Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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한국정보과학회 1999년도 가을 학술발표논문집 Vol.26 No.2 (3)
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pp.259-261
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1999
본 논문에서는 IMT-2000 시스템에서 공용 채널과 전용 채널을 동시에 사용하는 이중 모드 패킷 전송 방식의 성능을 분석하였다. 공용 채널을 통한 패킷 전송은 랜덤 액세스 방식을 사용한다. 이중 모드 패킷 전송 방식은 전송할 패킷의 길이와 발생 빈도에 따라 공용 채널과 전용 채널을 동시에 사용함으로써 높은 전송 효율을 보장하는 전송 방식이다. 이중 모드 패킷 전송 방식은 전송할 패킷의 크기가 스위칭 문턱값 보다 클 경우 전용 채널을 통해 전송하며 그렇지 않을 경우 공용 채널을 통해 전송을 시도하게 된다. 이중 모드 패킷 전송에서 높은 전송 효율을 보장하기 위해서는 스위칭 문턱값을 적절히 설정하여야 하며 최적의 스위칭 문턱값은 전용 채널을 요청한 후 할당받는데 걸리는 지연 시간, 공용 채널에서 패킷을 전송한 후 ACK를 받는데 걸리는 지연 시간, 전용 채널과 공용 채널의 오류율, 전용 채널과 공용 채널의 수 그리고 발생되는 평균 패킷 길이에 의해 영향을 받는다. 본 논문에서는 이중 모드 패킷 전송 방식에서 트래픽 형태에 따른 최적의 스위칭 문턱값을 시뮬레이션을 통해서 분석하였다.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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한국정보통신학회 2015년도 춘계학술대회
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pp.839-841
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2015
본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널길이와 채널두께의 비에 따른 드레인 유도 장벽 감소 현상의 변화에 대하여 분석하고자한다. 드레인 전압이 소스 측 전위장벽에 영향을 미칠 정도로 단채널을 갖는 MOSFET에서 발생하는 중요한 이차효과인 드레인 유도 장벽 감소는 문턱전압의 이동 등 트랜지스터 특성에 심각한 영향을 미친다. 드레인 유도 장벽 감소현상을 분석하기 위하여 포아송방정식으로부터 급수형태의 전위분포를 유도하였으며 차단전류가 $10^{-7}A/m$일 경우 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상단게이트 전압을 문턱전압으로 정의하였다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 단채널효과를 감소시키면서 채널길이 및 채널두께를 초소형화할 수 있는 장점이 있으므로 본 연구에서는 채널길이와 두께 비에 따라 드레인 유도 장벽 감소를 관찰하였다. 결과적으로 드레인 유도 장벽 감소 현상은 단채널에서 크게 나타났으며 하단게이트 전압, 상하단 게이트 산화막 두께 그리고 채널도핑 농도 등에 따라 큰 영향을 받고 있다는 것을 알 수 있었다.
저궤도위성 관제용 소형안테나시스템의 송수신채널은 저궤도위성의 특성상 안테나구동부의 물리적인 제약조건을 갖으며 이러한 제약조건은 Rotary Joint 포트 수에 의존한다. 다목적 실용위성 5호와 같이 RH 및 LH 편파를 동시 사용하는 위성의 경우 지상안테나의 RF채널은 물리적으로 4포트가 필요하게 된다. 이러한 물리적 채널을 구현하기위해서는 안테나구동부가 대형화될 뿐만 아니라 고비용의 소요된다. 이와 같이 대형화 및 고비용의 단점을 극복하기위하여 Channel Combine Filter를 적용하여 채널이중화를 구현하였으며 단일채널을 갖는 저궤도위성 지상안테나시스템을 RH 및 LH 편파를 동시수신 가능하도록 성능을 개선하였다. 금번 개발된 Channel Combiner는 하나의 물리적 채널을 이용하여 위성으로부터 수신되는 수신신호 및 지상에서 송신하는 송신신호를 동시에 전송하도록 설계한 것으로서 수신되는 신호대비 송신신호의 크기가 상대적으로 고출력이기 때문에 송수신신호간의 간섭영향을 최소화할 수 있도록 설계하였다. 따라서 본 논문에서는 채널이중화를 위하여 개발된 Channel Combiner의 설계방법 및 성능 시험결과에 대하여 상세하게 기술하였으며, 최종적으로 RH 및 LH 편파를 동시에 사용하는 저궤도 위성을 이용한 수신결과에 대하여 기술하였다.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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한국정보통신학회 2015년도 춘계학술대회
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pp.829-831
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2015
본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널길이와 채널두께의 비에 따른 문턱전압 및 전도중심의 변화를 분석하고자한다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 상하단 게이트 전압에 의하여 전류흐름을 제어할 수 있어 단채널효과를 감소시킬 수 있다는 장점이 있다. 그러나 채널길이가 감소하면 필연적으로 발생하는 문턱전압의 급격한 변화는 소자 특성에 커다란 영향을 미치고 있다. 특히 상하단의 게이트 전압, 상하단의 게이트 산화막 두께 그리고 도핑분포변화에 따라 발생하는 전도중심의 변화는 문턱전압을 결정하는 중요 요소가 된다. 해석학적으로 문턱전압 및 전도중심을 분석하기 위하여 해석학적 전위분포를 포아송방정식을 통하여 유도하였다. 다양한 채널길이 및 채널두께에 대하여 전도중심과 문턱전압을 계산한 결과, 채널길이와 채널두께의 비 등 구조적 파라미터뿐만이 아니라 도핑분포 및 게이트 전압 등에 따라 전도중심과 문턱전압은 크게 변화한다는 것을 알 수 있었다.
The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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제26권9A호
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pp.1592-1600
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2001
본 논문에서는 IMT-2000을 위한 이중 모드 패킷 전송 방식에 대한 성능을 분석하고, 동적 임계치 설정을 이용한 이중 모드 패킷 전송 방식을 제안한다. 먼저, 다양한 채널 환경과 트래픽 유형을 고려하여, 공용 채널과 전용채널 간의 모드 전환을 위한 임계치의 변화에 따른 성능의 변화를 고찰하였다. 성능 분석 결과, 채널 환경과 트래픽 형태에 따라서 스위칭 임계치 설정이 매우 중요하며, 성능에 큰 영향을 미치게 된다는 것을 알 수 있었다. 그리고, 이중 모드 방식에서 스위칭 임계치를 동적으로 설정하는 방식을 제안하고 시뮬레이션을 통해 성능을 분석하였다. 제안된 동적 임계치를 사용할 경우에 채널 상황이나 트래픽 특성 변화에 적응적으로 대처할 수 있어, 전반적으로 고정 임계치 방식보다 성능이 크게 개선됨을 알 수 있었다.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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제19권1호
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pp.163-168
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2015
This paper analyzed the deviation of tunneling current for bottom gate voltage of sub-10 nm asymmetric double gate MOSFET. The asymmetric double gate MOSFET among multi gate MOSFET developed to reduce the short channel effects has the advantage to increase the facts to be able to control the channel current, compared with symmetric double gate MOSFET. The increase of off current is, however, inescapable if aymmetric double gate MOSFET has the channel length of sub-10 nm. The influence of tunneling current was investigated in this study as the portion of tunneling current for off current was calculated. The tunneling current was obtained by the WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin) approximation and analytical potential distribution derived from Poisson equation. As a results, the tunneling current was greatly influenced by bottom gate voltage in sub-10 nm asymmetric double gate MOSFET. Especially it showed the great deviation for channel length, top and bottom gate oxide thickness, and channel thickness.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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제19권6호
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pp.1399-1404
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2015
This paper analyzed the phenomenon of drain induced barrier lowering(DIBL) for the ratio of channel length vs. thickness of asymmetric double gate(DG) MOSFET. DIBL, the important secondary effect, is occurred for short channel MOSFET in which drain voltage influences on potential barrier height of source, and significantly affects on transistor characteristics such as threshold voltage movement. The series potential distribution is derived from Poisson's equation to analyze DIBL, and threshold voltage is defined by top gate voltage of asymmetric DGMOSFET in case the off current is 10-7 A/m. Since asymmetric DGMOSFET has the advantage that channel length and channel thickness can significantly minimize, and short channel effects reduce, DIBL is investigated for the ratio of channel length vs. thickness in this study. As a results, DIBL is greatly influenced by the ratio of channel length vs. thickness. We also know DIBL is greatly changed for bottom gate voltage, top/bottom gate oxide thickness and channel doping concentration.
Proceedings of the Korean Society of Broadcast Engineers Conference
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한국방송공학회 2005년도 학술대회
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pp.113-116
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2005
본 논문은 DOCSIS(Data Over Cable Service Interface Specifications)를 기반으로 하는 디지털 CATV(Cable TV)의 케이블 모뎀에서 적용이 가능한 이중모드 등화기의 모의실험 결과에 관한내용이다. 케이블 모뎀의 등화기는 훈련심벌이 없으므로 수신된 심벌을 가지고 채널을 보상하며 처음에는 블라인드 모드로 동작하다가 특정한 임계값보다 작을 경우 결정 지향 모드로 동작하는 이중모드구조를 가진다. 본 논문에서 AWGN과 rummler 채널을 사용하였으며, 64QAM과 256QAM에 대해 rummler 채널의 반사파 이득을 변화해 가면서 케이블 모뎀의 BER(Bit Error Rate)를 모의실험하였다. 또한 이중모드 등화기의 탭 수를 변화해 가면서 케이블 모뎀의 BER을 조사하였으며 fractionally spaced 이중모드 등화기와 symbol spaced 이중모드 등화기의 BER을 조사하였으며 FBF(Feedback Filter)의 유무에 따른 BER도 조사하였다.
Hah, Ki-Jong;Yoo, Seung-Sik;Lim, Sang-Min;Kim, Brian
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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제11권4호
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pp.833-839
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2007
In case of wireless sensor networks being applied to a target environment having continuous data transfer, high-speed data transmission and processing is necessary to meet increased bandwidth needs. This paper proposes a novel multipath routing algorithm to increase the bandwidth of continuous data stream for the wireless sensor network using dual channel routers. We evaluate performance of the proposed algorithm in the wireless sensor network using the dual channel touter based on ZigBee protocol. According to the experimental evaluation, the proposed algorithm showed outstanding performance enhancement with the bandwidth of 150kbps, which is about twice of existing single channel router.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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제17권6호
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pp.1409-1413
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2013
This paper analyzed the change of subthreshold current for channel doping concentration of double gate(DG) MOSFET. Poisson's equation had been used to analyze the potential distribution in channel, and Gaussian function had been used as carrier distribution. The potential distribution was obtained as the analytical function of channel dimension, using the boundary condition. The subthreshold current had been analyzed for channel doping concentration, and projected range and standard projected deviation of Gaussian function. Since this analytical potential model was verified in the previous papers, we used this model to analyze the subthreshold current. As a result, we know the subthreshold current was influenced on parameters of Gaussian function and channel doping concentration for DGMOSFET.
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