Proceedings of the Korea Technical Association of the Pulp and Paper Industry Conference
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2001.04a
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pp.89-89
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2001
종이는 목재섬유와 물의 현탁액을 스크련을 통해 균일하게 분산시킨 판상섬유 제품 으로서 가격이 저렴하고, 열, 전기절연성, 필터기능, 난연성 및 폐기성이 우수하여 다양한 분 야에서 활용되고 있다. 특히 최근에는 종이의 고부가가치화, 차별화를 위하여 내열성, 전기 절연성, 내수성, 기계적 특성, 내약품성, 생체적응성을 지닌 다양한 기능지가 개발되어 식품, 전기, 전자, 건축, 화학, 의료 관련 산업에 있어서 주요 재료로 이용되고 있다. 특히 전기, 전 자산업 발전과 더불어 전기절연성이 우수한 종이의 역할과 수요는 크게 증대되고 있으며 산 업발전의 핵심적인 제품으로서 자리매김을 하고 있다. 하지만 국내의 경우 전기절연지와 관 련된 제품 및 생산기술 부족으로 전량을 수입에 의존하고 있는 실정이며, 그 수입량은 앞으 로 전기 및 전자 산업의 발전으로 인해 더욱 증가할 것으로 예상된다. 이러한 수입의존성을 극복하기 위해서는 전기절연지와 관련된 제품개발 및 생산기술에 관한 연구가 시급히 요청 되고 있다. 이러한 기술의 국산화는 수입 대체 효과 뿐만 아니라 관련 산업의 발전에도 기 여할 수 있을 것으로 예상되며 수출산업으로 성장할 수 있을 것으로 예상된다. 종이의 전기적 성질은 유전상수, 유전손실율과 같은 유전적 특성과 전기저항, 절연 파괴강도의 기계적 특성으로 구분할 수 있다. 종이의 전기적 성질 가운데 유전율은 전기장 에 대한 종이의 물리화학적인 반응으로 일반적으로 종이의 밀도와 종이를 구성하는 성분의 쌍극자 모멘트에 비례하며 온도에 따라서도 변화한다. 일반적으로 온도가 상승하면 열에너 지를 얻게된 쌍극자가 전기장에 배열됨으로써 유전율이 상승하지만 온도가 유리전이점 이상 으로 높아질 경우 열적 교란에 의해서 분극 능력이 감소하게 되어 유전완화 현상이 나타난 다. 전기절연지로 사용될 종이의 절연특성을 이해하기 위해서는 사용환경에 따른 유전적 특 성 및 tan$\delta$에 관한 연구가 펼요하다. 본 연구에서는 종이의 유전특성을 개선하기 위해서 펼름형성능력이 우수한 polyvinyl alcoholCPV A)과 aery lonitrile을 이용하여 시아노에틸화한 P PYA의 표면처리에 따른 종이의 유전적 특성의 변화를 검토하였다. 그 결과 PYA에 도입된 시아노에틸기에 의해 유전율을 증가시킬 수 있음을 확인하였다. 또 본 연구에 적용된 시험 범위에서는 온도상승에 따라 유전율이 상승하였다.
Trifluoromethyl group을 내열성고분자의 주쇄에 도입하면 내열성의 큰 손실없이 용해도의 증가 및 유전상수의 감소등 절연재료로서의 성능을 향상시켜 주지만, 유연한기의 도입에 따른 $T_g$의 저하등 부정적인 효과도 나타낸다. 분자구조설계에 의해 기존 고분자재료의 성능을 향상시키려는 시도는 흔히 향상되어지는 성질들에 반비례하여 어는 다른 성질의 저하를 초래하는 경향이 있으나, 유전상수나 가공성 이외에도 낮은 열팽창계수를 갖는 polyimides, 열경화성수지인 poly(benzocyclobutene) 등의 packaging 재료로서의 개발등, 낮은 절연율, 내열성, 가공성, 접착력, 적절한 열팽창계수 및 기계적 성질 등 가능한 모든 필요성질을 동시에 최대한 만족시키는 고분자재료에 대한 개발노력이 계속되어지고 있으며 장차 혁신적인 새로운 고분자 재료의 등장도 이루어지리라고 본다.
Selections for rapid and slow walking behavior were carried out with the populations, drived from Oregon-R and lethal free strain of Drosophila melanogaster. The behavior was measured by means of connected test-tube apparatus. The populations responded effectively to the artificial selection, and it reached the selection plateau after 7 generations. The realized heritability for the first 10 generations was estimated to be about $9\\sim14%$ for the rapid walking behavior, and those for slow walking behavior was about $11\\sim16%$. The results of hybridization analysis between selected populations at generations 8 and 10 indicated that some polygenes showing a slow walking behavior were partially dominant over polygenes controlled rapid trait. The populations selected for rapid and slow walking behavior were relaxed after 10 generations of selection. The response to natural selection of rapid population was completely returned to their neutral states after only 5 generations. Such phenomena would be explained by the genetic homeostasis resulted from an action of natural selection. However, the slow population did not make any difference from walking scores of their original artificial selection. It seems reasonable to assume that the slow walking behavior was possibly controlled by a major gene.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2003.10a
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pp.352-355
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2003
비자성이며 비전도성의 물리적 성질을 갖는 자연산 퀄쯔(quartz)와 용암석 스코리아를 대상으로 마그네타이징 처리를 하여 분석하였다. 마그네타이징 처리를 위하여 강력한 기계화학적 분쇄 반응을 시켰으며, 분쇄 반응시 알코올계의 솔벤트를 반응 용매로 사용하였다. 퀄쯔와 스코리아의 마그네타이징 처리에서 비교적 비중이 큰 퀄쯔의 경우와 비중이 작은 스코리아의 경우에도 분쇄된 분말이 물에 뜨는 것을 확인할 수 있으며, 친유성으로 기름에 대한 흡착 성질이 우수함을 확인하였다. 자연산 퀄쯔와 함께 스코리아를 바탕물질로 하여 기계-화학적 반응 기술로 고 분산성 흡착반응에 의한 고분자 물잘 생성을 유도하여 나노복합체를 제조하였다. 반응의 처리조건과 적용과정에 따라서 기계-화학적 반응을 통하여 얻어진 물질은 자기적 성질과 유전체 및 전기적 성질을 동시에 나타낸다. 부착성 융합 복합물질의 특징을 고려하여 시그니토마그네틱스(Segneto-magnetics)로 분류되는 합성분말은 특히 유류성분에 대하여 높은 흡착성을 가지며, 강한 자기적 성질을 띄는 10-50 nm 두께의 하나 또는 그 이상의 이질적 융합 화합물 층이 석영이나 수정체의 표면에 합성되어 특유의 자기, 전기적 성질을 나타낸다.
The electromagnetic (EM) absorption or shielding characteristics of a material is an important issue not only for military purpose but also for commercial purposes such as radar, electric or telecommunication devices. In order to design the effective electromagnetic wave absorber, the electromagnetic characteristics of the constituents of the material should be available in target frequency band. Also, it must be possible to predict the electromagnetic properties of absorbers with respect to the content of lossy ingredients. In this study, the dielectric properties of unsaturated polyester resins containing nano-size conductive carbon black powder were measured with a free space method in the X-band frequency range and analyzed with respect to the content of carbon black. Finally, the method for estimating the dielectric properties of polymeric resin containing conductive carbon black with respect to the EM frequency was developed and verified.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2003.03a
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pp.213-213
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2003
저온소성 가능하며 저 융점유리인 고 투과율의 Pb-free 조성으로서 PDP(Plasma Display panel)의 투명유전체에 응용하고자 P$_2$O$_{5}$-ZnO-RO 계인 인산염 유리의 열적, 광학적성질을 연구하였다. 이 삼원계인 인산염유리계를 PDP의 투명 유전체에 응용하기에는 열적특성에서 문제점이 제기되어, (30-50)P$_2$O$_{5}$ - (20-50)ZnO - (15-45) RO (mol%)계에 유리망목형성제인 A1$_2$O$_3$, SiO$_2$, B$_2$O$_3$등을 첨가하여 열적성질 및 소성후 투광성 등을 조사하였다. 열적특성은 DTA와 TGA를 이용하여 유리전이점(Tg) 및 선팽 창계수(CTE)와 연하점(Ts) 을 측정하였으며, 투광성은 500-58$0^{\circ}C$에서 1시간동안 소성하여 UV-visible spectrometer을 이용하였다 그 결과로, 380-46$0^{\circ}C$의 Tg와 8-$10^{-6}$K의 CTE 및 70-80%의 광투과율을 나타내었다. 이러한 결과는 P$_2$O$_{5}$-ZnO-RO계는 PDP의 투명유전체에 적용하기에는 상당히 높거나 낮은 Tg를 형성하였지만 유리형성제를 수 mol%을 첨가함으로써 적절한 Tg점과 높은 투과율을 얻을 수 있었다.수 있었다.
Proceedings of the Korean Fiber Society Conference
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2002.04a
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pp.355-358
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2002
고분자가 절연재료로서 사용되는 이유는 전기를 통하지 않는 절연특성을 지니고 있기 때문이며 이러한 성질은 고분자가 금속재료와 구별되는 가장 큰 특징이다. 그러나 1964년 W. A. Little 이 발표한 공액 이중결합구조를 가진 화합물은 전도성 고분자가 될 수 있다는 가설을 바탕으로 전도성 고분자에 관한 많은 연구가 진행 중에 있다. 전도성 고분자는 절연체로서의 응용에만 한정되어왔던 기존 고분자물질들과 달리 가볍고 저렴하며 단일결합과 이중결합을 교대로 하고 있는 공액 고분자 구조를 가지고 있어 다양한 화학적 합성방법에 의해 전기전도도, 유전상수, 결정 등의 물리적 성질을 조절할 수 있으며, 금속의 전기적, 자기적, 광학적 특성과 고분자의 기계적 성질을 동시에 가지므로 배터리, 축전기, 트랜지스터, 광전소자, 전자파 차폐제 등 플라스틱 전자소재의 실용적으로 인해 산업체에서도 높은 관심의 대상이다. (중략)
근대산업의 에너지원으로서 전력수요의 급격한 증대에 수반하여 전력계통의 초고전압화, 관련기기의 소형화 및 장기간에 걸친 성능의 안정성, 신뢰성이 절실히 요망 하겠금 되었다. 이로 인하여 전기절욘재료에 요구되는 제성능도 일반적으로 고도화되고 점점 가혹한 조건이 부가되고 있는 실정이라 하겠다. 근년 고분자화학의 급속한 진보와 고분자성형기술의 발달에 의하여 등장한 합성고분자재료는 그 물리, 화학적 성질 특히 전기적 성질에 많은 특징을 가지고 있으며 그 성능이 점점 높이 평가되고 있어 고분자재료의 진출이야말로 전기기기절연의 양상에 일대 변화를 줄것이라 하여도 지나친 표현이 아니겠다. 이와같이 고분자가 전기절연재료로써의 가치는 물가구조로 부터 기대되는 우수한 유전성과 전기절연성이 높이 평가되고 있는 점이라 하겠다.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2010.05a
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pp.6.1-6.1
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2010
원자층 증착 기술 (Atomic Layer Deposition)은 기판 표면에서 한 원자층의 화학적 흡착 및 탈착을 이용한 nano-scale 박막 증착 기술이기 때문에, 표면 반응제어가 우수하며 박막의 물리적 성질의 재현성이 우수하고, 대면적에서도 균일한 두께의 박막 형성이 가능하며 우수한 계단 도포성을 확보 할 수 있다. 최근 ALD에 의한 박막증착 방법 중 플라즈마를 이용한 ALD 증착 방법에 대한 다양한 연구가 진행되고 있다. 플라즈마는 반응성이 좋은 이온과 라디컬을 생성하여 소스간 반응성을 좋게 하여, 소스 선택의 폭을 넓어지게 하고, 박막의 성질을 좋게 하며, 생산성을 높일 수 있는 장점이 있다. 그러나 플라즈마를 사용함으로써 플라즈마 내에 이온들이 가속되서 박막 증착 중에 기판 및 박막에 손상을 입혀 박막 특성을 열화 시킬 가능성이 있다. 따라서 플라즈마 발생 영역을 기판으로부터 멀리 떨어뜨린 원거리 플라즈마 원자층 공정이 개발 되었다. 이 기술은 플라즈마에서 생성된 ion이 기판이나 박막에 닫기 전에 전자와 재결합 되거나 공정 chamber에서 소멸하여 그 영향을 최소하고 반응성이 좋은 라디칼과의 반응만을 유도하여 향상된 막질을 얻을 수 있도록 하였다. 따라서 이 원거리 플라즈마 원자층 증착기술은 나노 테크놀러지 소자 개발하기 위한 나노 박막 기술에 있어서 그 활용이 점점 확대될 것이다. 그 적용으로써 리모트 플라즈마 원자층 증착 방법을 이용한 고유전 물질 개발이 있다. 반도체 소자의 고집적화 및 고속화가 요구됨에 따라 집적회로의 크기를 혁신적으로 축소하여 스위칭 속도(switching speed)를 증가시키고, 전력손실 (power dissipation)을 줄이려는 시도가 이루어지고 있다. 그 중 하나로 고유전율 절연막은 트렌지스터 소자의 스케일링 과정에 수반하여 커지는 게이트 누설 전류를 억제하기 위한 목적으로 도입되었다. 유전율이 크면 동일한 capacitance를 내는데 필요한 물리적인 두께를 늘릴 수 있어 전자의 tunneling을 억제할 수 있고 전력손실을 줄일 수 있기 때문이다. 이와 같은 고유전율 물질이 게이트 산화막으로 사용되기 위해서 높은 유전상수 열역학적 안정성, 낮은 계면 전하밀도, 낮은 EOT, 전극 물질과의 양립성 등의 특성이 요구되는데, 이에 따라 많은 유전물질에 대한 연구가 진행되었다. 기존 gata oxide를 대체하기 위한 가장 유력한 후보 재료로 주목 받고 있는 high-k 물질들로는 Al2O3, HfO2, ZrO2, La2O3 등이 있다. 본 발표에서는 ALD의 종류에 따른 기술을 소개하고 그 응용으로 고유전율 물질 개발 연구 (고유전율 산화물 박막의 증착, 고유전율 산화물의 열적 안정성 평가, Flatband 매카니즘 규명, 전기적 물리적 특성 분석)에 대해서 발표 하고자 한다.
캐패시터(capacitor)의 고주파(수십MHz) 전기장에서 유전손실(dielectric loss)에 의한 유리의 용융 및 합성에 관한 이론적 고찰이 수학적 모델에 의하여 이루어졌다. 유전 가열법에 있어서 캐패시터에 놓여진 유전체가 흡수하는 에너지는 용융인자(전압, 주파수)와 피시물(유리)의 전기, 물리적 성질[유전율(${\epsilon}$). power factor($tan{\delta}$)]에 의존한다. 본 연구에서는 이러한 물성들의 온도 의존성뿐만 아니라 외부로의 열손실 등이 조사되었으며, 특성 분석을 통해 최적의 용융 모델을 설계하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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