• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.9 no.5
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• pp.307-314
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• 1998

We have studied the effects of interface on polarization dependence of waveguide and designed the polarization independent 2-dimensional waveguides on InP for arrayed waveguide grating. To figure out the effects of interface on polarization dependence, we have solved the 1-dimensional wave equation using a transfer matrix method. It is shown that the birefringence becomes stronger as the number of interfaces increases. In order to design polarization independent 2-dimensional waveguides, we have used effective index method. The structures considered are ridge type, raised strip type, and buried type waveguide. In the cases of ridge and raised strip type, conventional effective index method was used. In the case of buried type corrected effective index method was used. We have determined the height and width of waveguides such that the waveguides become polarization independent.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.6 no.5
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• pp.454-460
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• 1993

본 연구에서는 준강유전 특성을 갖는 xBa(L $a_{1}$2/N $b_{1}$2/) $O_{3}$- (1-x)Pb(Z $r_{y}$ $Ti_{1-y}$) $O_{3}$ (x=8.5, 9.0[mol.%], y=65, 70[mol.%]) 세라믹을 2단 소성법으로 제작한 후, 조성 및 인가전계에 따른 전기광학 특성 및 광변조 특성을 측정하였다. 인가전계가 증가함에 따라 8.5/65/35 시편을 제외한 전조성에서 유효복굴절이 2차 함수적으로 변화하는 2차 전기광학 특성을 나타내었으며 2차 전기광학계수, 반파장전압 및 ON-OFF ratio는 9.0/65/35 시편에서 각각 6.17x$10^{-16}$[ $m^{2}$/ $v^{2}$], 136[V], 252의 가장 우수한 값을 나타내었다. 9.0/70/30, 9.0/65/35 및 8.5/70/30 시편에 대해 광변조 특성을 측정한 결과, 입사광의 세기를 인가전압에 의해 변조시킬 수 있음을 관찰하였다.다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.11 no.1
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• pp.33-36
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• 2000

KrF excimer laser, which is useful for fabrication of fiber gratings, was irradiated on the PLC-type WDM directional coupler and the transmission wavelength shift was observed as a function of UV exposure time. The effective refractive index change of rectangular silica waveguide was calculated from the wavelength shift measurement and the coupled mode theory. heory.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.8 no.2
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• pp.190-195
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• 1995

Temperature dependences of the dielectric constant K(T), remanent polarization $P_{r}$, (T), effective birefringence overbar .DELTA.n(T), transmitted light intensity and quadratic electro optic coefficient R(T) of the two-stage sintered xBa(L $a_{1}$2/N $b_{1}$2/) $O_{3}$-(1-x)Pb(Z $r_{y}$ $Ti_{1-y}$) $O_{3}$(x=0.085, 0.09, 0.40.leq.y.leq.0.70) ceramics were investigated. Increasing the PbZr $O_{3}$ contents, the crystal structure of a specimen was changed from a tetragonal phase to a rhombohedral and cubic phase, and the phase transition was showed a diffuse phase transition(DPT) characteristics. In the compositions which located on the PE-FE phase boundary, the discrepancy was observed between the Curie temperature and temperature which a microscopic polarization and effective birefringence were disappeared.red.d.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.24 no.12B
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• pp.2335-2341
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• 1999

The $2\times32$ coupler consists of Mach-Zehnder interferometer and Y branch coupler. For the designs of this coupler, three dimensional rectangular core waveguide decomposed to two-dimensional structure by the effective index method. To optimize the waveguide structure, the confinement factor was investigated with two-dimensional finite difference Beam Propagation Method. The $2\times32$ coupler fabricated by simulation with height between Mach-Zehnder arms, H=$43.6\mu\textrm{m}$(path difference $0.668\mu\textrm{m}$) was showed best characteristics. In the results of dry etching of core layer, the etching rate of core layer was above 2600${\AA}$/min, the etching ratio of SiO2 to Al mask was 30:1 and the uniformity of etching was $\pm$5%. The maximum insertion loss and the uniformity of $2\times32$ coupler were below 19.2dB, 2dB respectively.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.315-315
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• 2010

결정질 실리콘을 포함하는 태양전지의 광전효율은 표면에 입사되는 태양광의 반사를 제외하면 흡수된 광자에 의해 생성되는 전자-정공쌍의 상대적인 비율인 내부양자효율에 의존하게 된다. 실제 생성된 전자-정공쌍은 기판재료의 결정상태와 전기광학적 물성 등에 의해 일부가 재결합되어 2차적인 광자의 생성이나 열로서 작용하고 최종적으로 전자와 정공이 완전히 분리되고 전극에 포집되어 실질적인 유효전류로 작용한다. 16% 이상의 고효율 결정질 실리콘 태양전지양산이 요구되고 있는 현실에서 광전효율 개선 위해 가장 우선적으로 고려되어야 할 변수는 입력 태양광스펙트럼에 대한 결정질 실리콘 표면반사율을 최소화하여 광흡수를 극대화하는 것이라 할 수 있다. 이의 해결을 위하여 대기와 실리콘표면 사이의 굴절률차이가 크면 클수록 태양광스펙트럼에 대한 결정질 실리콘의 광반사는 증가하기 때문에 상대적으로 낮은 굴절률의 $SiO_x$나 $SiN_x$와 같은 반사방지막을 광입력 실리콘표면에 증착하여 광반사율 저감공정을 적용하고 있다. 이와 더불어 결정질 실리콘표면을 화학적으로 혹은 플라즈마이온으로 50-100nm 직경의 바늘형 피라미드형상으로 texturing 함으로 광자들의 다중반사 등에 기인하는 광흡수율의 증가를 기대할 수 있기 때문에 태양전지효율 개선에 긍정적인 영향을 미치는 것으로 이해된다. 본 실험에서도 고효율 다결정 실리콘 태양전지 양산공정에 적용 가능한 ICP-RIE기반 결정질 실리콘표면에 대한 texturing 공정기술을 연구하였다. Double Langmuir 플라즈마 진단시스템(DLP2000)을 적용하여 사용한 $SF_6$와 $O_2$ 개스유량과 챔버압력, 플라즈마 파워에 따른 이온밀도, 전자온도, 포화이온전류밀도, 플라즈마포텐셜의 공간분포를 모니터링하였고 texturing이 완료된 시료에 대하여 A1.5G 표준태양광스펙트럼의 300-1100nm 파장대역에서 반사율을 측정하여 그 변화를 관찰하였다. 본 연구에서 얻어진 결과를 간략히 정리하면 Si texturing에 가장 적합한 플라즈마파워는 100W, $SF_6/O_2$ 혼합비는 18:22, 챔버압력은 30mtorr 등이고 이에 상응하는 플라즈마의 이온밀도는 $2{\sim}3{\times}10^8\;ions/cm^3$, 전자온도는 14~15eV, 포화전류밀도는 $0.014{\sim}0.015mA/cm^2$, 플라즈마포텐셜은 38~39V 범위 등이었다. 현재까지 얻어진 최소 평균반사율은 14.2% 였으며 최적의 texturing패턴 플라즈마공정 조건은 이온에 의한 Si표면원자들의 스퍼터링과 화학반응에 의한 증착이 교차하는 플라즈마 에너지 및 밀도 상태인 것으로 해석된다.