• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.255-255
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• 2011

$SiO_2$는 유전체 물질로서 고온에 강하고 열 변화에 민감하지 않으며 자외선을 잘 투과시키는 특성 때문에 각종 광전자 소자에 많이 응용되고 있다. 최근에는 classical thermal oxidation 방식을 이용하여 태양전지의 효율을 증가하기 위한 표면 보호막, 유기발광다이오드의 보호막 및 barrier로 적용되고 있다. $SiO_2$ 박막의 경우 RF-DC sputtering, thermal evaporation, plasma enhanced chemical vapor deposition, E-beam evaporation 등의 다양한 방법을 통하여 제작되고 있다. 이들 중 E-beam evaporation 법은 높은 증착속도, 증착방향성, 낮은 불순물농도 등 많은 장점을 가지고 $SiO_2$ 박막 증착이 가증하다. 따라서 본 연구에서는 Si 기판위에 $SiO_2$를 증착각도를 0$^{\circ}$, 25$^{\circ}$, 50$^{\circ}$, 70$^{\circ}$로 변화시켜 증착하였고, 증착속도, 빔 세기, 기판 회전속도 등을 변화시켰다. 또한, 증착 각도에 따른 유전율 차이를 무반사 특성 향상에 응용하기 위해 다양한 layer 층을 순차적으로 성장시켰다. 제작된 $SiO_2$의 나노구조의 구조적, 광학적 특성은 field emission scanning microscopy, atomic force microscopy, UV-VIS-NIS spectrophotometer를 이용하여 분석되었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제20권8호
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• pp.711-715
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• 2007

Properties of organic light-emitting diodes (OLEDs) with aluminum-doped zinc oxide (ZnO:Al) anodes showed different behaviors from OLEDs with indium tin oxide (ITO) anodes according to driving conditions. OLEDs with ITO anodes gave higher current density and luminance in lower voltage region and better EL and power efficiency under lower current density conditions, However, OLEDs with ZnO:Al anodes gave higher current density and luminance in higher voltage region over about 8V and better EL and power efficiency under higher current density over $200mA/cm^2$. These seemed to be due to the differences in conduction properties of semiconducting ZnO:Al and metallic ITO. OLEDs with ZnO:Al anodes showed nearly saturated efficiency under high current driving conditions compared with those of OLEDs with ITO anodes. This meant better charge balance in OLEDs with ZnO:Al anodes. These properties of OLEDs with ZnO:Al anodes are useful in making bright display devices with efficiency.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제6권1호
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• pp.23-26
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• 2007

The effects of plasma treatment on the ITO/glass substrate before deposition of organic materials were investigated in the fabrication of green light emitting organic devices with $Alq_3-C545T$ fluorescent system. In our experiments, the optimum plasma treatment was obtained at the power and time of 150W and 2 minutes under the $Ar(50%)/O_2$ ambient of 1 mTorr. The green OLED with plasma treatment at 150W for 2 minutes showed the luminance and efficiency of $4700\;cd/m^2$ and 8 lm/W at 10V, respectively. On the contrary, the same structured device without plasma treatment showed much lower performance with the luminance of $2600\;cd/m^2$ and the efficiency of 3.6 lm/W at 10 V.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제7권5호
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• pp.759-765
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• 2006

유기발광다이오드(OLED)증착을 위한 서큘러소스의 열전달 해석을 통하여 온도분포를 연구하였다. 대면적의 OLED용 평판의 유기물증착을 위해 서큘러소스가 사용되는데, 소스내의 유기물이 가열되고, 승화되어 증착된다. 유기물의 수율을 높이기 위해 히터설계를 개선하고, 이에 대한 열전달해석을 수행하였다. 그리고, 효율을 높이기 위한 새로운 제조공정인 OVPD공정의 개념과 유도 및 열전달특성에 관한 기본적인 연구결과를 제시하였다.

• 패션비즈니스
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• 제25권4호
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• pp.125-140
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• 2021

Recently, flexible displays have been used as part of fashion beyond the concept of parts for electronic products. The flexible display applied to wearable fashion products flexibly bends according to the wearing position of the human body and, at the same time, decorates the fashion product more splendidly through the screen on which images or videos are displayed. Flexible displays, which are used for clothes and accessories, combine analogue fashion sensibility with digital screens to create a new level of convergence product design and expand the range of fashion design and fashion materials. This study aims to analyze the trends of the development and commercialization of fashion products that use flexible displays. As a research method, theoretical research and empirical research through case analysis were conducted in parallel. First, as a theoretical study, the morphological and technical characteristics of flexible displays were examined. Through theoretical studies, the effect of the characteristics of flexible displays on the development of wearable fashion products was investigated. Second, as an empirical case study, the design of wearable fashion products using flexible displays over the past 10 years and the characteristics of the displays used in the products were analyzed. Based on the characteristics analyzed, the product design, display and product integration methods and the commercialization stages of wearable fashion products using flexible displays were analyzed.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제17권2호
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• pp.71-75
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• 2018

In this study, we prepared OLED cell with ITO (Indium Tin Oxide) films grown on the glass substrate by facing targets sputtering. Before fabrication of OLED cells, we investigated properties of ITO films deposited at various sputtering conditions. To investigate properties of as-prepared films, we employed four-point probe, UV-VIS spectrometer, X-ray diffractometer (XRD), field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), hall-effect measurement. As a results, as-prepared ITO films have high transmittance of over 85 % in the visible range (300-800 nm) and a resistivity of under $10^{-4}$ (${\Omega}-cm$). Their resistivity increased as a function of oxygen gas flow and substrate temperature. OLED cell with ITO films were fabricated by thermal evpoeartor. Properties of OLEDs cell referring to properties of ITO films.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제13권1호통권38호
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• pp.51-55
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• 2006

[ $Alq_3$ ]-C545T 형광 시스템을 이용하여 녹색 발광 고성능 OLED를 제작하고 그 특성을 평가하였다. 소자 제작에서 ITO(Indium Tin Oxide)/glass 위에 정공 주입층으로 2-TNATA [4,4',4'-tris(2-naphthyl-phenyl-phenylamino)-triphenylamine]를, 정공수송층으로 NPB [N,N-bis(1-naphthyl)- N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4-diamine]를 진공 증착하였다. 녹색 발광층으로는 $Ahq_3$를 호스트로, 545T [10-(2-benzo-thiazolyl)-1,1,7,7-tetramethyl-2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H,11H-[1]/benzopyrano[6,7,8-ij]-quinolizin-11-one]를 도펀트로 사용하였다. 또한, 전자 수송층으로는 $Alq_3$를 전자 주입층으로는 LiF를 사용하여 ITO/2-TNATA/NPB/$Alq_3$:C-545T/$Alq_3$/LiF/Al 구조의 저분자 OLED를 제작하였다. 본 실험에서 제작된 녹색 OLED는 521 nm의 중심 발광 파장을 가지며, CIE(0.29, 0.65)의 색순도, 그리고 12V의 동작전압에서 7.3 lm/W의 최대 전력효율을 나타내었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.209.1-209.1
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• 2013

GaP는 가시광선 발광다이오드을 얻을 수 있는 적절한 재료중의 하나로 해당영역의 파장에 대하여 높은 양자효율을 얻을 수 있고, 깊은 준위 재결합이 없기 때문에 GaP 녹색 및 As 첨가한 GaAsP 적색 LED 에 적용할 수 있습니다. 또한, 상온에서 2.2 eV 에 해당하는 넓은 에너지 밴드갭을 가지고 있으므로, 소음이 없는 자외선 검출기에도 적합합니다. 이 물질에 대한 소자들은 기존에 GaP 기판을 사용하였습니다. 최근, GaP 와 격자상수가 비슷한 Si 기판을 활용하여 그 위에 성장하는 방법에 대한 관심이 많아졌습니다. Si는 물리적 및 화학적으로 안정하고 딱딱한 소재이며 대면적 기판을 쉽게 얻을 수 있어 전자 기기 및 대규모 집적 회로의 좋은 소재입니다. Si 와 대조적으로 GaP은 깨지기 쉬운 재료이며 GaP 기판은 Si와 같은 대면적 기판을 얻을 수 없습니다. 이러한 문제의 한 가지 해결책은 Si 기판위에 GaP 층의 성장입니다. GaP 과 Si의 조합은 현재의 광전소자 들에 더하여 더 많은 응용프로그램들을 가능하게 할 것입니다. 그러나, Si 기판위에 GaP 성장 시 삼차원적 성장 및 역위상 경계면과 같은 문제점들이 발생하므로 질이 높고 균일한 결정의 GaP 를 얻기가 어렵습니다. 따라서, Si 에 GaP 의 성장시 초기 단계를 제어하는 성장 기술이 필요합니다. 본 연구에서는, 유기금속화학증착법을 이용하여 Si 기판위에 양질의 GaP를 얻을 수 있는 최적의 성장조건을 얻고자 합니다. 실험 조건은 Si에 GaP의 에피택셜 성장의 초기 단계에 영향을 주는 V/III 비율, 성장압력, 기판방향 등을 가변하는 조건으로 진행하였습니다. V/III 비율은 100~6400, 성장 압력은 76~380 Torr로 진행하였고, Si 기판은 just(001)과 2~6도 기울어진 (001) 기판을 사용하였습니다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1994년도 추계 학술발표 강연 및 논문 개요집
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• pp.98-98
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• 1994

최근 청색반도체레이저의 실현을 위하여 ZnSe가 대표하는 II-Ⅵ족 화합물반도체와 Gan가 대표하는 III족 질화물반도체분야에서 집중적인 연구가 이루어지고 있으며, 아직까지 실용화 되지 않고 있는 청색반도체레이저의 출현에 대하여 많은관심이 모아지고 있다. III족 질화물반도체는 InM(Eg:1.9eV)부터 AIN(Eg: 6.2eV)에 이르기까지 전 조성영역에서 완전한 고용체를 이루며, 실온에서 직접천이형 에너지 대구조를 가지므로 청색 혹은 자외영역에서 동작하는 발광소자를 제작하는데 있어 유망시 되고 있는 소재이다. 특히 GaN와 InN의 3원흔정인 GaInN를 활성층으로 이용하면 그 발전파장을 370nm부터 650nm까지 즉 가시 전 영역으로부터 근 자외영역을 포함할 수 있게 된다. 이 연구에서는 AIGaN/GaInN 이중이종접합(DH) 구조의 고아여기에 의한 유도방출고아의 편광 특성을 조사하였다. 유기금속기상에피텍셜(MOVPE)법으로 성장한 AIGaN/GaInN DH 구조의 표면에 수직으로 펄스 발진 질소레이저(파장: 337.1cm, 주기 10Hz, 폭: 8nsec) 빔을 조사하고 DH구조의 단면으로부터의 유도방출광을 편광기를 통과 시킨 후 스펙트럼을 측정하였다. 입사고아 밀도가 증가함에 따라 약 402nm의 파장에서 유도발출에 의한 가도가 큰 피크가 나타났고, 그 반치폭은 약 18meV이었다. 실온에서 AIGaN/GaInN DH 구조로 부터의 유도방출에 필요한 입사광밀도의 임계치는 약 130㎾/$\textrm{cm}^2$이었다. 한편 편광각이 90$^{\circ}$일때는 발광스펙트럼의 강도가 매우 낮고 단지 자연방출에 의한 스펙트럼만이 나타났다. 편광각이 0$^{\circ}$일 때 최대의 방출광 강도를 나타내었으며, 편광각이 -90$^{\circ}$로 회전함에 따라 발고아강도의 강도가 감소하였다. 이와 같은 결과는 광여기에 의하여 AIGaN/GaInN DH 로 부터의 유도방출광이 GaInN활성층의 단면에 평행한 전기장의방향으로, 즉 TE모드로 선형적으로 편광됨을 의미한다. AIGaN/GanN DH 로 부터의 유도방출이 선형적으로 TE모드로 편광되는 것은 이 구조를 이용한 청색 및 자외선 반도체 레이저다이오드의 실현에 매우 유익한 것이다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.277-278
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• 2009

We have studied an angular dependence of emission pattern of top-emssion organic light-emitting diodes (TEOLED). Device structure is Al(100nm)/TPD(40nm)/$Alq_3$(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(2nm)/Ag(30nm). N,N'-diphenyl-N,N'-di(m-tolyl)-benzidine (TPD) and tris-(8-hydroxyquinoline) aluminium ($Alq_3$)were used as a hole transport layer and emission layer, respectively. Organic layers and cathode were thermally evaporated at $2\times10^{-5}$torr. The evaporation rate of the organic material was maintained to be $1.5\sim2.0{\AA}/s$, and that of metal layer to be $0.5\sim5{\AA}/s$. A transmittance of a cathode electrode(Al/Ag) in visible region is about 25~30%. In order to measure view-angle dependent intensity, electroluminenscence spectra of the device at each angle were integrated. Angle dependent emission spectra of the device do not show blue shift. Emission intensity of the device that the going straight characteristic is stronger the bottom-emission organic light-emitting diodes is shown.