Structural and optical characteristics in Se thin film fabricated by EBE method had been studied. Se thin film was deposited with noncrystalline until substrate temperature of >$100^{\circ}C$ Color of its surface had red genealogy, and its optical energy band gap was about 2.45 eV. But Se film was grown with monoclinic at substrate temperature of over >$150^{\circ}C$ Also, color of its surface had gray genealogy, and its optical energy band gap was about 2.31 eV. Finally, after heat-treatment at >$150^{\circ}C$ for 15 min with substrate temperature of >$100^{\circ}C$ noncrystalline Se was proved to be hexagonal, and color of its surface had dark gray genealogy, and its optical energy band gap was about 2.06 eV. From the results, it was known that Se thin film for photoelectric device with the lowest optical energy band gap was accepted from hexagonal structure.
표면성장법을 이용한 고강력, 고탄성률 섬유의 제조시, 결정화 온도에 따른 섬유 미 세구조와 물리적 성질의 상관 관계를 미세구조적, 열역학적 관점에서 규명하고자 초고분자 량 폴리에틸렌으로 섬유를 제조하고 결정화 온도에 따른 구조와 인장 성질의 변화를 용융 거동을 중심으로 관찰하였다, 일정길이하에서의 섬유의 용융인 제한 용융에서는 고분자 사 슬배좌의 구속으로 인해 사방정계-육방정계 전이가 일어났다 제한 용융 거동으로부터 라멜 라 구조와 펼쳐진 사슬 결정 부분을 분리할 수 있었으며 결정화 온도가 증가할수록 펼쳐진 사슬 결정의 양이 증가하였다. 결정화 온도가 증가할수록 쉬시-케밥구조에서 펼쳐진 사슬 구조로의 변화가 일어났으며 결정내의 결점도 줄어들었다. 결정화 온도가 증가할수록 구조 의 변화로 인해 인장 성질이 향상되었다. 인장 성질은 펼쳐진 사슬 결정의 양에 큰 영향을 받았다. 인장 강도는 펼쳐진 사릉의 양과 사슬내의 결점들에 의해 큰 영향을 받았으며 인장 탄성계수와 절단 신도는 인장 강도보다 펼쳐진 사슬의 양에 더 크게 영향 받았다.
단층 및 복층의 그래핀에 대한 원자분해 투과전자현미경 영상 시뮬레이션 연구에서, 통상의 Boch-wave 방법에 의한 영상이론식들이 고 준위 Laue 영역의 역 격자 회절을 적절히 포함 했을 때 시뮬레이션에 잘 적용될 수 있음을 보여 주었다. 적절한 조건에서 복층 그래핀의 시뮬레이션 영상들은 육방정계의 대칭성 보다는 삼방정계의 대칭성을 보여 주었다. 이 결과는 복층 그래핀이 3차원 공간에서 [0001] 축 방향 회전에 대해 갖는 삼방정계의 격자 대칭성이 영상에 구현되는 것으로 이해될 수 있다. 단층 그래핀에 대해서는, 관측 위상영상이 삼방정계의 대칭성을 보여주는 현상들이 특히 주목되었다. 이 현상은 그래핀 표면에 전자 밀도의 재 배치에 의한 것으로 설명되었다. 그리고 그래핀의 전자 재 배치를 반영하는, 다만 2번째 Laue 준위 영역의 회절 빔까지만 포함하면 관측 영상과 일치하는 시뮬레이션 위상 영상이 얻어졌다.
$Y(NO_3)_3{\cdot}5H_2O$ 과 $Mn(CH_3CO_2)_2{\cdot}4H_2O$를 출발물질로 하여 졸-겔(sol-gel)법으로 Si(100) 기판위에 육방정계의 $YMnO_3$ 박막을 제조하였다. $YMnO_3$ 박막의 열처리 온도변화, 가수분해시 가수의 양(Rw)과 촉매제의 첨가에 따른 결정 구조 및 전기적 특성을 조사하였다. $YMnO_3$ 박막의 결정화는 700${\circ}C$부터 시작되었고 완전한 결정화는 800${\circ}C$-1시간 열처리하여 이루어 졌으며, $YMnO_3$ 박막의 가수의 양 Rw=6일때 육방정계 $YMnO_3$상의 c-축 (0001) 우선 배향성을 나타내었고, Rw=1 과 Rw=12인 경우에는 Rw=6인 경우보다 c-축 배향성은 감소하였다. 산성이나 염기성 촉매제 첨가에 따라 $YMnO_3$ 박막의 결정성 및 우선 배향성은 영향을 받아 c-축 우선 배향성은 감소하고 사방정계의 $YMnO_3$ 상을 형성하였다. Rw=6일 때 $YMnO_3$박막은 0.2V인가 전압에서 $1.2{\times}10-8 A/cm^2$으로 우수한 누설 전류 밀도를 나타내었고 누설 전류 밀도는 인가 전압에 따라 크게 변하지 않았다.
플루오로시노론 아세토나이드, C24H30F2O6, 삼사 정계, 공간군 R3(육방정계 단위세포), a=b=17. 896 A., c: 18365 ,3,, V=5094.3 A',2:9 A(MoK a) =0.7107 k, D-: 1.31 g/cm", D.: 1.328 g/cm", T=298 K,1101 개의 독립된 회절반점에 대한 최종신뢰도값 R=0.050. 분자구조는 관련된 코티코 스테로이드 화합물의 구조와 일치한다. 3회 회전 대칭 관계에 있는 세개의 분자가 수소결합에 의해 서로 연결되어, c-축에수직한 층을 형성한다.
ZnS:Mn thin film was made by coevaporation with Electron Beam Evaparation(EBE) method. And structural and optical characteristics of ZnS:Mn thin films were investigated by substrate temperature annealing temperature and dopant Mn. When ZnS:Mn thin film was well deposited with cubic crystalline at substrate temperature of 30$0^{\circ}C$ its surface index was [111] and its lattice constant of a was 5.41$\AA$. Also When ZnA:Mn thin film was well made with hexagonal crystalline at substrate temperature of 30$0^{\circ}C$annealing temperature of 50$0^{\circ}C$and annealing time of 60min its miller indices were (0002) (1011), (1012) and (1120). And its lattice constant of a and c was 3.88$\AA$and 12.41$\AA$ respectively. Finally hexagonal ZnS:Mn thin film with dopant Mn of 0.5wt% had fundamental absorption wavelength of 342nm. And so its energy bandgap was about 3.62eV.
상동중석광상에서 산출되는 berthierine과 nontronite는 국내에서는 최초로 기재되는 광물로서 전자현미분석기에 의한 정성 및 정량분석, X-선 회절분석, 투과전자현미분석, 적외선흡수분광분석등을 통하여 광물학적 성질을 규명하였다. $SiO_2$의 함량이 높고 $Al_2O_3$의 함량이 낮은 것으로 밝혀진 상동산 berthierine의 결정구조는 Brindley에 의하여 연구된 결과인 육방정계와 유사한 형태를 보여주는 사방정계와 일치한다. 상동광상에서 산출되는 berthierine은, 그 산출양상으로 보아, 속성작용에 의하여 생성된 것으로 생각되나 nontronite는 중석광회이후의 열수변질산물로 생각된다.
EBE법으로 슬라이드 유리기판 위에 CdS와 Se박막을 각각 증착하고 기판온도 및 열처리에 따른 표면상태, 결정구조, 전기적 및 광학적 특성을 분석하여 최적 제작조건을 찾았다. CdS는 기판온도 $150^{\circ}C$에서 입방정계로 가장 잘 성장되었으며 Se은 기판온도 $100^{\circ}C$까지 비정질을 나타내었으나 기판온도 $150^{\circ}C$일때는 단사정계로 결정성장되었다. 또한 비정질 Se을 온도 $150^{\circ}C$로 15분간 열처리하여 줌으로써 육방정계 결정 구조를 얻을 수 있었다. 최종적으로, 제작한 Se/CdS 이종접합에서 최대출력은 5000 lux일때 4 $mW/cm^{2}$이었으며 최대 분광감도는 585 nm에서 나타났다.
우리는 술폭시화디메틸에 $_CdCl2$와 S를 포함하는 전해질로부터 양극산화된 알루미나 막의 세공 안으로 반도체를 직접 전착하여 5$\mu\textrm{m}$까지의 길이와 20nm의 작은 직경의 균등한 CdS 나노선 배열을 제조하였다. 나노선 배열은 주사전자현미경법과 X-선회절에 의해 연구되었다. 전착된 물질은 주로 (100) 우선방위를 지닌 육방정계 CdS로 이루어져 있다.
투어멀린(Tourmaline)은 비대칭 쌍극자를 가진 유극성 결정체로 광물 중에서 영구적으로 전기분극 특성을 띄고 있는 유일한 물질로써, 일명 "전기석"이라고 알려져 있다. 자체의 미약 전류(약 0,06mA)와 함께 음이온 및 원적외선의 발생으로 최근 우리 주변에서 건강과 환경정화를 위한 관심 대상의 투어멀린은 육방정계의 압전성 띤 초전성을 띄는 붕규산염으로, 물분자를 만나면 수소(H+)와 수산기(OH-)로 분해하여 친수기와 소수기를 구분하여 발생하며, H+와 OH-는 다시 각각 H2O와 결합하여 활성이 강한 hydronium ion(H3O+)과 계면활성 작용이 있는 hydroxyl ion(H3O2-)을 생성한다. 물속에서 불안정한 상태로 존재하는 수산기는 hydroxyl (-)ion을 형성하여 약 알카리성$(pH{\sim}7.4)$을 띄고, 물의 클러스터 (cluster)를 세분화하는 수질개선 기능과 함께 살균, 항균 및 세균번식억제 효과를 갖는 것으로 확인되었다. 따라서 투어멀린 소결체를 활용하여 그 처리수의 특성조사 및 기능개발과 함께 대장균의 번식억제 작용 및 살균작용과 수질개선 기능 등 유용한 결과의 분석으로부터 다양한 응용성을 확보하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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