• 제목/요약/키워드: 온-패키지 메모리

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MPI 노드 내 통신 성능 향상을 위한 매니코어 프로세서의 온-패키지 메모리 활용 (Using the On-Package Memory of Manycore Processor for Improving Performance of MPI Intra-Node Communication)

  • 조중연;진현욱;남덕윤
    • 정보과학회 논문지
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    • 제44권2호
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    • pp.124-131
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    • 2017
  • 고성능 컴퓨팅 환경을 위해서 최근 등장한 차세대 매니코어 프로세서는 전통적인 구조의 메모리와 함께 고대역 온-패키지 메모리를 장착하고 있다. Intel Xeon Phi Knights Landing(KNL) 프로세서의 온-패키지 메모리인 Multi-Channel DRAM(MCDRAM)은 기존의 DDR4 메모리보다 이론적으로 네 배 높은 대역폭을 제공한다. 본 논문에서는 MCDRAM을 이용하여 MPI 노드 내 통신 성능을 향상시키기 위한 방안을 제안한다. 실험 결과, 제안된 기법을 사용할 경우 DDR4를 사용하는 경우와 비교해서 MPI 노드 내 통신 성능을 최대 272% 향상시킬 수 있음을 보인다. 또한 MCDRAM 활용 방법에 따른 성능 영향뿐만 아니라 프로세스의 코어 친화도에 따른 성능 영향을 보인다.

인텔 차세대 매니코어 프로세서에서의 다중 병렬 프로그램 성능 향상기법 연구 (Enhancing the Performance of Multiple Parallel Applications using Heterogeneous Memory on the Intel's Next-Generation Many-core Processor)

  • 노승우;김서영;남덕윤;박근철;김직수
    • 정보과학회 논문지
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    • 제44권9호
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    • pp.878-886
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    • 2017
  • 본 논문에서는 고성능컴퓨팅 분야에서 주로 활용되는 MPI 응용들을 인텔의 차세대 매니코어 프로세서인 Knights Landing(KNL)에서 실행할 때 발생할 수 있는 성능 병목 현상 및 이를 해결하기 위한 효율적인 자원 할당 방법에 대해서 논의하고자 한다. KNL은 기존의 가속기 형태의 매니코어 프로세서 형태뿐만 아니라 자체적으로 부팅이 가능한 형태의 호스트 프로세서로 구성되어 있으며, 기존의 DDR4 기반의 메모리와 함께 향상된 대역폭을 가진 새로운 형태의 온-패키지 메모리를 장착해서 출시되었다. 이러한 새로운 매니코어 프로세서 아키텍처에 최적화된 자원 할당 방법을 연구함으로써 다중 MPI 응용 실행 성능의 향상과 전체적인 시스템 활용률을 높일 수 있음을 실험적으로 검증하였다.

Post-Package 프로그램이 가능한 eFuse OTP 메모리 설계 (Design of eFuse OTP Memory Programmable in the Post-Package State for PMICs)

  • 김려연;장지혜;김재철;하판봉;김영희
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제16권8호
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    • pp.1734-1740
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    • 2012
  • 본 논문에서는 단일전원을 사용하는 PMIC 칩이 패키지 상태에서 eFuse OTP 메모리를 프로그램 가능하도록 스위칭 전류가 작은 FSOURCE 회로를 제안하였다. 제안된 FSOURCE 회로는 non-overlapped clock을 사용하여 short-circuit current를 제거하였으며, 구동 트랜지스터의 ON되는 기울기를 줄여 최대 전류를 줄였다. 그리고 power-on reset 모드동안 eFuse OTP의 출력 데이터를 임의의 데이터로 초기화시키는 DOUT 버퍼 회로를 제안하였다. $0.35{\mu}m$ BCD 공정을 이용하여 설계된 24비트 differential paired eFuse OTP 메모리의 레이아웃 면적은 $381.575{\mu}m{\times}354.375{\mu}m$($=0.135mm^2$)이다.

미래사회를 지탱하는 파워디바이스 기술의 진전

  • 대한전기협회
    • 전기저널
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    • 통권323호
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    • pp.69-75
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    • 2003
  • 불투명한 경제정세의 와중에서도 전기에너지를 지탱하는 근간이 되는 파워 일렉트로닉스 분야는 확실히 그 기술개발을 향상시켜 오고 있다. 특히 파워디바이스는, 지구환경과 생활환경을 보다 쾌적하게 하기 위하여 인버터 장치 등의 각종 전력절약기기와 풍력$\cdot$태양광$\cdot$연료전지 등 클린에너지의 전력제어장치에 없어서는 안되는 반도체디바이스로 성장했다. 파워디바이스 중에서도 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)의 기술혁신은 요 20년 사이에 비약적인 성과를 거두었다. 1980년대에 제품화된 IGBT는, 반도체메모리의 초미세가공기술을 도입하면서 $5{\mu}m$에서 서브미크론의 디자인툴로 발전하여, 2000년대에 들어 칩의 전류밀도는 약 2배, 포화전압은 약 $65\%$까지 개량되었다. 이와 같은 IGBT의 변천은, 전력손실을 대폭적으로 저감시켜 에너지절약기기의 전력변환효율 향상에 공헌하고 있다. 파워디바이스의 기술진보에서 또 한 가지 잊지 말아야 할 것은 주변회로의 집적화(集積化)에 의한 고성능$\cdot$고기능화이다. 최근의 인버터용 파워디바이스로 가장 많이 사용되고 있는 파워모듈은, IGBT등의 파워칩과 그 주변회로와의 컬래버레이션에 의한 제품이다. 다시 말하면 구동회로, 전류$\cdot$전압$\cdot$온도센서 및 그것들의 보호회로가 IC(집적회로)에 편입되어 고기능$\cdot$소형화를 촉진시키고 있다. 구동회로는 LVIC (저전압집적회로)에서 HVIC(고전압집적회로)로 발전하여 전류$\cdot$온도 등의 각종 센서도 동일 칩에 설계할 수 있게 되었다. 또 센싱이나 보호기능뿐만이 아니라 출력전류의 제어를 위한 연산기능과 di/dt의 제어기능이 내장되도록 되어 있어 보다. 고성능의 인텔리전트 파워모듈(IPM)이라고 불리우는 새로운 개념의 파워디바이스가 실현되었다. 또한 패키지 기술도 내부배선 인덕턴스의 저감과 트랜스퍼 몰드패키지의 개발로, 소형화뿐만이 아니라 파워칩의 성능$\cdot$기능을 충분히 발휘할 수 있도록 개발이 적극적으로 추진되고 있다.

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