• Electrical & Electronic Materials
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• v.1 no.3
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• pp.228-234
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• 1988

본 논문에서는 자기 버블 및 VBL 기억 소자의 기본적인 동작원리 및 사용되는 재료 특히 자기 가넷 박막의 설계와 제조과정을 살펴보았다. 자기 가넷의 가장 큰 장점중의 하나는 응용 분야에 따라 원하는 자기적 특성을 갖는 박막을 쉽게 성장시킬 수 있다는 장점이다. 그러나 현재의 결과로는 0.3.mu.m 이하의 직경을 갖는 버블 박막은 가넷을 이용하여서는 제조하기 힘들므로 그보다 작은 버블을 원하면 육방정계 페라이트나 비정질 합금을 이용하여야 할 것으로 보인다. VBL소자의 경우 0.5.mu.m직경의 버블로 1Gbit/$cm^{2}$의 기록 밀도가 예상되므로 가까운 장래에는 가넷이외의 재료를 생각할 필요는 없을 것이다. 현재의 연구 추세로는 0.3.mu.m직경의 버블을 이용한 버블 소자가 개발되면 또는 그 이전에라도 VBL 소자가 버블 소자를 대치할 것으로 보여 한동안 가넷이외의 재료에 대한 연구는 활발하지 않을 것으로 전망된다.

• The Journal of the Petrological Society of Korea
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• v.6 no.2
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• pp.88-95
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• 1997

High pressure X-ray diffraction study was carried out on a polycrystalline graphite to investigate the phase transition(s) at room temperature. Energy dispersive X-ray diffraction method was employed using a Mao-Bell type diamond anvil cell with an Wiggler synchrotron Radiation at the National Synchrotron Light Source. Sodium chloride power was used as the internal pressure sensor for the high pressure determinations as well as the pressure medium for quasihydrostatic pressure environment. Graphite transforms into a hexagonal didose not agree with the previously reported observations and this phase persists when pressure is released down to 0.1 MPa. This result dose not agree with the previously reported observations and this discrepancy would be due to the kinetics in phase transition as well as the uniaxially oriented pressure field in the diamond anvil cell.

• Transactions of the Korean Society of Machine Tool Engineers
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• v.17 no.4
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• pp.29-34
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• 2008

Application of ceramic has increased due to excellent mechanical properties, and machining of ceramic has demanded gradually a precision surface machining. For decreasing the surface roughness, the control of IED lapping parameters is very important. This paper deal with the analysis of the process parameters such as applied forces, percentage of h-BN and IED lapping time, developed based on Taguchi method. Also, SEM was used for monitoring of a machinable ceramic surface.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.17 no.5
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• pp.13-20
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• 2004

1996년 GaN와 near band edge emission(NBE) 및 yellow deep-defect level emission의 발광 기구가 ZnO의 greene mission과 매우 유사하다는 점이 발견된 이 후［1,2］, II-VIZnO반도체에 대한 광학적 성질에 많은 관심이 집중되기 시작하였다. 1960년대 C. Klingshirin［3］에 의해 bulk ZnO의 exciton luminescence가 관측된 이래로, 1980년대 후반부터 적층 박막 성장 법들이 급속도로 발전을 하여 오고 1988 S. Bethke등이 CVD로 성장한 ZnO의 NBE emission에 관심을 갖기 시작하였고［4］, 1996년 2K에서 GaN, ZnO사이의 유사한 발광기구가 알려졌고［5］, 도호쿠 및 일본 공업대에서 ZnO의 적층 성장 및 상온에서 defect에 기인한 emission이 없는 깨끗한 PL 의 관측, 상온 lasing, 육방정계 결정 구조에서 비롯된 6-fold symmetry PL 등이 보고되기 시작하였다. ［6-8］ 2000년에 들어서면서 MgO와 CdO와의 solid solution에 의한 밴드갭을 2.6-4.2 eV 까지 조절하는 가능성이 보고되었고 이를 이용한 ZnO/MgZnO MQW 구조에 대한 연구도 병행되었다.(중략)

• Journal of Powder Materials
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• v.26 no.1
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• pp.28-33
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• 2019

The gas sensor is essential to monitoring dangerous gases in our environment. Metal oxide (MO) gas sensors are primarily utilized for flammable, toxic and organic gases and $O_3$ because of their high sensitivity, high response and high stability. Tungsten oxides ($WO_3$) have versatile applications, particularly for gas sensor applications because of the wide bandgap and stability of $WO_3$. Nanosize $WO_3$ are synthesized using the hydrothermal method. As-prepared $WO_3$ nanopowders are in the form of nanorods and nanorulers. The crystal structure is hexagonal tungsten bronze ($MxWO_3$, x =< 0.33), characterized as a tunnel structure that accommodates alkali ions and the phase stabilizer. A gas detection test reveals that $WO_3$ can detect acetone, butanol, ethanol, and gasoline. This is the first study to report this capability of $WO_3$.

• Journal of the Mineralogical Society of Korea
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• v.16 no.1
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• pp.1-17
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• 2003

The chemical composition of the arsenopyrite Ib adjoining“triple mutual contact”arsenopyrite + pyrite + hexagonal pyrrhotite may serve as a useful geothermometer in Stage II. In this study it corresponds to temperature T=33$0^{\circ}C$ and f( $S_2$)=10$^{-9.5}$ atm. And the pyrite-hexagonal pyrrhotite buffer curve indicates the probable range of the two variables; T= 315∼345$^{\circ}C$, and f( $S_2$)=10$^{-1}$0.5/∼10$^{-9}$ atm. The present antimony-bearing arsenopyrite (arsenopyrite Ic) is characterized by relatively high content of antimony, ranging from 4.95 to 8.91 percent Sb by weight and excess of iron and deficiency of anions are evident. Such a high antimonian arsenopyrite has never been known within single grain. But being the high content of antimony as in the arsenopyrite Ic, it does not serve as a geothermometer. The results of microprobe analyses for four pairs of asenopyrite and sphalerite in Stage III indicate the temperature range from 310 to 34$0^{\circ}C$, and sulphur fugacity range from 10$^{-10}$ ∼10$^{-9}$ atm. These values seem to correspond with those inferred from the Fe-As-S system.m..

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.21 no.4
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• pp.147-152
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• 2011

ZnO nanorods fabricated on a Zn substrate pre-coated with ZnO as a seed layer by the hydrothermal method were studied mainly as a function of ZnO precursor concentration. Characteristic features by using field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM) and X-ray diffraction (XRD) were investigated to define the changed micro-structure and crystalline phase of the ZnO nanorods according to the experimental conditions. The nanorod morphology strongly depended on the precursor concentration. For example, ZnO nanorods vertically aligned with a hexagonal (002) oriented structure with a diameter of 600~700 nm and length of $6.75{\mu}m$ were clearly observed at the highest concentration of 0.015 M. The strong hexagonal structure was believed to be associated with the highest photoluminescene (PL) intensity and a promising voltage value of ca. 6.069 V at $1000{\mu}A$.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.39 no.12
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• pp.1128-1132
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• 2002

$ReMnO_3$(Re:Y, Ho, Er) thin films were prepared by MOCVD method available to non-volatile memory device with MFS-FET structure. $ReMnO_3$ thin films were deposited on the Si(100) substrate at 700${\circ}C$ for 2h. When the films were post-annealed at 900${\circ}C$ for 1h in air, the single phase of hexagonal $ReMnO_3$ thin films were detected. Ferroelectric properties of $ReMnO_3$ thin films were dependent on the degree of c-axis orientation in the single phase of hexagonal structure and remnant polarization (Pr) of $YMnO_3$ thin films with high degree of c-axis orientation was 105 nC/$cm^2$. Leakage current density was dependent on the grain size of microstructure and that of $YMnO_3$ thin films with grain size of 100∼150 nm was $10^{-8}$ A/$cm^2$ at applied voltage of 0.5 V.

• Journal of the Mineralogical Society of Korea
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• v.13 no.1
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• pp.44-52
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• 2000

천연에서 발견되는 geversite (PtSb2), stumpflite (PtSb), insizwaite (PtBi2), unnamed PtBi 등의 광물에 대한 안정영역과 원소치환에 따른 고용체 존재를 규명하기 위해 백금-안티모니-비스머스 등 3성분계에 대한 합성실험적 연구를 실시하였다. 이번 연구에서 설정된 $600^{\circ}C$ 온도의 실험결과에 의하면, 등축정계의 geversite와 insizwaite 사이에 완전고용체가 형성되며, Sb를 치환하는 Bi의 함량에 따라 단위포 상수는 6.4415(0 at.%), 6.4361(15 at.%), 6.5204(30 at.%), 6.5411(51 at.%), 6.6261(70 at%), 6.6540(85 at%), 6.728$\AA$(100 at.%)로 증가함을 알 수 있었다. 육방정계인 stumpflite와 unnamed PtBi 사이에도 완전고용체가 형성되며, Sb를 치환하는 Bi의 함량이 증가함에 따라 a 단위포 상수의 크기는 4.1388(0 at.%), 4.2118(20 at.%), 4.2118(40 at.%), 4.2485(80 at.%), 4.3242$\AA$(100 at.%)등 연속적으로 증가하지만, c 단위포 상수는 각각 5.4902, 5.4799, 5.508, 5.4817, 5.5045$\AA$등 불규칙하게 변함을 알 수 있었다. 0~33.33 at.% Pt 영역에서의 상평형 관계는 액체가 Pt(Sb,Bi)2 고용체와 공존하고 있고, Sb가 많이 함유된 액체에서는 geversite+원소광물 안티모니+백금이 거의 함유되지 않은 액체와 공생하는 3-phase assemblage를 형성한다. 자연계에서는 geversite와 insizwaite 및 stumpflite와 unnamed PtBi 사이의 화학조성을 가지는 광물이 발견되고 있는데, 이들은 각각 독립적인 광물종이 아니라 위 광물들의 고용체에 속하는 것임을 알 수 있었다. 이들 광물을 명명하고 해석하는데 매우 세심한 주의가 필요함을 알 수 있었다. 또한 단위포 상수를 측정을 통해 해당 고용체 광물의 Sb↔Bi 치환 양을 추정할 수 있다는 점과 광물 공생관계를 통해 생성온도를 추정할 수 있다는 사실을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korea Crystallographic Association Conference
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• 2002.11a
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• pp.22-23
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• 2002

Titanium은 높은 강도, 낮은 밀도, 부식에 대한 저항 등, 타 금속에 비해 월등히 뛰어난 성질을 가지고 있기 때문에 산업 전반에 거쳐 그 응용이 크게 증가하고 있으며, 특히 고온에서의 응용이 중요성을 띠게 됨에 따라 고온으로의 상전이 관계에 따른 구조적 규명이 필요하다. 순수한 titanium은 상온에서 조밀충진 육방정계의 α-상구조(a=2.953Å, c=4.683 Å, P6₃/mmc)를 이루고 있으나, 대략 880℃ 이상에서는 β-상의 체심입방정계 (a=3.320Å, Im3m)로 상전이가 되는 것으로 알려져 있다. 이에 대한 대부분의 연구가 kinetics와 thermodynamics에 관련되어 있으며, TEM을 이용한 직접가열실험은 거의 전무한 상태이다. 본 실험에서는 TEM 직접가열을 통하여 titanium의 고온에서의 상전이와 가열시 발생할 수 있는 산화층 형성을 연구하였다. TEM 시편은 순도 99.94％의 titanium foil(Alfa Aesar, ＃00360, 0.025mm thick)를 이용하였고, 분석 장비로는 에너지여과 기능이 있는 TEM(EM912 Omega, Carl Zeiss)과 Gatan사의 double-tilt heating holder를 사용하였다. Titanium의 상전이를 관찰하기 위해 900℃ 까지 분당 10℃ 의 속도로 가열을 하였다. 통계적 분석 오차를 줄이기 위해 서로 다른 4군데의 관찰영역을 선택하여, 상온 - 600℃ - 900℃ - 상온의 단계별로 회절패턴을 관찰 및 기록하였고, 발생 가능한 산화에 대해서는 동일한 장비를 사용하여 EDS 분석을 하였다. 상온에서의 서로 다른 영역의 회절패턴들은 결함의 존재에 상관없이, 온도가 증가함에 따라 그 결함수가 증가하게 된다. 특히 600℃ 에서는 쌍정과 관련된 회절점들이 본래의 회절점 주위에 형성되어있지만, 각 면들의 격자상수의 변화는 나타나지 않았다. 그러나 900℃ 에서는 쌍정에 의한 회절점의 수가 증가하며, 회절점 사이에 발달한 뚜렷한 막대모양의 강도분포와 격자상수의 변화를 관찰할 수 있었다. 다시 상온으로 냉각시킨 후 관찰한 각각의 회절패턴에서는 격자 상수의 감소와 함께 900℃에 보여진 막대 모양의 강도분포와 쌍정에 의한 회절점들이 여전히 남아있었다. EDS분석 결과 가열 실험을 통해 시편이 열적 산화가 되어 있음을 확인 할 수 있었다. 순수한 titanium의 α-상에서 β-상으로의 상전이를 파악할 수 있는 격자상수의 변화자체는 매우 작은 값이기 때문에 상온과 900℃ 에서 기록된 전자회절패턴 상에서의 면간거리와 면간각도의 측정만으로는 상전이 여부를 명확히 구별할 수 없었다. 그러나, 결함에 의한 상변화가 900℃ 에서 심하게 관찰되어지는 것은 상전이와 관계가 있는 것으로 볼 수 있다. 고온에서 상온으로의 가역적 반응을 관찰할 수 없었던 이유는 열적산화로 생긴 산화층의 산소원자들이 고온의 상전이 과정 중에 Ti 원자와 반응이 일어나 TiO/sub X/ 구조로 전이되었기 때문으로 추정하고 있다.