• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
• /
• v.41 no.1
• /
• pp.15-20
• /
• 2004

The interfacial layer between the oxide film and the metal film according to RTP annealing temperature of metal film has been studied. Two types of oxides, BPSG and PETEOS, were used as a bottom layer under multi-layered metal films. We observed the interface between oxide and metal films using SEM (scanning electron microscopy), TEM (transmission electron microscopy), AES (auger electron spectroscopy). Bonding failure was occurred by interfacial reaction between the BPSG oxide and the multi-layered metal films above $650^{\circ}C$ RTP anneal. The phosphorus accumulation layer was observed at interface between BPSG oxide and metal films by AES and TEM measurements. On the other hand, bonding was always good in the sample using PETEOS oxide as a bottom layer. We have known that adhesion between BPSG and multi-layered metal films was improved when the sample was annealed below $650^{\circ}C$.

• Clean Technology
• /
• v.19 no.4
• /
• pp.453-458
• /
• 2013

Fly ash has capacity to oxidize or adsorb mercury in a flue gas. Mercury oxidation and adsorption efficiencies of fly ash vary depending on the properties of fly ash. This study was designed to understand reaction characteristics of mercury with fly ash components. The fly ash components were tested to determine their oxidation and adsorption capabilities for elemental mercury and oxidized mercury. A sample was synthesized with fly ash components and tested. The test results were compared with those of the fly ash sample obtained from a coal-fired power plant. $Fe_2O_3$, CuO and carbon black showed higher oxidation or adsorption efficiency for elemental mercury while CaO, MgO, CuO and carbon black showed higher adsorption efficiency for mercury chloride. In addition, the synthesized sample showed comparable mercury oxidation and adsorption efficiencies to the fly ash sample.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 1999.07a
• /
• pp.151-151
• /
• 1999

금속-산화막-반도체(MOS) 소자를 이용하는 집적회로의 발전은 게이트 금속의 규격 감소를 필요로 한다. 규격감소에 따른 저항 증가가 중요한 문제점으로 대두되었으며, 그동안 여러 연구자들에 의하여 금속 게이트에 관련된 연구가 진행되어 왔다. 특히 저항이 낮으며 녹는점이 매우 높은 내화성금속(refractory metal)인 텅스텐(tungsten, W)이 차세대 MOS 소자의 유력한 대체 게이트 금속으로 제안되었다. 텅스텐은 스퍼터링(sputtering)과 화학기상 증착(CVD) 방식을 이용하여 성장시킬 수 있다. 스퍼터링에 의한 텅스텐 증착은 산화막과의 접착성은 우수한 반면에 증착과정 동안에 게이트 산화막(SiO2)에 손상을 주어 게이트 산화막의 특성을 열화시킬 수 있다. 반면, 화학기상 증차에 의한 텅스텐 성장은 스퍼터링보다 증착막의 저항이 상대적으로 낮으나 산화막과의 접착성이 좋지 않은 문제를 해결하여야 한다. 본 연구에서는 감압 화학기상 증착(LPCVD)방식을 이용하여 텅스텐 게이트 금속을 100~150$\AA$ 두께의 게이트 산화막(SiO2 또는 N2O 질화막)위에 증착하여 물리 및 전기적 특성을 분석하였다. 물리적 분석을 위하여 XRD, SEM 및 저항등이 증착 조건에 따라서 측정되었으며, 텅스텐 게이트로 구성된 MOS 캐패시터를 제작하여 절연 파괴 강도, 전하 포획 메커니즘 등과 같은 전기적 특성 분석을 실시하였다. 특히 텅스텐의 접착성을 증착조건의 변화에 따라서 분석하였다. 텅스텐 박막의 SiO2와의 접착성은 스카치 테이프 테스트를 실시하여 조사되었고, 증착시의 기판의 온도에 민감하게 반응하는 것을 알 수 있었다. 또한, 40$0^{\circ}C$ 이상에서 안정한 것을 볼 수 있었다. 텅스텐 박막은 $\alpha$ 및 $\beta$-W 구조를 가질 수 있으나 본 연구에서 성장된 텅스텐은 $\alpha$-W 구조를 가지는 것을 XRD 측정으로 확인하였다. 성장된 텅스텐 박막의 저항은 구조에 따라서 변화되는 것으로 알려져 있다. 증착조건에 따른 저항의 변화는 SiH4 대 WF6의 가스비, 증착온도에 따라서 변화하였다. 특히 온도가 40$0^{\circ}C$ 이상, SiH4/WF6의 비가 0.2일 경우 텅스텐을 증착시킨 후에 열처리를 거치지 않은 경우에도 기존에 발표된 저항률인 10$\mu$$\Omega$.cm 대의 값을 얻을 수 있었다. 본 연구를 통하여 산화막과의 접착성 문제를 해결하고 낮은 저항을 얻을 수 있었으나, 텅스텐 박막의 성장과정에 의한 게이트 산화막의 열화는 심각학 문제를 야기하였다. 즉, LPCVD 과정에서 발생한 불소 또는 불소 화합물이 게이트의 산화막에 결함을 발생시킴을 확인하였다. 향후, 불소에 의한 게이트 산화막의 열화를 최소화시킬 수 있는 공정 조건의 최저고하 또는 대체게이트 산화막이 적용될 경우, 개발된 연구 결과를 산업체로 이전할 수 있는 가능성이 높을 것을 기대된다.

• Journal of the Korea Concrete Institute
• /
• v.21 no.5
• /
• pp.581-588
• /
• 2009

An amount of electric arc furnace slag, by-products generated in iron manufacture, is being increased. Therefore, it is required to recycle the electric arc furnace slag. Currently, it is possible to use the electric arc furnace slag as the aggregates of the concrete through the insurance of volume stability but not in the past because of the expansibility of f-CaO and f-MgO. In this study, simple beam tests via Ichinose method were performed to estimate the bond properties of reinforced concrete (RC) beams using the electric arc furnace slag. The results of the test showed that the showed that specimens using the electric arc furnace oxidizing slag aggregates have similar or more bond capacity relative to the specimen of natural aggregates. Especially, bond capacity of the specimens using the slag aggregates was almost one and a half times higher than a specimen using natural aggregates.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
• /
• v.27 no.10
• /
• pp.106-112
• /
• 1990

The progress of oxidation of a porous silicon layer(PSL) was studied by examining the temperature dependence of the oxidation and the infrared absorption spectra. Thick OPSL(oxidized porous silicon layer). which has the same properties as thermal $SiO_{2}$ of bulk silicon, is formed in a short time by two steps wet oxidation of PSL at $700^{\circ}C$, 1 hr and $1100^{\circ}C$, 1 hr. Etching rate, breakdown strength of the OPSL are strongly dependent on the oxidation temperature, oxidation atmosphere. And its breakdown field was ${1\MV/cm^-2}$ MV/cm The oxide film stress was determined through curvature measurement using a dial gauge. During oxidation at temperature above $1000^{\circ}C$ in dry $O_{2}$, stress on the order of ${10^9}\dyne/{cm^2}{-10^10}\dyne/{cm^2}$ are generated in the OPSL.

• Journal of the Korean Electrochemical Society
• /
• v.13 no.3
• /
• pp.163-168
• /
• 2010

Effects of Cetyl Trimethyl Ammonium Bromide (CTAB), which is a kind of cationic surfactants, and Sodium Dodecyl Sulfate (SDS), which is a kind of anionic surfactants on the anodic formation of nanoporous niobium oxide were compared. The addition of SDS could protect the surface from dissolution for long time, leading to the formation of niobium oxide with a double thickness (~400 nm) compared to that prepared without surfactant, whereas dissolution seriously occurred in the solution containing CTAB. The different behaviors were attributed to the interaction between the surfactants with positive (or negative) charge and positively charged niobium oxide.

• Applied Chemistry for Engineering
• /
• v.30 no.2
• /
• pp.151-154
• /
• 2019

We report the effective fabrication processes for more practical monolith catalysts consisting of washcoated alumina on a cordierite honeycomb monolith (CHM) and iron oxides nanoparticles in the alumina prepared by a simple dry coating method. It is confirmed that iron oxide nanoparticles were well deposited into the mesopore of washcoated alumina which is formed on the corner wall of honeycomb channel, and the effect of annealing temperature was evaluated for carbon monoxide oxidation catalysts. $Fe_2O_3/{\gamma}-Al_2O_3/CHM$ catalysts annealed at $350^{\circ}C$ exhibited the most enhanced catalytic activity, 100% conversion efficiency at more than $200^{\circ}C$ operating temperature.

• Journal of Sensor Science and Technology
• /
• v.8 no.3
• /
• pp.265-273
• /
• 1999

Various oxide films are commonly used as a sacrificial layer or etch mask in the fabrication of microelectromechanical systems (MEMS). Large residual strain of these oxide films causes the wafer to bow, which can have detrimental effects on photolithography and other ensuing processes. This paper investigates the residual strain of tetraethoxysilane (TEOS), low temperature oxide (LTO), 7 wt% and 10 wt% phosphosilicate glass (PSG). Euler beams and a bent-beam strain sensor are used to measure the residual strain. A poly silicon layer is used as the sacrificial layer, which is selectively etched away by $XeF_2$. First, the residual strain of as-deposited films is measured, which is quite large. The residual strain of the films is also measured after annealing them not only at $500^{\circ}C$, $600^{\circ}C$, $700^{\circ}$ and $800^{\circ}C$ in $N_2$ environment for 1 hour but also at the conditions for depositing a $2\;{\mu}m$ thick polysilicon at $585^{\circ}C$ and $625^{\circ}C$. Our results show that the 7 wt% PSG is best suited as the sacrificial layer for $2\;{\mu}$ thick polysilicon processes.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
• /
• v.8 no.3
• /
• pp.424-430
• /
• 1998

Film characteristics of thin ONO dielectric layers for MONOS (metal-oxide-nitride-oxide-semiconductor) EEPROM was investigated by AES, SIMS, TEM and AFM. The ONO films with different dimension of tunneling oxide, nitride, and blocking oxide were fabricated. During deposition of the LPCVD nitride films on tunneling oxide, this thin oxide was nitrized. When the blocking oxide were deposited on the nitride film, the oxygen not only oxidized the nitride surface, but diffused through the nitride. The results of ONO film analysis exhibits that it is made up of $SiO_2$(blocking oxide)/O-rich SiOxNy (interface)/ N-rich SiOxNy(nitride)/O-rich SiOxNy(tunneling oxide). In addition, the SiON phase is distributed mainly near the tunneling oxide/nitride and nitride/blocking oxide interfaces, and the $Si_2NO$ phase is distributed mainly at nitride side of each interfaces and in tunneling oxide.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
• /
• 2009.05a
• /
• pp.57.1-57.1
• /
• 2009

나노이산화티타늄은 인체에는 화장품, 의약, 식품분야 등에 쓰이고 외부 환경 재료에는 광촉매로서 유독가스 정화제, 옥내 외 항균, 수소발생 가시광 응답형 촉매 및 멤브레인 필터 등과 전자소재용 유전재료, 발광 재료 등 용도가 다양하다. 나노 산화티타늄 화합물의 제조법은 수열합성법, 기상법 등 여러 방법이 있다. 이들에 대한 리뷰의 목적은 2009년도 정부의 투자 계획 중에서 본제목에 관련되는 핵심 산업 재원 원천기술 개발, 태양광, 풍력 등의 신재생 에너지 개발, 록색 기술 개발을 통한 에너지절약형 LED 개발, 차세대 핵심환경 기술 개발, 핵심나노기반기술개발 등의 개발을 위하여 4,363억 원의 예산을 편성하고 연구자와 기술자들이 참여하여 유익한 실적이 창출되기를 원하고 있으므로 본 발표자들은 이 분야에서 연구하는 연구자와 기술자들에게 이 분야에 관련되는 자료를 참고로 제시하는데 있다. 페로브스카이트형 산화물인 유전재료($BaTiO_3$), 발광재료(CaTiO3:Pr3+적색), 박막형 반응기재료($Ca0.8Sr0.2TiO_3$), 등의 여러 가지 산화물은 류통식 급속 승온 수열 합성법, 겔 졸 법, 수열 합성법 등 여러 방법에 의하여 페로브스카이트형 산화물 입자 직경이 약 20nm~100nm 범위까지 합성된다. 태양광을 조사하여 물을분해 해서 수소를 생산하는 산화티타늄계 가시광 응답형 Vis-$TiO_2$ 박막은 기상법으로 제조하는데 한 예로써 RF 스퍼터링법으로 박막을 제조하여 수소와 산소를 회수하였으며, 황도프산화티타늄, 질소 도프 산화티타늄은 유기물 분해에 의한 공해제거, $NO_x$ 제거 등 환경정화에 사용되고, 고온 고압수법/산화티타늄 복합기술에 의해서는 바이오매스 분해 하고, 일종의 수열법인 개량형 HyCOM 법은 가시광 응답성 산화티타늄을 합성하여 NO가스 제거에 사용한다. 이들 여러 방법에 관한 것을 소개하고저 한다.