초음파 탐촉자의 개발에 필요한 압전재료의 선택을 위하여 탐촉자의 성능에 영향을 미치는 탄성, 유전, 압전 상수의 영향을 알아보았다. 해석 방법으로는 등가회로를 통한 두께 모드 발신기, 수신기, 펄스 반사기의 전달함수를 구하였으며, 이로부터 압전재료의 각 물성치가 가져야 할 바람직한 특성을 제시하였다. 본 연구의 결과는 재료의 선택시와 더불어 세라믹 공학자들이 초음파용 압전소자를 개발함에 있어 적절한 지침이 될 수 있을 것이다.
This paper presents the sensor networking technologies and the process of selecting the suitable technology for the transmission line and facilities monitoring system.
컨버터는 교류와 직류간의 변환, 교류 주파수의 상호변환, 상수(相數)의 변환 등을 하는 장치를 말하는데 일반적으로는 교류와 직류간의 변환을 의미한다. 송.배전 시스템에서 교류의 형태로 공급되는 전기를 직류가 필요한 곳에서는 컨버터를 이용하여 직류로 변환하여 사용하는데 이를 전력계통의 과도현상 분석용으로 개발된 수치계산 프로그램인 EMTP (Electromagnetic Transient Program)를 사용하여 3상 반파 컨버터와 3상 전파 컨버터를 이용한 시스템을 모델링하고 분석하였다.
Veterinary antibiotics can enter the soil ecosystem and then may be transported into groundwater via leaching process. The main aim of this study is to investigate the distribution and mobility of tetracycline, amoxicillin and sulfathiazole in soil. The adsorption of veterinary antibiotics were applied to the Freundlich adsorption isotherms. Adsorption coefficient ($K_F$) was indicated oxytetracycline > amoxicillin > sulfathiazole. Oxytetracycline concentration was highly detected in soil than in leachate. It is assumed that oxytetracycline was strongly absorbed by divalent cations such as $Ca^{2+}$ in soil. However, amoxicillin and sulfathiazole were shown higher mobility due to the lower distribution coefficient.
Kim, Myung-Dong;Park, Byeong-Ho;Seong, Hyeon-Kyeong
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.17
no.8
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pp.1796-1803
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2013
In this paper, a novel particle swarm optimization method based on IE3D is used to design a mobile communication microstrip patch antenna. The aim of the paper is to design and fabricate an inset fed rectangular microstrip antenna and study the effect of antenna dimensions length (L), width (W) and substrate parameters relative dielectric constant (${\varepsilon}r$), substrate thickness on radiation parameters of band width. PSO algorism was applied to IE3D, low resistance against, band width and advantage, were improved.
KSCE Journal of Civil and Environmental Engineering Research
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v.37
no.1
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pp.73-82
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2017
In Korea, previous certification of water supply infrastructure was mainly focused on economical and physical aspects. Recently, hygienic safety of water supply service has become a sensitive and important issue to our people for evaluating the water quality with growth of economy and education system. According on water quality in 497 Korean water supply facilities, pH values in the supplied water have ranged between 5.8-8.5. However, little is known about metal leachability at the pH conditions observed in the real water supply systems because a fixed pH condition (pH 7.0) has been used in the current standard method, 'Hygienic Safety Testing Method', in water supply. In this work, we examined the effects on heavy metal leachability with pH differences in the water supply pipes which are typically used in Korea. As a result, the amounts of metal leachability were tended to increase when pH levels were decreased. Especially at pH 5.8, Cu leachability from Cu pipes was found to exceed the public health standard level even after applying a normalization factor (NF) given by the current Korea standard method. The Cr and Cu leached from stainless steel pipes, Cd, Pb, Cu, and Zn from Cu-based pipe fittings, and Zn from Zn-based pipe fittings were exceeded the Korean hygienic safety standards while, after applying the NF, concentrations of the leached metals were satisfied with the current Korean standard. The findings from this work provide implications on the needs of reforming the current hygienic safety standard methodology.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.24
no.3
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pp.310-315
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2013
This paper presents a two-port time-domain reflectometry(TDR) measurement technique for extracting the complex propagation constant of a cross-linked polyethylene(XLPE) cable. For the extraction, a short pulse transmitted through the cable is measured in the time domain and analyzed in the frequency domain. The propagation constant of a 22.9 kV XLPE cable with a conductor area of 325 $mm^2$ is extracted up to a frequency of approximately 2.14 GHz. The $S_{21}$ measured using a network analyzer and the two-port TDR technique are compared for verification. As a result compared with previous TDR method, the upper possible frequency limit for extracting the propagation constant increases and the measurement error decreases.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.18
no.1
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pp.78-83
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2014
This paper suggest an effective idea to implement an low area multi-mode one dimension transform block of HEVC(High Efficiency Video Coding). The time consuming multiplier path is designed to operate on low frequency. Normal multipliers dealing with variable operands are replaced with smaller constant multipliers which do the product with constant coefficient and variable only using shifters and adders. This scheme increases total multiplier counts but entire areas are reduced owing to smaller area of constant multiplier. Idle cycles caused by doubled multipliers enable to use multi-cycle paths on the cycle eating multiplier data path. Operating frequency is lowered by multi-cycle path but total throughput is maintained. This structure is implemented with TSMC 0.18 CMOS process library, and operated on 186MHz frequency to process a 4k($3840{\times}2160$) image. Max operating frequency is 300MHz.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2000.02a
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pp.115-115
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2000
Wide band gap을 갖는 III-V족 반도체인 GaN는 파란색에서 자외선영역에 이르는 발광소자용으로, 그리고 최근에는 전자소자로도 가장 유망한 반도체 중의 하나이다. 하지만 격자상수가 일치하는 적당한 기판이 존재하지 않아 성장된 GaN 박막 내에는 많은 결함들이 존재하게 된다. 일반적으로 가장 널리 쓰이는 기판은 사파이어 기판이 주로 이용되고 있는데 사파이어는 GaN와 격자상수 불일치가 16%에 이르므로 고품질의 GaN 박막을 성장시키기 위해서는 격자상수 불일치를 어느 정도 완화시키면서 초기성장과정의 컨트롤이 매우 중요하다. 이러한 방법들로는 GaN박막 성장 전에 사파이어 기판 질화처리를 하거나 buffer 층을 도입하는 것인데, 이에 관한 많은 연구들이 보고되고 있다. 하지만 각각 두 공정에 관한 연구는 많이 되어 있지만 두 공정사이를 연결해 주는 공정처리법에 관한 연구는 보고되고 있지 않다. 따라서 본 연구에서는 사파이어기판 질화처리를 한 후 buffer 층을 성장시키기 전까지 chamer 내부의 분위기 가스가 GaN 박막성장 거동에 어떤 영향을 주는지에 관해 연구하였다. 질화처리 후 chamber 내부의 분위기 가스가 GaN 박막 성장 거동에 미치는 영향을 연구하기 위하여 두 개의 시편 A,B를 준비하였다. 시편 A는 먼저 사파이어 기판을 유기용매를 이용하여 cleaning 한 후 장비에 장입되었다. 수소분위기하에서 10nsrks 104$0^{\circ}C$에서 가열한 후 30초간 암모니아 유속을 900sccm으로 유지하며 사파이어 기판 질화처리를 수행하였다. GaN buffer 층을 성장하기 위하여 104$0^{\circ}C$에서 56$0^{\circ}C$로 온도를 내리는 과정중 질화처리를 위하여 흘려주었던 암모니아 유속을 차단한 채 수소분위기에서만 온도를 내렸다. 56$0^{\circ}C$에서 GaN buffer 층을 300 성장시킨 후 102$0^{\circ}C$의 고온에서 2$\mu\textrm{m}$ 두께로 GaN 박막을 성장하였다. 시편 B는 질화처리 후 단계부터 GaN 박막성장 단계에 이르기까지 AFM을 이용하여 두 시편의 성장거동을 비교 분석하였다. 두 시편의 표면을 관찰한 결과 시편 A는 2차원적 성장을 하며 매우 매끄러운 표면을 갖는데 반해, 시편 B는 3차원적 성장을 하며 매우 거친 표면을 보였다. 또한 두 시편 A, B를 XRD, PL, Hal 측정으로 분석한 결과 시편 A가 시편 B보다 우수한 구조적, 광학적, 전기적 특성을 보였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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