• 한국항해항만학회:학술대회논문집
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• 한국항해항만학회 2012년도 추계학술대회
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• pp.191-193
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• 2012

서비스산업 육성을 통한 신규 일자리 창출방안의 모색에 정책적 관심이 크게 집중되면서 해양레저활성화와 더불어 친수문화 확산차원에서 마리나산업의 육성을 위한 다양한 대책들이 발표되었다. 국내 마리나시설들의 이용 및 관리여건은 초보적 수준에 머물러 있다. 이에 본 연구에서는 마리나산업 육성을 위한 국가 정책과 연계하여 국내 마리나항만의 관리여건 검토와 해외사례 분석을 토대로 마리나항만의 이용활성화를 위한 관리제도 개선방안을 제안하였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.227-227
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• 2003

흑연(graphite), 석탄(coal), 숯(char), soot(검댕이) 등의 탄소로 이루어진 재료들은 비정질부터 완전한 흑연결정까지 다양한 구조를 나타낸다. 이러한 탄소재료의 구조의 출발물질 뿐 아니라 열처리에 따라 강한 영향을 받는다 이러한 구조는 여러 구조인자에 의해 특성화되는데, 구조인자로는 층간거리 d, 결정립 크기 Lc 그리고 결정립 직경 La이다. 이런 구조 인자의 지식은 흑연화, 탄소화, 가스화 등과 같은 다양한 공정을 이해하는데 매우 중요하다. 많은 연구자들은 XRD, Raman 분광, 고분해능 TEM 등과 같은 여러 기술을 통하여 이러한 구조인자에 대한 해석을 시도하였다. 그 중 XRD는 정량적 분석에 있어서 가장 많이 이용되는 기술이다. XRD 회절피크의 위치로부터 층간거리 d를 구할 수 있으며, 결정립 크기 Lc 및 결정립 직경 La는 피크의 line 퍼짐(반가폭)으로 직접 구할 수 있다. 한편 섬유상 흡착제로 이용되는 등방성 탄소섬유는 이산화탄소 또는 수증기에 의해 쉽게 활성화되어 최고 약 2,500 $m^2$/g의 고 비 표면적을 얻을 수 있다. 이렇게 활성화 후 고 비표면적을 나타내는 이유는 좁은 분포를 나타내는 미세기공의 기공구조 때문에 발생하는 것으로 알려져 있다.

• 한국지반환경공학회 논문집
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• 제9권3호
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• pp.45-50
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• 2008

본 연구는 스테인레스 스틸망에 페놀수지와 셀룰로즈를 이용한 활성탄소 망의 제조에 관한 것이다. 본 연구에서 활성화제로는 $ZnCl_2$를 사용하였다. $ZnCl_2$을 이용한 회화학적 활성화 방법은 활성탄소에게 많은 공극을 제공하는 것으로 일려져 있다. 본 연구의 목적은 스테인레스 스틸망과 페놀수지를 이용한 활성탄소망의 제조에 관한 최적의 조건을 찾아내는 것이다. 활성화온도가 $450^{\circ}C$이상에서 요오드 흡착능이 높았으며, 페놀수지만을 금속 지지체에 입힌 경우 활성화온도 $550^{\circ}C$와 $ZnCl_2$ 농도 15%, 페놀수지 농도 20% 일 때 요오드 흡착능이 657mg/g로 측정되었다. 페놀수지 에 셀룰로즈를 첨가 하였을 경우, 활성화 $550^{\circ}C$와 $ZnCl_2$농도 15%, 셀룰로즈함량 10%에서 요오드 흡착량이 1359.4mg/g을 나타내었다.

• 한국동물번식학회:학술대회논문집
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• 한국동물번식학회 2003년도 학술발표대회 발표논문초록집
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• pp.68-68
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• 2003

오늘날 형질전환동물의 생산과 같은 생명공학기술의 발달로 인하여 우리나라 재래산양은 그 모델동물로서 번식 생리학적으로 매우 중요한 가치를 지니고 있을 뿐만 아니라 고유의 유전자원 보존 측면에서도 산양복제와 같은 다양한 연구가 절실히 요구된다. 따라서 본 연구에서는 이러한 생명공학기술의 기초자료를 제공하고자 난포란의 활성화 방법과 단위발생란의 체외발달율을 조사하였다. 성숙한 미경산 재래산양을 공시동물로 하여 CIDR를 이용하여 발정동기화를 시켰으며, 과배란 처리는 FSH와 hCG를 이용하여 과배란 처리를 실시하였고 난포란의 회수는 외과적 방법으로 개복하여 난소의 난포로부터 난자와 난포액을 흡입하여 회수하였다 난포란의 활성화 처리는 전기자극법과 약물처리 방법을 사용하였으며, 전기자극방법은 DC 2.36㎸/cm, 17$\mu$sec 전압으로 1회 전기자극을 가하여 활성화를 유도하였으며, 약물처리법은 5$\mu\textrm{g}$/$m\ell$의 ionomycin 용액에서 5min, 1.9mM 6-DMAP용액에서 4시간동안 처리하여 활성화를 유도하였다. 단위발생란의 배양은 10% GS(goat serum)가 첨가된 M16 배양액과 10% FBS가 첨가된 TCM-199 배양액에서 난관상피세포와 6~7일동안 공배양을 실시하면서 체외발달율을 조사하였다. 활성화 방법에 따른 체외발달율은 전기자극 및 약물처리를 하였을때 분할율은 3.1% 및 67.9%였으며, 상실배 및 배반포로의 발달율은 0% 및 7.9%였다. 단위발생란의 체외 발달율은 10% GS가 첨가된 M16 배양액을 사용하였을 때 분할율은 68.0%였으며, 이중 12.0%가 상실배 또는 배반포로 발달하였다. 뿐만 아니라 10% FBS가 첨가된 TCM-199 배양액에 난관상피세포와 공배양을 실시하였을 경우는 72.0%가 분할하였으며, 이중 16.7%가 상실배 또는 배반포로 발달하였다. 이상의 결과로 볼 때 활성화 처리는 ionomycin과 6-DMAP 용액처리가 적합하며, 단위발생란의 체외배양은 보다 적합한 배양조건의 확립이 필요한 것으로 생각된다.

• 한국진공학회지
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• 제17권2호
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• pp.113-116
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• 2008

반도체 소자 집적도의 비약적인 발전으로 인하여 반도체 공정은 더욱 다층화 되어가고 있다. 이러한 다층화 공정에서는 필수적으로 여러 단계의 패턴을 형성하기 위하여 Photoresist(PR)를 이용한 식각 공정을 사용하게 된다. 이러한 식각 공정에서 다단계 식각 공정으로 인한 공정시간 증가와 식각 후 남은 잔여 PR residue는 초고집적화된 현 반도체 산업에서는 소자에 치명적인 문제를 발생시킨다. 따라서 본 연구에서는 기존 PR strip 용액을 플라즈마에 의하여 액체 상태로 활성화하여 기존의 건식세정법과 습식세정법을 동시에 사용하여 PR을 효과적으로 제거하기 위한 방법을 연구하였다. 플라즈마에 의하여 약액을 활성화하기 위하여 먼저 플라즈마 약액활성화를 위한 장치를 simulation하여 실험 장치에서 균일한 gas흐름을 확인하였다. 이후 플라즈마의 세기를 0V에서 100V까지 증가시켜 약액을 활성화한 후 PR을 strip하여 각 플라즈마 세기에서의 식각률을 조사하였으며 80V에서 가장 빠른 식각률을 나타났다. 또한 0V와 80V의 Dilution에 대한 영향을 확인하였으며 약액을 Dilution 후에도 식각률은 더욱 향상됨을 확인할 수 있었다. 이러한 세정 시간의 단축은 여러 단계의 식각 공정 시간을 단축하여 반도체 공정에서 소자 생산을 위한 시간을 단축하게 된다. 또한 각 세정공정마다 증가한 세정 공정으로 인하여 세정액의 사용이 많아져 세정액 폐수로 인한 환경문제가 심각해지고 있다. 세정 약액 활성화 방법을 사용함으로써 세정액의 절감효과가 나타난다.

• 한국도서관정보학회지
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• 제49권3호
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• pp.241-261
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• 2018

본 연구는 병영도서관 이용자의 인식 및 이용 행태, 만족도, 그리고 '진중문고'의 활용성 등을 조사함으로서 병영도서관 서비스의 현황과 장병들의 독서 증진 및 병영도서관 이용 활성화 방안을 제안하였다. 이를 위해 육군, 해군, 공군 병영도서관 이용자를 대상으로 설문조사를 실시하였다. 조사결과, 장병들은 새로운 지식 및 정보를 얻고 교양을 쌓기 위하여 독서를 한다는 응답이 가장 높았으며, 선호하는 독서 분야는 일반소설, 시, 만화, 무협지 및 판타지 소설 등의 순으로 나타났다. 군부대 내에서 장병들의 독서를 장려하기 위해서는 병영도서관 장서의 다양함과 양적 확충이 가장 필요한 것으로 나타났으며, 장병들은 소설, 시, 입시 및 취업 대비서 등에 대한 도서의 확충을 가장 희망하는 것으로 나타났다. 또한 병영도서관의 이용률과 독서에 대한 관심을 높이기 위해서는 장병들의 병영도서관 및 도서에 대한 접근성 및 도서관 이용 시간 확대 방안 등의 필요성이 제기되었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.66-66
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• 1999

최근 들어 다결정 SiGe은 MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)에서 기존에 사용되던 다결정 Si 공정과의 호환성 및 여러 장점으로 인하여 다결정 Si 대안으로 많은 연구가 진행되고 있다. 고농도로 도핑된 P type의 다결정 SiGe은 Ge의 함량에 따른 일함수의 조절과 낮은 비저항으로 submicrometer CMOS 공정에서 게이트 전극으로 이용하려는 연구가 진행되고 있으며, 55$0^{\circ}C$ 이하의 낮은 온도에서도 증착이 가능하고, 도펀트의 활성화도가 높아서 TFT(Thin Film Transistor)에서도 유용한 재료로 검토되고 있다. 현재까지 다결정 SiGe의 증착은 MBE, APCVD, RECVD. HV/LPCVD 등 다양한 방법으로 이루어지고 있다. 이중 HV/LPCVD 방법을 이용한 증착은 반도체 공정에서 게이트 전극, 유전체, 금속화 공정 등 다양한 공정에서 사용되고 있는 방법으로 현재 사용되고 있는 반도체 공정과의 호환성의 장점으로 다결정 SiGe 게이트 전극의 증착 공정에 적합하다고 할 수 있다. 본 연구에서는 HV/LPCVD 방법을 이용하여 게이트 전극으로의 활용을 위한 다결정 SiGe의 증착 메카니즘을 분석하고 Ex-situ implantation 후 열처리에 따라 나타나는 활성화 정도를 분석하였다. 도펀트를 첨가하지 않은 다결정 SiGe을 주성엔지니어링의 EUREKA 2000 장비를 이용하여, 1000$\AA$의 열산화막이 덮혀있는 8 in 웨이퍼에 증착하였다. 증착 온도는 55$0^{\circ}C$에서 6$25^{\circ}C$까지 변화를 주었으며, 증착압력은 1mtorr-4mtorr로 유지하였다. 낮은 증착압력으로 인한 증착속도의 감소를 방지하기 위하여 Si source로서 Si2H6를 사용하였으며, Ge의 Source는 수소로 희석된 10% GeH4와 100% GeH4를 사용하였다. 증착된 다결정 SiGe의 Ge 함량은 RBS, XPS로 분석하였으며, 증착된 박막의 두께는 Nanospec과 SEM으로 관찰하였다. 또한 Ge 함량 변화에 따른 morphology 관찰과 변화 관찰을 위하여 AFM, SEM, XRD를 이용하였으며, 이온주입후 열처리 온도에 따른 활성화 정도의 관찰을 위하여 4-point probe와 Hall measurement를 이용하였다. 증착된 다결정 SiGe의 두게를 nanospec과 SEM으로 분석한 결과 Gem이 함량이 적을 때는 높은 온도에서의 증착이 더 빠른 증착속도를 나타내었지만, Ge의 함량이 30% 되었을 때는 온도에 관계없이 일정한 것으로 나타났다. XRD 분석을 한 결과 Peak의 위치가 순수한 Si과 순수한 Ge 사이에 존재하는 것으로 나타났으며, ge 함량이 많아짐에 따라 순수한 Ge쪽으로 옮겨가는 경향을 보였다. SEM, ASFM으로 증착한 다결정 SiGe의 morphology 관찰결과 Ge 함량이 높은 박막의 입계가 다결정 Si의 입계에 비해 훨씬 큰 것으로 나타났으며 근 값도 증가하는 것으로 나타났다.

• 한국비블리아학회지
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• 제31권3호
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• pp.191-211
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• 2020

본 연구는 시각장애인들의 독서보조기기를 이용한 정보접근에서 발생하는 한계와 문제점 등을 확인하고, 이를 기반으로 독서보조기기를 이용한 대체자료 이용 활성화 방안을 제안하는데 주된 목적을 두고 있다. 이를 위해 시각장애인 성인을 대상으로 설문조사를 수행하였으며, 설문 분석 결과를 통해 독서보조기기의 이용을 활성화하는데 있어서의 제한요인을 여섯 가지 측면으로 도출하였다. 도출한 제한요인을 중심으로 독서보조기기 이용 활성화를 위한 방안을 정책적, 운영적 측면으로 구분하여 제안하였다. 정책적 측면에서는 저가의 독서보조기기 개발, 독서보조기기 지원 정책에 대한 인지도 제고, 독서보조기기 적용성 향상을 위한 웹 표준 지침 준수 방안을 제안하였으며, 운영적 측면에서는 시각 이외에 청각 활용 기능의 보강, 독서보조기기 활용 관련 정보서비스 확충, 독서보조기기의 휴대성 강화 등을 제안하였다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2011년도 춘계학술대회 초록집
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• pp.114.2-114.2
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• 2011

비정질 실리콘 박막 태양전지연구에 일반적으로 사용되고 있는 ASA (Advanced Semicon ductor Analysis) simulation을 이용하여 TCO/p에 삽입될 버퍼층의 최적 구조를 설계해보았다. 기본적인 p,i,n층 단일막 data 값을 고정시켜 버퍼층의 광학적 밴드갭을 1.75~1.95eV, 활성화 에너지를 0.3~0.4eV, 두께를 5~15nm로 가변해 보았다. 첫 번째로 동일한 활성화 에너지를 갖는 버퍼층의 광학적 밴드갭을 증가 시켰을 경우 built-in potential이 증가하였으며 이는 개방전압의 증가로 이어졌다. 두 번째로 활성화 에너지가 작은 경우 큰 경우에 비하여 Conduction-band와 Fermi-level의 차이가 증가 하게 되어 활성화 에너지가 큰 경우에 비해 높은 built-in potential을 얻을 수 있었다. 또한 버퍼층과 p층의 접합부분에서의 barrier가 활성화 에너지의 차이를 줄일수록 감소 함 을 알 수 있었다. 장벽의 감소로 정공의 흐름을 방해하는 요소가 줄어들었고 효율도 증가하였다. 마지막으로 버퍼층 두께가 두꺼워 질수록 박막 내에서 빛 흡수가 많아지게 되어 광 흡수층으로 가야할 빛의 양이 줄어들게 되어 단락전류값이 감소하는 것을 알 수 있었다. Simulation결과 버퍼층의 광학적 밴드갭이 1.95eV로 크고 활성화 에너지가 0.3eV이하로 p층에 비하여 낮으며 두께가 5nm로 얇을수록 좋다는 결과를 알 수 있었다.

• 프린팅코리아
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• 통권3호
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• pp.174-177
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• 2002

'발 없는 말이 천리를 간다.' 파발이나 봉화가 활성화되기 이전에 입 소문을 경계하기 위해 생겨난 이 말은 이제 구식이 된지 오래다. 인터넷을 통해서 천리도 마다하고 지구를 한바퀴 돌고도 남을 만큼 말이나 문서의 전달 속도가 빠르고 넓어졌기 때문이다. 하지만 인터넷이 활성화되기 전인 1980년대 이전만 해도 천리를 가는 말의 구실을 톡톡히 해 낸 것은 다름 아닌 편지와 우표. 인터넷을 통한 e-mail이 활성화 됐다지만 부끄러운 님한테 말못할 사연을 전하기엔 편지가 제격이다. 지난 8월2일부터 11일까지 코엑스에서 열린 "필라코리아세계우표전시회"에는 세계 각 국가의 문화와 정성이 담긴 우표를 구경하기 위한 인파로 물셀 틈이 없었다. 단순한 소식 전달을 넘어 열렬 취집가들까지 생겨난 우표의 탄생과 비화를 모아봤다.