• 응용통계연구
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• 제12권1호
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• pp.191-202
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• 1999

본 논문에서는 n명의 judge들이 k개의 object들에 대해 순위를 부여하는 경우 얻어질수 있는 불완전 순위자료에서 object효과들이 같은지에 대한 검정법을 제안하고 컴퓨터 프로그램없이 쉽게 구현할수 있는 효과적인 알고리즘을 개발하였다. 그리고 기존의 평균순위법과 Monte Carlo 연구를 통하여 검정력을 비교하였다.

• 기계저널
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• 제33권12호
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• pp.1069-1075
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• 1993

측정기술이 발달함에 따라 실제 연소시스템에서 직접 응용할 수 있고, 시공간적으로 해상도가 높고 유동장과 온도장을 교란하지 않는 방법이 요구되고 있다. 이 글에서는 2장에서 광학적 방 법을 이용한 입자의 크기 측정법을 살펴보고, 3장에서는 광학적 방법을 이용한 온도의 측정법에 대하여 설명하고자 한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.335-335
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• 2012

III-V 족 반도체 물질 중, GaN는 넓은 밴드갭을 가지고 있어 발광 다이오드나 레이저 다이오드, 트랜지스터, 스핀트로닉스 등의 응용에 유용한 물질이다 [1]. 실시간 성장 제어 및 최적화된 특정 소자 응용을 위해서는 GaN의 다양한 온도에 대한 유전율 함수 정보가 필수적이다. 편광분석법을 이용한 상온에서의 hexagonal GaN 유전율 함수는 이미 여러 연구에서 보고되었고, 80~650 K 사이의 온도 범위에 대한 언구도 수행되었다 [2,3]. 그러나, 온도변화에 대한 GaN 유전율 함수와 $E_0$ 전이점에 대한 해석은 부정확하다. 따라서 본 연구에서는 사파이어 기판 위에 분자살박막증착장치를 이용하여 c-축 방향 (0001)으로 성장 시킨 hexagonal GaN를 0.74~6.42 eV 에너지 구간에서 보다 확장된 온도 영역(26~693 K)의 유전율 함수를 편광분석법을 이용하여 측정하였다. 측정된 GaN의 유전율 함수를 회기분석법을 통한 2차 미분 표준해석법을 이용해 분석 하였고, 그 결과 $E_0$와 excitonic $E_0$ 전이점을 명확히 얻을 수 있었다. 온도가 감소함에 따라 격자상수 및 전자-포논 상호작용이 감소하여 전자 전이점이 청색천이 하고, 그 구조가 명확해 지는 결과를 얻었다. 본 연구의 결과는 GaN 유전율 함수의 온도 의존성에 대한 데이터베이스를 제공함은 물론, 실시간 모니터링과 GaN를 기반으로 하는 광소자 제작 등에 유용할 것이다.

• 대한화학회지
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• 제44권4호
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• pp.328-336
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• 2000

폴리프로필렌 글리콜의 표면-보조 레이저 탈착/이온화를 이용하여 선형 비행시간 질량 분석기에서 시간-지연 추출법이 분해능 개선, 질량-초점 길이 및 기기 퍼짐 효과의 영향을 수치계산과 비교하여 평가해였다. 비행시간 초점영역은 고저압 펄스의 지연 시간에 비례하였고 지연 시간 변화로 질량 초점 영역을 쉽게 조절할 수있었다. 시간 지연 추출법으로 얻어진 질량 스펙트럼의 분해능은 4500으로 연속추출법(20kV)에 비해 7배 정도 개선되었고 △m=2000의 질량-초점길이를 보여주었다. 시간 지연 추출법에서 기기 퍼짐 요인에 의한 분해능 개선의 한계를 계산하였고 5ns의기기 퍼짐 효과에 의해 동위원소 분리 검출은 분자량 2500까지 가능하였다. 시간 지연 추출법을 이용하여 폴리프로필렌 글리콜 분자가 탄고 표면에서 탈착될 때 생성되는 분열체 시리즈를 개선된 고분해능으로 동위원소 분포 수준으로 확인하였으며 분열 경로 규명 및 동위원소 비 질량분석기로의 응용 가능성을 시험하였다.

• 환경기술인
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• 통권16호
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• pp.24-29
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• 1987

• 전기의세계
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• 제30권7호
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• pp.404-413
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• 1981

• 건축사
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• 12호통권153호
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• pp.24-27
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• 1981

• 베이커리
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• 1호통권354호
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• pp.28-47
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• 1998

• 베이커리
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• 2호통권355호
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• pp.54-55
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• 1998

• 전자공학회지
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• 제17권5호
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• pp.53-65
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• 1990