• Proceedings of the Computational Structural Engineering Institute Conference
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• 2011.04a
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• pp.303-306
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• 2011

본 논문은 콘크리트의 양생 강도 발현을 모니터링하기 위하여 매립형 압전 센서를 이용하여 콘크리트 내부의 임피던스 및 유도초음파 신호를 측정함으로써, 콘크리트의 양생 강도를 실시간 추정할 수 있는 기법을 개발하였다. 임피던스 및 유도초음파 신호는 구조물의 물성을 나타내며 특히 양생 기간 중 임피던스 및 유도초음파의 변화는 해당 콘크리트 구조물의 강도변화를 나타낼 수 있다. 이를 이용하여 매립형 압전 센서로부터 저비용의 셀프 센싱 기반 임피던스 및 유도초음파를 계측하여 콘크리트의 임피던스 공진 주파수 및 유도초음파의 전달 강도를 측정하고 측정된 신호를 통하여 콘크리트 양생 강도를 추정할 수 있게 된다. 제안된 기법의 적용가능성을 검증하기 위하여 설계 압축강도 30MPa의 콘크리트 슬라브 내부에 매립형 압전 센서를 매립하고 양생기간 동안 임피던스 및 유도초음파 신호를 측정, 비교 분석 하였다. 측정된 신호 및 압축강도를 통하여 임피던스 및 유도초음파 기반 강도 추정 모델을 도출하고 보다 높은 정확도를 얻기 위해 다중스케일 강도 추정 모델을 개발하였다. 결과적으로 본 연구를 통해 매립형 압전 센서를 이용하여 콘크리트의 양생 강도를 실시간 모니터링할 수 있음이 검증되었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.11a
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• pp.462-463
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• 2007

신경망을 이용하여 반구형 유도결합형 플라즈마 장비에 대한 전자밀도의 예측모델을 개발하였다. 신경망으로는 Radial Basis function Network를 이용하였고, 신경망의 예측성능은 유전자 알고리즘을 이용하여 최적화하였다. 체계적인 모델링을 위해 $2^4$ 전 인자 (Full Factorial) 실험계획법을 이용하였다. 개발된 모델을 이용하여 공정변수에 따른 전자밀도의 영향을 고찰하였다. 전자밀도는 팁 위치(즉 챔버 높이)에 가장 많은 영향을 받았으며, 소스전력과 압력의 변화에 따른 전자밀도의 변화는 작았다. 팁 위치는 소스전력 변화에 영향을 받지 않았지만, 압력변화는 팁 위치에 따라 복잡하게 전자밀도에 영향을 미쳤다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.20 no.9
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• pp.983-988
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• 2009

This paper analyzed the induced voltages on a telecommunication line due to high-speed a.c. electrified railway system. The induced voltages were measured by domestic regulation, 2 test lines with 2 km length were installed near railway in parallel to compare the influence for distance from disturbing line. The analysis was made on the induced voltages with the distance from railway, line length, and the different earthing point, and also on the waveform and spectrum distributions. The statistical induced voltages for the time for a day and dates was analyzed.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.217-217
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• 1999

축전 결합 차폐막(Faraday shield)이 없는 평판형 유도 결합 플라즈마 장치에서 방전 모드 전이 중출력 결합 변화동안 전자 가열에 대한 연구가 행하여졌다. 전자 에너지 분포 함수(EEDF)의 전개가 RF 보상탐침을 사용, 교류 충첩 방법으로 측정된다. RF 출력에 따른 전자 밀도, 유효 전자 온도 및 특히, 플라즈마 전위의 동향이 제시된다. bi-Maxwellian EEDF를 가진 플라즈마에서 플라즈마 전위가 고 에너지 전자 그룹에 의해 결정됨을 보이고, 플라즈마 전위와 EEDF 상호 관계가 논의된다. 실험 결과로부터 RF출력에 따른 플라즈마 전위의 변화가 전자 가열에 있어 축전 출력 결합의 상대적인 기여의 변화를 반영함을 알 수 있다.

• The Korean Journal of Mycology
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• v.36 no.2
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• pp.163-171
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• 2008

We have surveyed the variation of physical and chemical characteristics of aerobic and anaerobic outdoor fermentation of cotton wastes using for oyster mushroom cultivation. The inner temperature of cotton wastes fermented aerobically covered with thin cloth and setting pallet at bottom was higher than that of anaerobic fermented cotton wastes covered with P.E vinyl and the maximum temperature was $75^{\circ}C$ at 5th day after fermentation. pH of cotton wastes fermented aerobically was increased up to 8.9 after fermentation of $9{\sim}12$ days, but that of anaerobically fermented was decreased up to 5.0. Total carbon content was decreased but total nitrogen content was increased when fermentation was in progress. Oxygen concentration of cotton wastes fermented aerobically was decreased until 6 days after fermentation but increased after 9 days of fermentation. Ammonia concentration of cotton wastes fermented aerobically and anaerobically was below 10 ppm and $20{\sim}85\;ppm$ respectively. In anaerobic condition the cotton wastes was contaminated with mold ($15{\sim}50%$), where no contamination was found in aerobic condition during spawn running stage. Yields of mushroom grown on cotton wastes aerobically fermented for $6{\sim}9$ days was $23.0{\sim}23.6\;kg$ per $3.3\;m^2$ area.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07b
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• pp.909-910
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• 2006

본 논문에서는 액체의 가열을 위한 유도가열기에서 와전류가 발생하는 중심코어의 형태에 따른 유도가열기의 성능을 비교하였다. 특히 코어가 여러 층의 도체로 이루어졌을 경우의 시스템 성능의 변화에 대한 해석과 실험을 수행하였다. 유도가열의 수치적인 해석은 상용 프로그램인 Maxwell을 사용하였으며, 실험을 통하여 유한요소해석 모델을 검증하였다. 본 연구를 통하여 가열되는 코어가 여러 층으로 이루어져 있을 경우 유도가열기의 성능이 향상됨을 알 수 있었다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.20 no.4
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• pp.805-810
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• 2016

The dependence of drain induced barrier lowering(DIBL) is analyzed for doping concentration in channel of asymmetric double gate(DG) MOSFET. The DIBL, the important short channel effect, is described as lowering of source barrier height by drain voltage. The analytical potential distribution is derived from Poisson's equation to analyze the DIBL, and the DIBL is observed according to top/bottom gate oxide thickness and bottom gate voltage as well as channel doping concentration. As a results, the DIBL is significantly influenced by channel doping concentration. DIBL is significantly increased by doping concentration if channel length becomes under 25 nm. The deviation of DIBL is increasing with increase of oxide thickness. Top and bottom gate oxide thicknesses have relation of an inverse proportion to sustain constant DIBL regardless channel doping concentration. We also know the deviation of DIBL for doping concentration is changed according to bottom gate voltage.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.20 no.4
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• pp.799-804
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• 2016

To analyze the phenomenon of drain induced barrier lowering(DIBL) for top and bottom gate oxide thickness of asymmetric double gate MOSFET, the deviation of threshold voltage is investigated for drain voltage to have an effect on barrier height. The asymmetric double gate MOSFET has the characteristic to be able to fabricate differently top and bottom gate oxide thickness. DIBL is, therefore, analyzed for the change of top and bottom gate oxide thickness in this study, using the analytical potential distribution derived from Poisson equation. As a results, DIBL is greatly influenced by top and bottom gate oxide thickness. DIBL is linearly decreased in case top and bottom gate oxide thickness become smaller. The relation of channel length and DIBL is nonlinear. Top gate oxide thickness more influenced on DIBL than bottom gate oxide thickness in the case of high doping concentration in channel.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.402-402
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• 2012

최근 반도체 공정 중 fluorocarbon (CxHyFz) 가스와 함께 플라즈마 밀도가 큰 유도결합형 플라즈마을 사용한 식각장비가 많이 사용되고 있다. 특히 저 유전상수 값을 가지는 박막을 밀도가 큰 플라즈마와 함께 fluorocarbon 가스를 이용하여 식각을 하게 되면 매우 복잡한 현상이 생긴다. 따라서 식각률에 대한 모델을 세우고 적용하는 일이 매우 어렵다. 본 연구에서는 CF4가스를 Ar가스와 함께 혼합하고 기판 플라즈마와 유도결합형 플라즈마를 동시에 가진 식각장비를 사용하여, 저 유전상수 값을 갖는 박막을 식각하였다. 또한, 간단한 식각모델인 Langmuir adsorption model를 이용하여 식각률(Etch rate)에 대한 합리적인 이해를 얻기 위해, 기판과 유도결합형 플라즈마의 파워에 따른 식각률을 계산하고, 식각모델에서 사용되는 매개변수인 이온플럭스(Ion Flux)와 식각수율(Etch yield)을 연구하였다. 기판의 플라즈마 파워가 20에서 100 W 증가하면서 식각률이 269에서 478 nm/min로 증가하였으며, 식각수율이 0.4에서 0.59로 증가하는 것을 관찰하였다. 반면에 기판의 플라즈마 파워 증가에 따라 이온 플럭스는 3.8에서 $4.7mA/cm^2$로 변화가 크지 않았다. 또한, 유도결합형 플라즈마의 파워가 100에서 500 W 증가하면서, 식각률이 117에서 563 nm/min로 증가하였으며, 이온플럭스가 1.5에서 $6.8mA/cm^2$으로 변화하였다. 그러나, 식각수율은 0.46에서 0.48로 거의 변화하지 않았다. 그러므로 저 유전상수 값을 가지는 박막 식각의 경우, 기판의 플라즈마는 식각수율을 증가시키며 유도결합형 플라즈마는 이온 플럭스를 증가시켜 박막 식각에 기여하는 것으로 사료된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.214.2-214.2
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• 2016

플라즈마 공정은 공정의 미세화, 저온화의 필요성 때문에 반도체 및 태양전지 분야 등 여러 분야에서 널리 쓰이고 있으며 그 중요성은 점점 더 커져가고 있다. 그러나 플라즈마를 사용하는 공정에서 공정조건의 미세한 변화에 따라서 플라즈마 특성이 크게 바뀌어 공정조건에 따른 공정 결과의 예측을 어렵게 한다. 따라서 플라즈마를 이용하는 공정에 있어서 다양한 변수의 복합적인 상호작용을 고려하여 공정 결과를 예상 할 수 있는 시뮬레이션에 대한 연구가 요구되고 있다. 본 연구에서는 유도 결합형 플라즈마 발생 장치에서 공정조건에 따른 플라즈마 밀도 분포 변화를 전자기장 시뮬레이션을 통해 예상해보았으며, 시뮬레이션 결과를 실제 방전 상황에서 DLP(Double Langmuir Probe)로 측정한 값과 비교하여 플라즈마 밀도 분포와 전자기장 시뮬레이션의 정확성을 검토하였다.