본 논문에서는 유기 박막 트랜지스터의 전극을 잉크젯 프린팅과 스크린 프린팅 방법을 이용하여 유기 박막 트랜지스터를 제작하였다. 전극으로 PEDOT:PSS와 Ag 잉크를 사용하였고, 게이트 절연막으로 polymethyl methacrylate (PMMA)와 poly(4-vinylphenol) (PVP)를 사용하였다. 유기물 활성층으로 pentacene을 진공 증착하였다. 잉크젯 프린팅 방법을 이용하여 제작한 유기 박막 트랜지스터는 전계이동도 (${\mu}_{FET}$) $0.068\;cm^2$/Vs, 문턱전압 ($V_{th}$) -15 V, 전류 점멸비 ($I_{on}/I_{off}$ current ratio) >$10^4$의 전기적 특성을 보였고, 스크린 인쇄 방법을 이용하여 제작한 유기 박막 트랜지스터는 전계이동도 (${\mu}_{FET}$) $0.016\;cm^2$/Vs, 문턱전압 ($V_{th}$) 6 V, 전류 점멸비 ($I_{on}/I_{off}$ current ratio) >$10^4$의 전기적 특성을 보였다. 이를 통하여 프린팅 방법을 이용한 유기 박막 트랜지스터 단일 소자 및 유기 전자 회로 제작의 가능성을 확인 하였다.
본 연구에서는 유기박막트랜지스터 (OTFT, Organic Thin film Transistor) 제작을 위한 채널막으로 pentacene의 soluble 공정 과 soluble 공정 올 통하여 제작된 pentacene 박막의 특성 을 분석 하여 유기박막트랜지스터에 적용 여부를 조사하였다. Pentacene을 용해시키기 위한 용제로는 toluene과 chloroform을 사용하였으며, 각각의 용제에 대하여 열처리를 하여 pentacene 용액을 준비하였다. Spin-coating 법으로 pentacene 유기 박막을 제작하여 각 박막의 결정화 특성을 관찰하였다. XRD 회절 분석 결과 chloroform 올 이용한 pentacene 박막에서만 결정화가 된 것이 확인이 되었다. Hall effect measurement 분석 결과 chloroform올 이 용한, pentacene 박막의 전하농도 (Carrier Concentration)는 $-3.225{\times}1014(c{\cdot}cm^{-3})$를 나타내었고, 이동도 (Mobility)는 $3.5{\times}10^{-l}(cm^2{\cdot}V^{-1}{\cdot}S^{-1})$를 각각 나타내었다.
유기박막트랜지스터는 각 박막계면의 접촉성에 따라 그 성능이 좌우 된다는 것은 널리 알려진 사실이다. 이 때문에 계면간의 접촉성 및 결함을 최소화 하고 효율적인 패턴 형성을 위해 자기조립단분자막의 이용이 최근에 많이 시도되고 있다. 고품질 자기조립단분자막의 제작을 위해 RCA 세척을 통해 웨이퍼 표면에 OH기를 도입 보다 완벽한 단분자막의 형성을 촉진 하였으며 패턴제작은수분이엄격이조절된환경에서 alkyilsilane과 aminosilane 자기조립단분자막을 각각 ${\mu}CP$과 용액공정을 통해 시도되었다. 이 과정에서 물리적 흡착이나 OH기 부족으로 생성된 결함을 보안하기 위하여 SC1용액을 사용 단순 물리흡착된 자기조립단분자 물질의 제거와 다시 OH기 도입 용액공정을 통해 자기조립단분자막 형성을 반복적으로 실시하였다. 그 결과 자기조립단분자막의 결함이 최소화 되었고 자기조립단분자막의 질에 따라 유기전극재료 증착 시 선택적인 성장 과 형성된 유기전극재료 층의 형상이 다르게 관찰 되었다. 이런 반복적인 용액공정을 통해 결함이 최소화된 고품질 자기조립단분자막은 박막계면 간 옴성접촉을 형성하여 유기박막트랜지스터 제작 시 성능 향상이 기대되어진다.
본 연구는 α-Si:H TFT(Amorphous Silicon Thin Film Transistor)를 대체 할 펜타센을 활성층으로 사용하는 박막 트랜지스터를 제작에 관한 것이다. 유기 박막 트랜지스터는 유기발광소자와 함께 유연한 디스플레이에 응용된다. 펜타센 박막 트랜지스터의 제작은 채널 길이 25㎛, 70㎛, 소스, 드레인, 게이트 전극으로 Au을 lift off 공정으로 제작하였으며, 펜타센은 OMBD(Organic Molecular Beam Deposition)로 기판온도를 80℃로 유지하여 증착하였다. 제작된 소자로부터 트랜지스터 전류-전압 특성곡선을 측정하였고, 게이트에 의한 채널의 전도도가 조절됨을 확인하였다. 그리고, 전달특성곡선으로부터 문턱전압과 전계효과 이동도를 추출하였다.
본 논문에서는 플라즈마 중합법에 의해 유기절연막을 제작 후 이를 이용한 유기박막트랜지스터의 특성향상을 위해 반도체박막의 표면처리를 하였다. 그 결과 반도체층의 $O_2$ 플라즈마을 활용하여 30 [sec]동안 표면처리시 박막의 표면에너지는 $38mJ/m^2$값에서 $72mJ/m^2$값으로 증가되었으며, 이에 따른 유기트랜지스터의 이동도는 평균값 기준하여 29% 증가된 $0.057cm^2V^{-1}s^{-1}$의 값으로 증가된 값을 얻을 수 있었다. 이로부터 반도체박막 표면개질에 의한 유기트랜지스터의 이동도 특성향상이 가능함을 알았다.
사물인터넷 시대를 맞이하여 센서의 중요성이 증가하고 있고 특히 신체에 착용 가능한 웨어러블 전자 센서에 대한 요구가 급격히 증가하고 있다. 플렉서블 유기 트랜지스터는 유연성과 뛰어난 감도를 지니고 있고 값싼 생산이 가능하여 웨어러블 전자센서의 구현을 위한 가장 적합한 후보 중 하나이다. 본 글에서는 플렉서블 유기 박막 트랜지스터의 물리 센서와 생체 센서로의 응용에 대해 살펴보고 관련 기술의 발전방향에 관하여 살펴본다.
highly doped N-type 실리콘 기판 위에 극초단 펄스 레이저를 이용하여 LIPSS (Laser-Induced Periodic Surface Structure) 패턴을 형성하였다. 형성된 LIPSS 구조는 $15{\mu}m$와 500 nm 주기를 가지는 ripple로 형성이 되었고 이 구조를 형성하기 위해서 사용된 레이저는 Satsuma HP2, Amplitude syst?mes 이다. LIPSS 패턴을 가지는 기판 위에는 유기반도체 물질인 pentacene을 50 nm로 열 증착방법을 통해 박막을 형성하여 유기박막트랜지스터를 제작하였고, hole mobility를 측정하였다. LIPSS 패턴을 가지는 실리콘 기판과 pristine 실리콘 기판 위의 pentacene의 morphology를 AFM으로 관찰하고 유도된 구조를 연구하였다.
본 발표에서는 flexible display의 back plane 구동 소자, organic sensor, 그리고 organic radio frequency identification (RFID) Tag 등으로의 응용을 목표로 최근 활발히 연구 중인 유기 반도체 박막 트랜지스터에 대한 소개를 바탕으로 유기 반도체를 전자회로 분야에서 사용하기 위해 해결해야 할 문제점과 연구 개발이 절실히 필요한 부분에 대해 소개하고 자 함. organic RFID 응용 기술에 초점을 두고 RFID 기술의 개요, 종류, 주파수 대역 등에 대한 기초적인 지식을 바탕으로 organic RFID의 향후 시장 전망에 대해 토론한 후 현재 PolyIC, Organic ID, IMEC 등의 선진사에서 상용화를 목표로 활발히 연구 중인 organic RFID의 세계적 기술 수준과 최근 연구 결과들을 공유하고자함. 최근 ETRI에서 향 후 바코드 대체용으로 활발히 연구 중인 item level tagging용 13.56 MHz프린팅 RFID 기술을 소개하고 이를 구현하기 위한 유기반도체 트랜지스터, 정류기 등 다양한 종류의 회로들을 프린팅 소재와 공정으로 제작할 때의 문제점을 공유하고, 더 나아가 프린팅 전자 소자의 상용화를 위한 향 후 연구 개발 주제 및 방향 등에 대해 토론하고자함.
유기박막 트랜지스터(Organic Thin Film Transistor: OTFT)는 낮은 공정비용과 기존의 고체 실리콘 트랜지스터로서 실혐 할 수 없는 플렉시블 디스플레이, 스마트카드, 태양전지 등의 매우 넓은 활용범위로 각광받고 있는 연구 분야 중 하나이다. 본 연구에서는 열 증발 증착장비(Thermal Evaporator)를 이용하여 펜타센을 활성층으로 사용한 유기박막 트랜지스터를 제작하였다. Heavily doped된 N형 실리콘 기판을 메탄올, 에탄올, 불산 처리를 하여 세척을 한 후 PECVD를 이용하여 SiO2를 200 nm 증착하였다. 그 후 열 증발 증착 장비를 사용하여 펜타센을 활성층으로 사용하였고, 분말 형태의 펜타센의 질량을 15~60 mg으로 조절하여 활성층의 두께를 조절하였다. 펜타센 증착 후 100도에서 열처리를 하고, 그 후 Shadow Mask를 이용하여 전극을 150nm 증착하였다. 이때 전극은 Au, Al, Ni 세가지 종류를 사용하였다. 펜타센의 질량을 조절하여 증착한 활성층의 두께는 60 mg일 때 약 60 nm, 45 mg일 때 약 45 nm로 1:1의 비율로 올라가는 것을 확인 할 수 있었고, 펜타센의 두께가 30 nm일 때 특성이 가장 잘 나오는 것을 볼 수 있었다. 펜타센의 두께가 두꺼울수록 게이트에서 인가되는 전압의 필드가 제대로 걸리지 않아 특성이 나쁘게 나온 것으로 보인다. 또한 활성층을 30 nm로 고정하고 전극의 종류를 바꿔가며 전기적 특성(캐리어 이동도, 문턱전압, 전달특성 등)을 측정 했을 때 전극으로 Al보다는 Au와 Ni를 사용했을 때 전기적 특성이 더 우수하게 나오는 것을 볼 수 있었다. 메탈과 펜타센과의 일함수 차이에 따른 결과로 보여진다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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