다. PCDUDMAC 프로토콜에서, 데이터 채널에서의 DATA와 DACK의 전력제어는 전송 전력 소모를 최소화하고, 공간 재사용을 증가시킨다. 제안하는 MAC 프로토콜의 성능은 퀄넷(QualNet) 버전 3.8 시뮬레이터를 사용하여 확인하였다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제21권5호
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• pp.67-78
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• 1984

프로팅 게이트 위에 컨트롤 게이트를 갖는 n-채널 이중 다결정 실리콘게이트 EAROM을 제작하였다. 채널 길이는 4-8μm, 채널 폭은 5-14μm로 하여 5μm design rule에 따라 설계하였으며 서로 다른 4가지 컨트롤게이트 구조를 갖는 채널 주입형 기억소자를 얻었다. 그리고 소자의 Punch through 전압과 게이트에 의해 조절되는 채널파괴 전압을 증가시키기 위해 이중 이온주입 (double ion implantation)과 active 영역에 보론이온을 주입 하였다. 프로그래밍을 위해 드레인 전압 및 게이트 전압이 각각 13-l7V 및 20-25V 정도 필요하였다. 그리고 제조된 기억소자의 소거는 광학적 방법뿐 아니라 전기적 방법으로도 가능하였으며 125℃에서 200시간 유지하였을 때 축적된 전자가 약 4 %정도 감소함을 알 수 있었다.

• 한국통신학회논문지
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• 제19권8호
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• pp.1548-1557
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• 1994

본 논문에서는 CPM(continuous phase modulation) 변조방식에 연집 에러 검출및 최대 확률론적 복호방식으로 구성된 연집에러 정정을 위한 이중모드 적응 복호 알고리듬을 제시한다. 이중모드(dual mode) 적응 복호기는 비터비 복호기로 동작하다가, 비터비 복호기에 의해 정정될 수 없는 에러가 검출될 경우 연집 에러 정정모드로 전환되어 복호가 수행된다. 페이딩 채널에서 이중모드 적응 복호 알고리듬과 인터리빙 방식이 같은 메모리의 양을 사용했을 때에, 이중모드 적응 복호기의 성능이 인터리빙을 사용했을 때의 성능 보다 우수함을 알 수 있다. 본 논문의 실험 결과에서 얻어진 성능 향상의 이점 이외에도 이중모드 적응복호 알고리듬을 사용하면 인터리빙 방법을 사용할 때에 발생되는 긴 시간지연의 문제점도 극복할 수 있다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2015년도 추계학술대회
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• pp.863-865
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• 2015

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널 내 도핑농도분포에 대한 드레인유도장벽감소(Drain Induced Barrier Lowering; DIBL)에 대하여 분석하고자한다. DIBL은 드레인 전압에 의하여 소스 측 전위장벽이 낮아지는 효과로서 중요한 단채널 효과이다. 이를 분석하기 위하여 포아송방정식을 이용하여 해석학적 전위분포를 구하였으며 전위분포에 영향을 미치는 채널도핑농도의 분포함수변화에 대하여 DIBL을 관찰하였다. 채널길이, 채널두께, 상하단 게이트 산화막 두께, 하단 게이트 전압 등을 파라미터로 하여 DIBL을 관찰하였다. 결과적으로 DIBL은 채널도핑농도분포함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차에 변화를 나타냈다. 특히 두 변수에 대한 DIBL의 변화는 최대채널도핑농도가 $10^{18}/cm^3$ 정도로 고도핑 되었을 경우 더욱 현저히 나타나고 있었다. 채널길이가 감소할수록 그리고 채널두께가 증가할수록 DIBL은 증가하였으며 하단 게이트 전압과 상하단 게이트 산화막 두께가 증가할수록 DIBL은 증가하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제13권3호
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• pp.225-236
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• 2002

본 논문에서는 동일채널 이중편파를 적용하는 디지털무선중계장치의 직교편파간섭을 제거할 목적으로 직교편파간섭제거기(XPIC)의 이론적 모델링, 디지털 설계를 분석하였다. 또한 유한임펄스응답 여파기를 이용한 복소 시간영역 적응등화기(ATDE)를 설계하고, 이를 이용한 XPIC의 구조 및 제어방법을 ATDE와의 연동하여 제시하였다. XPIC와 ATDE를 연동으로 약 25㏈ 이상의 시그너쳐(signature)와 약 23㏈ 이상의 XPIC 개선인자를 얻을 수 있음을 모의실험으로 보였다. 설계된 직편파간섭제거기의 동작검증을 위해 동일채널 이중편파용의 64-QAM모뎀과 연동하여 탭의 수, 알고리즘의 수렴, 장치의 성능, 직교편파간섭제거기의 개선인자에 대한 결과도 검토하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제26권7호
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• pp.627-635
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• 2015

LTE-Advanced(LTE-A), IEEE802.11ac, 그리고 다중송수신 안테나를 사용하는 레이더 시스템에서 사용할 수 있는 이중계층 차분 동이득 코드북 설계 방법을 제안하고, 성능을 분석한다. 코드북의 코드워드 인자로 M진 위상 편이를 사용하여 단말기에서는 저비용의 전력 증폭기를 사용할 수 있도록 하고, 특히 고출력의 송신 전력을 사용하는 레이더 시스템에서 동이득 전송의 기본 요구사항을 만족시킨다. 차분 코드북은 무선 채널의 시간 상관 특성에 의해 선부호화 행렬 내 양자화된 채널 정보도 천천히 변화하도록 코드북을 설계한다. 이는 시간 상관 특성에 따른 채널 공간 내 일부분 만을 양자화하여 피드백하기 때문에 기존과 동일한 크기의 코드북을 구성해도 가상적으로 보다 정확한 채널정보를 양자화할 수 있어 채널 용량이 증가하는 효과를 갖는다. 제안하는 이중계층 코드북은 LTE 코드북 설계 요구조건을 유지하며, 동이득 전송이 필수인 레이더 시스템에 적용될 뿐만 아니라, 기존의 8진 동이득 코드북보다 향상된 성능을 보인다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제21권6호
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• pp.1069-1074
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• 2017

항복전압의 감소는 채널길이 감소에 의하여 발생하는 심각한 단채널 효과이다. 본 논문에서는 10 nm 이하 채널길이를 갖는 이중게이트 MOSFET에서 채널크기의 변화를 파라미터로 하여 채널도핑에 따른 항복전압의 변화를 고찰하였다. 이를 위하여 해석학적 전위분포에 의한 열방사 전류와 터널링 전류를 구하고 두 성분의 합으로 구성된 드레인 전류가 $10{\mu}A$가 될 때, 드레인 전압을 항복전압으로 정의하였다. 결과적으로 채널 도핑농도가 증가할수록 항복전압은 크게 증가하였다. 채널길이가 감소하면서 항복전압이 크게 감소하였으며 이를 해결하기 위하여 실리콘 두께 및 산화막 두께를 매우 작게 유지하여야만 한다는 것을 알 수 있었다. 특히 터널링 전류의 구성비가 증가할수록 항복전압이 증가하는 것을 관찰하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제16권4호
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• pp.793-798
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• 2012

본 연구에서는 이중게이트(Double Gate; DG) MOSFET에서 채널 내 도핑분포 및 채널구조에 따른 문턱전압이하 전류의존성을 분석하고자 한다. 전위분포를 구하기 위하여 포아송방정식을 풀 때 전하분포는 가우스분포함수를 이용할 것이며 이의 타당성은 이미 여러 논문에서 입증하였다. 이중게이트 MOSFET는 게이트전압에 의한 전류제어능력의 증가로 단채널 효과를 감소시킬 수 있어 문턱전압이하 특성을 향상시킬 수 있다. 문턱전압이하 영역에서 전류제어는 고집적회로에서 소비전력의 감소와 관계된 매우 중요한 요소이다. 게이트전압에 따른 문턱전압이하 전류의 변화를 이용하여 문턱전압의 변화를 정량적으로 분석할 것이다. 문턱전압이하 전류는 채널 내 도핑분포 및 채널크기에 의하여 영향을 받는다. 그러므로 본 연구에서는 채널길이 및 채널두께의 변화가 전류흐름에 미치는 영향을 채널도핑농도, 도핑분포함수 등에 따라 분석할 것이다.