희박 자성 반도체 ZnMnTe를 장벽층으로 사용한 양질의 ZnTe/ZnMnTe 단일 양자우물 구조를 열벽적층 성장법으로 성장하였다. 고분해능 X-선 회절측정 결과 ZnTe 우물층이 강하게 스트레인을 받고 있음을 알 수 있었다. 광발광 측정으로부터 무거운 양공 엑시톤 (el-hhl)과 가벼운 양공 엑시톤 (el-lhl)의 매우 뾰족한 발광 크들이 나타남을 관측하였다. 또한 우물층의 두께가 증가함에 따라 (el-hhl)과 (el-lhl)의 엑시톤 관련 피크들은 낮은 에너지 쪽으로 이동하였다. 광발광 피크 세기의 온도에 따른 변화는 운반자들의 열적 활성화로 설명할 수 있었다.
희박 자성 반도체 ZnMnTe를 장벽층으로 사용한 양질의 ZnTe/ZnMnTe 단일 양자우물 구조를 열벽적층 성장법으로 성장하였다. 고분해능 X-선 회절측정 결과 ZnTe 우물층이 강하게 스트레인을 받고 있음을 알 수 있었다. 광발광 측정으로부터 무거운 양공 엑시톤 (el-hhl)과 가벼운 양공 엑시톤 (el-lhl)의 매우 뾰족한 발광 크들이 나타남을 관측하였다. 또한 우물층의 두께가 증가함에 따라 (el-hhl)과 (el-lhl)의 엑시톤 관련 피크들은 낮은 에너지 쪽으로 이동하였다. 광발광 피크 세기의 온도에 따른 변화는 운반자들의 열적 활성화로 설명할 수 있었다.
Gain-guided 구조를 갖는 단일양자우물 laser diode에서, stripe 폭에 따른 threshold의 변화를 복소수영역 유효굴적률방법을 이용하여 분석하였다. 분석결과 stripe 폭이 좁은 영역에서는, 측방향광집속률을 나타내기위하여 세롭게 도입된 변수 가 수직방향광집속률 가 감소함에따라 급격하게 감소하는 경향을 알아내었다. 따라서 일반적으로 매우작은 수직방향광집속률을 갖는 단일양자우물 laser diode에서는, stripe 폭의 크기에 따라서는 광집속률이 측방향은 물론 수직방향으로도 매우 나빠지게 됨으로 이득포와현상을 더욱 심하게시키게되며 경우에 따라서는 문턱전류가 비정상적으로 증가하는 현상으로 이어지게된다. 이와같은 문턱치의 stripe 폭에 대한 약간의 비정상적인 의존성을 이해하는 것은 양자우물 laser diode의 구조최적화에 있어서 매우 중요한 일이라고 판단된다.
광통신을 이용한 근거리 전송과 장거리 전송에서 1.3 및 1.55 $mu extrm{m}$ 파장 영역의 빛이 사용되고 있다. 향후, 각 가정마다 광선로를 연결하는 Fiber-to-the-home (FTTH)의 개념과 광CATV가 발전함에 따라 1.3 및 1.55 $\mu\textrm{m}$ 빛을 검출하는 소자와 송신하는 소자가 필요하게 된다. 본 논문에서는 이러한 다중파장을 검출할 수 있는 집적소자를 제작 및 측정하였다. 본 논문에서 사용된 epitaxial layer의 구조는 N-InP 기판 위에 1 $\mu\textrm{m}$의 n-InP buffer층, 5층의InGaAs/InGaAsP 다중양자우물과 0.2 $\mu\textrm{m}$ InGaAsP separate confinement heterostructure (SCH) 층, 0.5$\mu\textrm{m}$ InP clad층과 0.1 $\mu\textrm{m}$ InGaAs cap 층으로 구성되어있다. 모든 epi 층은 InP 기판에 격자 정합이 되어있다. 다중양자우물구조는 84 $\AA$의 InGaAs 우물층과 100 $\AA$의 InGaAsP 장벽층으로 구성되며, 상온에서 0.787 eV (1.575 $\mu\textrm{m}$)의 bandgap energy를 갖도록 설계하였다. (중략)
본 논문에서는 양자 우물 구조 변화에 따른 GaN 기반 LED의 출력 특성을 분석하였다. 사용된 LED의 기본 구조는 GaN 버퍼층을 기반으로 GaN 장벽과 InGaN 양자 우물로 이루어진 활성 영역이 AlGaN EBL(Electron Blocking Layer)과 AlGaN HBL(Hole Blocking Layer) 사이에 구성되어 있다. ISE-TCAD를 이용하여 LED 활성영역의 양자 우물의 두께와 개수, 장벽의 도핑 변화에 따른 출력 전력, 내부 양자 효율 특성을 분석하였다.
본 논문에서는 InGaAs/InAlAs 다중 양자우물을 이용한 두가지 타입의 비대칭 Fabry-Perot 전광 스위치에 대한 해석을 시도하였다. 전광 스위치의 동작을 해석하기 위해서 먼저 양자우물의 광 흡수계수와 굴절율의 변화 특성을 계산하였다. 양자우물의 비선형성 해석 결과를 토대로 전광 수위치의 ON/OFF 비와 스위칭 속도를 비교하였다. 시뮬레이션 결과로부터, DBR을 이용한 구조의 전광 수위치는 DBR이 없는 형태의 전광 수위치보다 ON/OFF 비를 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 스위칭 시간도 단축시킬 수 있음을 알 수 있었다.
본 연구는 수지해석(數値解析)을 이용하여 상관우물들의 분포를 갖는 집수역에서 수질을 고려하지 않은 상태의 지하수양수능을 평가하는 것을 목적으로 한다. 연구지역은 일본(日本)의 미야께지마(삼탁도)이며, 미야께지마는 최근에 이르기까지 화산분화(火山噴火)가 계속되고 있는 화산섬으로 수문지질학적(水文地質學的)으로 매우 복잡한 구조를 갖고 있다. 각각의 우물들에 대한 양수능은 개별(個別)양수에 의해서 구해진 IMY(i,t)로써 추정되었으며, 전(全) 연구지역의 양수능은 개별(個別)양수에 의해서 구해진SSMY(i,t)로써 추정되었다. 이러한 결과들은 미야께지마와 같은 화산섬에서 용수(用水)공급을 위한 계획의 수립에 있어서 확실한 공급원의 확보에 이용될 수 있다. 동시양수의 경우, 우물 5와 6에서의 양수는 타이로이께(대로지(大路池))부근에 존재하던 지하수가 연구지역의 내부에 까지 침투하는 것에 대한 장해(障害)우물로써 작용했다. 그러므로, 본 연구는 질적(質的), 양적(量的) 측면에서 용수공급을 위한 지하수의 최적(最適)관리방법으로써 동시양수를 제안한다.
상주 복룡동 유적 발굴 동안 통일신라에서 조선시대에 이르는 우물이 모두 81기가 발견되었으며 우물지 조성에는 할석과 목재가 사용된 것으로 조사되었다. 목재는 우물지 조성 시 최하단 시설, 즉 벽석아래에 설치하는 구조물로 주로 사용되었으며 이 중 136점의 목재에 대한 수종을 분석하였다. 조사결과 소나무가 대부분(전체의 85.9%, 116점)을 차지했으며, 그 외 수종으로는 굴피나무(1점), 밤나무류(9점), 상수리나무류(3점), 졸참나무류(1점), 단풍나무류(5점)로 총 6종이 분석되었다. 이처럼 소나무가 대부분을 차지하는 것으로 보아 당시 우물지 제작에 적합한 목재로 소나무를 의도적으로 선택하여 사용한 것을 알 수 있었다.
나노 다공성 알루미나 박막을 제작하고 이를 주형으로 사용해서 진공증착에 의해 규칙적으로 배열된 나노우물구조와 나노그물구조의 금속 박막들(알루미늄, 주석, 코발트)을 제작하였다. 원하는 금속물질을 증발시키기 위하여 저항가열 방법을 사용하였으며, 증착은 torr의 기저진공 속에서 수행되었다. 실험결과에 의하면, 나노우물과 나노그물 구조의 박막 중 어떤 구조가 합성되느냐 하는 것은 증착되는 물질의 양에 의해서 큰 영향을 받는다는 사실을 알 수 있었다. 세포의 크기가 100 nm이고 세공 직경이 60 nm인 다공성 알루미나 박막을 사용했을 때는 대략 우물구조를 합성하는데 필요한 질량의 절반이하 정도가 증착되게 되면 그물 구조가 합성되는 경향을 보여주었다.
균열암반내에 시추된 7개의 양수정에서 양수시험을 실시하였다, 여기에서 각 양수율에 따른 수위강하값을 구하였으며, 비평형상태하에서의 단계양수시험은 Cooper-Jacob의 방법에 의해 양수시간을 보정하였다 양수정에서의 대수층 손실상수, 우물손실상수 및 우물손실지수(n)의 산출은 최소제곱법(method of the least square)을 이용한 회귀분석 방법을 이용하였으며, n값의 범위는 1.65∼6.48로 산출되었다. 균열암반내에 시추된 양수정의 우물손실은 케이싱이나, 시추시 발생되는 공벽의 공극감소 등의 영향보다는 방사상흐름에 따른 양수정부근에서의 난류에 의한 영향이 대부분일 것으로 해석된다. 또한 이 난류는 레이놀즈의 수(Reynolds number)에 좌우되는데, 여기에서 암반대수층내의 균열 특성이 유체의 속도를 지배하므로 정확한 n값의 산출은 암반대수층을 이해하는데 중요한 인자가 될 것이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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