• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.100-100
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• 2011

2004년 일본의 Hosono 그룹에 의해 처음 발표된 이래로, amorphous gallium-indium-zinc oxide (a-GIZO) thin film transistors (TFTs)는 높은 이동도와 뛰어난 전기적, 광학적 특성에 의해 큰 주목을 받고 있다. 또한 넓은 밴드갭을 가지므로 가시광 영역에서 투명한 특성을 보이고, 플라스틱 기판 위에서 구부러지는 성질에 의해 플랫 패널 디스플레이나 능동 유기 발광 소자(AM-OLED), 투명 디스플레이에 응용될 뿐만 아니라, 일반적인 Poly-Si TFT에 비해 백플레인의 대면적화에 유리하다는 장점이 있다. 최근에는 Y2O3나 ZrO2 등의 high-k 물질을 gate insulator로 이용하여 높은 캐패시턴스를 유지함과 동시에 낮은 구동 전압과 빠른 스위칭 특성을 가지는 a-GIZO TFT의 연구 결과가 보고되었다. 하지만 투명 디스플레이 소자 제작을 위해 플라스틱이나 유리 기판을 사용할 경우, 기판 특성상 공정 온도에 제약이 따르고(약 $300^{\circ}C$ 이하), 이를 극복하기 위한 부가적인 기술이 필수적이다. 본 연구에서는 p-type Si을 back gate로 하는 Inverted-staggered 구조의 a-GIZO TFT소자를 제작 하였다. p-type Si (100) 기판위에 RF magnetron sputtering을 이용하여 Gate insulator를 증착하고, 같은 방법으로 채널층인 a-GIZO를 70 nm 증착하였다. a-GIZO를 증착하기 위한 sputtering 조건으로는 100W의 RF power와 6 mTorr의 working pressure, 30 sccm Ar 분위기에서 증착하였다. 소스/드레인 전극은 e-beam evaporation을 이용하여 Al을 150 nm 증착하였다. 채널 폭은 80 um 이고, 채널 길이는 각각 20 um, 10 um, 5 um, 2 um이다. 마지막으로 Furnace를 이용하여 N2 분위기에서 $500^{\circ}C$로 30분간 후속 열처리를 실시한 후에, 전기적 특성을 분석하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2000년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1736-1738
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• 2000

ITO/TPD($450{\AA}$)/$Alq_{3}(500{\AA})$/Al:Li($1200{\AA}$) 구조의 유기 LED를 제작하였다. Al과 Al:Li(0.lwt%), Al:Li(1wt%), Al:Li(5wt %) 합금을 음전극으로 증착시켜 소자의 전기적 광학적 특성을 분석하였다. 음전극 내의 Li의 분포를 알아보기 위하여 SIMS(Secondary ion Mass Spectroscopy) depth profiling을 하였다. Al:Li합금에서 Li의 함량이 0.1 wt %에서 5 wt %로 증가함에 따라 소자의 turn-on voltage는 약 3.5 V에서 3 V로 감소하였고, 구동전압도 감소하였다. 200$cd/m^2$의 휘도를 기준으로 Al:Li(0.1wt %) 합금을 사용한 소자의 경우 3.5 lm/W로 발광효율이 최대였다. 증착된 Al:Li(0.1wt%) 합금의 SIMS depth profiling 결과 초기에만 Al:Li이 증착되어 Al:Li/Al의 두 층이 형성되었고, Al:Li 합금층의 두께는 약 120${\AA}$ 이었다.

• 융합정보논문지
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• 제11권3호
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• pp.167-173
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• 2021

최근 폴리이미드가 기판으로 사용되어 유기발광다이오드 디스플레이가 구현된 폴더블 스마트폰이 출시되고 있다. 이와 같이 굽힘이 가능한 기판위에 다양한 전자소자를 제작하기 위한 관심이 증가하고 있기 때문에 본 논문에서는 굽힘성이 우수한 127㎛ 두께의 얇은 스테인리스 금속 기판을 이용하여 먼저 크롬을 코팅하고 알루미늄을 형성한 샘플과 알루미늄 구현 후 크롬을 증착한 2가지 샘플을 급속 열처리 장비를 이용하여 150도, 350도, 550도의 온도에서 각각 20분간 어닐링을 진행하여 표면의 형상을 관찰하였다. 고분해능 SEM과 nm까지 거칠기를 측정할 수 있는 AFM을 이용하여 표면에 대한 데이터를 추출하였다. 350도까지는 열처리하지 않은 샘플과 차이가 없지만, 550도에서는 결정립의 변화를 확인할 수 있다. 향후 본 실험 결과는 플렉서블 광전자분야로의 적용을 위해 전기전도도, 반사도와 같은 특성 분석 및 광소자 제작을 통해 금속 소재의 플렉서블 전자소자로의 적용 가능성을 모색할 것이다.

• 폴리머
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• 제25권3호
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• pp.399-405
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• 2001

Poly[3-octylthiophene-co-3-(4-fluorophenyl)thiophene]를 2:1, 1:1, 1:2의 몰 비로 공중합한 뒤 유기 발광 소자를 제작하였다. 이렇게 공중합한 고분자의 광ㆍ전기적인 특성을 PL, EL 스펙트럼과 I-V, V-L 곡선을 이용하여 조사하였고, 전자 흡수 스펙트럼과 순환 전압 전류 곡선을 이용하여 band diagram을 얻었다. P(OT/FPT)(1:1)의 경우 LUMO 값이 -3.35eV로 가장 낮았다. EL과 PL 스펙트럼에서는 fluorophenyl 기의 함량이 증가함에 따라 발광 파장이 장파장으로 이동하였으나, P(OT/FPT)(1:2)의 경우에는 단파장으로 이동하였다 이것은 fluoro-phenyl 기의 함량이 증가하여 고분자 사슬이 뒤틀리게 되어 ${\pi}$-conjugation이 깨어져 공액 길이가 짧아지는 효과를 나타냈기 때문이다. P(OT/FPT)(1:1)는 34cd/$m^2$으로 가장 우수한 휘도를 갖는 짙은 적색 발광을 하였다. 또한 발광 효율에서도 P(OT/FPT)(1:1)가 가장 우수한 것으로 나타났다. P(OT/FPT)(1:2)의 경우 필름 표면이 고르지 못하여 국부적으로 누설 전류가 흐르기 때문에 발광 효율이 낮아지는 것으로 믿어진다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.143-144
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• 2010

3-5족 화합물 반도체를 이용한 집광형 삼중 접합 태양전지는 40% 이상의 광변환 효율로 많은 주목을 받고 있다[1]. 삼중 접합 태양전지의 하부 셀은 기계적 강도가 높고 장파장을 흡수할 수 있는 Ge이 사용된다. Ge위에 성장될 III-V족 단결정막으로서 Ge과 격자상수가 일치하는 GaInP나 GaAs가 적합하고, 성장 중 V족 원소의 열확산으로 인해 Ge과 pn접합을 형성하게 된다. 이때 GaInP의 P의 경우 GaAs의 As보다 확산계수가 낮아 태양전지 변환효율향상에 유리한 얇은 접합 형성이 가능하고, 표면 에칭효과가 적기 때문에 GaInP를 단결정막으로 선택하여 p-type Ge기판 위 성장으로 단일접합 Ge구조 제작이 가능하다. 하지만 이종접합 구조 성장으로 인해 발생한 계면사이의 전위나 미세결함들이 결정막내부에 존재하게 되며 이러한 결함들은 광학소자 응용 시 비발광 센터로 작용할 뿐 아니라 소자의 누설전류를 증가시키는 원인으로 작용하여 태양전지 변환효율을 감소시키게 된다. 이에 결함감소를 통해 소자의 전기적 특성을 향상시키고자 수소 열처리나 플라즈마 공정을 통해 수소 원자를 박막내부로 확산시키고, 계면이나 박막 내 결함들과 결합시킴으로서 결함들의 비활성화를 유도하는 연구가 많이 진행되어 왔다 [2][3]. 하지만, 격자불일치를 갖는 GaInP/Ge 구조에 대한 수소 열처리 및 불순물 준위의 거동에 대한 연구는 많이 진행되어 있지 않다. 따라서 본 연구에서는 Ga0.45In0.55P/Ge구조에 수소 열처리 공정을 적용을 통하여 단결정막 내부 및 계면에서의 결함밀도를 제어하고 이를 통해 태양 전지의 변환효율을 향상시키고자 한다. <111> 방향으로 $6^{\circ}C$기울어진 p-type Ge(100) 기판 위에 유기금속화학증착법 (MOCVD)을 통해 Si이 도핑된 200 nm의 n-type GaInP층을 성장하여 Ge과 단일접합 n-p 구조를 제작하였다. 제작된 GaInP/Ge구조를 furnace에서 250도에서 90~150분간 시간변화를 주어 수소열처리 공정을 진행하였다. 저온 photoluminescence를 통해 GaInP층의 광학적 특성 변화를 관찰한 결과, 1.872 eV에서 free-exciton peak과 1.761 eV에서 Si 도펀트 saturation에 의해 발생된 D-A (Donor to Acceptor)천이로 판단되는 peak을 검출할 수 있었다. 수소 열처리 시간이 증가함에 따라 free-exciton peak 세기 증가와 반가폭 감소를 확인하였고, D-A peak이 사라지는 것을 관찰할 수 있었다. 이러한 결과는 수소 열처리에 따른 단결정막 내부의 수소원자들이 얕은 불순물(shallow impurity) 들로 작용하는 도펀트들이나, 깊은 준위결함(deep level defect)으로 작용하는 계면근처의 전위, 미세결함들과의 결합으로 결함 비활성화를 야기해 발광세기와 결정질 향상효과를 보인 것으로 판단된다. 본 발표에서는 상술한 결과를 바탕으로 한 수소 열처리를 통한 박막 및 계면에서의 결함준위의 거동에 대한 광분석 결과가 논의될 것이다.

• 한국표면공학회지
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• 제46권3호
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• pp.111-115
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• 2013

To study the encapsulation method for large-area organic light emitting devices (OLEDs), OLED of ITO / 2-TNATA / NPB / $Alq_3$:Rubrene / $Alq_3$ / LiF / Al structure was fabricated, which on $Alq_3$/LiF/Al as protective layer of OLED was deposited to protect the damage of OLED, and subsequently it was encapsulated using attaching film and flat glass. The current density and luminance of encapsulated OLED using attaching film and flat glass has similar characteristics compared with non-encapsulated OLED when thickness of Al as a protective layer was 1200 nm, otherwise power efficiency of encapsulated OLED was better than non-encapsulated OLED. Encapsulation process using attaching film and flat glass did not have any effects on the emission spectrum and the Commission International de L'Eclairage (CIE) coordinate. The lifetime of encapsulated OLED using attaching film and flat glass was 287 hours in 1200 nm Al thickness, which was increased according to thickness of Al protective layer, and was improved 54% compared with 186 hours in same Al thickness, lifetime of encapsulated OLED using epoxy and flat glass. As a result, it showed the improved efficiency and the long lifetime, because the encapsulation method using attaching film and flat glass could minimize the impact on OLED caused through UV hardening process in case of glass encapsulation using epoxy.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.1
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• pp.158-161
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• 2004

We have studied a lifetime in organic light-emitting diodes depending on buffer layer. A transparent electrode of indium-tin-oxide(ITO) was used as an anode. And the cathode for electron injection was LiAl. Phthalocyanine Copper(CuPc), Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly (PEDOT:PSS), or poly (9-vinylcarbazole)(PVK) material was used as a buffer layer. A thermal evaporation was performed to make a thickness of 40nm of TPD layer at a rate of $0.5{\sim}1\;{\AA}/s$ at a base pressure of $5{\times}10^{-6}\;torr$. A material of tris(8-hydroxyquinolinate) Aluminum($Alq_3$) was used as an electron transport and emissive layer. A thermal evaporation of $Alq_3$ was done at a deposition rate of $0.7{\sim}0.8[{\AA}/s]$ at a base pressure of $5{\times}10^{-6}\;torr$. By varying the buffer material, hole injection at the interface could be controlled because of the change in work function. Devices with CuPc and PEDOT:PSS buffer layer are superior to the other PVK buffer layer.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권10호
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• pp.817-821
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• 2011

We have proposed an optical thin film and micro lens to improve the luminance of organic light emitting device. The first method, optical thin film was calculated refractive index of dielectric layer material that was modulated refractive index of organic material, ITO (indium tin oxide)and glass. The second method, microlens was applied with lenses on the organic device. Optical thin films were designed with Macleod Simulator and Micro Lenses were calculated by FDTD (finite-difference time-domain) solution. The structure of thin film was designed in organic material/ITO/dielectric layer/glass. The lenses size, height and distance were 5 ${\mu}m$, 1 ${\mu}m$, 1 ${\mu}m$, respectively. The material of micro lenses used silicon dioxide. Result, The highest luminance of OLED which applied with microlens was 11,185 $cd/m^2$, when approval voltage was 14.5 V, applied thin film was 5,857 $cd/m^2$. The device efficiency applying microlens increased 3 times than the device which does not apply microlens.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제13권1호통권38호
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• pp.51-55
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• 2006

[ $Alq_3$ ]-C545T 형광 시스템을 이용하여 녹색 발광 고성능 OLED를 제작하고 그 특성을 평가하였다. 소자 제작에서 ITO(Indium Tin Oxide)/glass 위에 정공 주입층으로 2-TNATA [4,4',4'-tris(2-naphthyl-phenyl-phenylamino)-triphenylamine]를, 정공수송층으로 NPB [N,N-bis(1-naphthyl)- N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4-diamine]를 진공 증착하였다. 녹색 발광층으로는 $Ahq_3$를 호스트로, 545T [10-(2-benzo-thiazolyl)-1,1,7,7-tetramethyl-2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H,11H-[1]/benzopyrano[6,7,8-ij]-quinolizin-11-one]를 도펀트로 사용하였다. 또한, 전자 수송층으로는 $Alq_3$를 전자 주입층으로는 LiF를 사용하여 ITO/2-TNATA/NPB/$Alq_3$:C-545T/$Alq_3$/LiF/Al 구조의 저분자 OLED를 제작하였다. 본 실험에서 제작된 녹색 OLED는 521 nm의 중심 발광 파장을 가지며, CIE(0.29, 0.65)의 색순도, 그리고 12V의 동작전압에서 7.3 lm/W의 최대 전력효율을 나타내었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제15권4호
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• pp.59-64
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• 2008

본 연구에서는 백색 고분자유기 발광다이오드를 제작하여 전기 광학적 특성을 평가하였다. ITO(indium tin oxide)를 양극으로 사용하고 정공수송층으로 PEDOT:PSS [poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfolnate)]를 발광물질로는 PFO [poly(9,9-dioctylfluorene)]와 MEH-PPV [poly(2-methoxy-5(2-ethylhexoxy)-1,4-phenyl-enevinyle)]를 각각 host와 dopant로 사용하였다. 전자주입층으로 LiF(lithium flouride)와 음극으로 Al(aluminum)을 증착하여 최종적으로 ITO/PEDOT:PSS/PFO:MEH-PPV/LiF/Al 구조를 갖는 백색 고분자 유기발광다이오드를 제작하고 PFO와 MEH-PPV의 농도에 따른 전기 광학적 특성 변화를 조사하였다. 제작된 소자는 9V에서(x=0.36, y=0.35)의 CIE 색좌표를 갖는 백색 발광이 관찰되었으며, 최대 전류밀도와 휘도는 약 13V의 인가전압에서 $740mA/cm^2,\;900cd/m^2$의 값을 나타내었으며, $200cd/m^2$ 휘도에서 0.37 cd/A의 최대 전류효율이 관찰되었다.