• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2017.07a
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• pp.341-342
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• 2017

본 논문에서는 초저온 냉동고용 단상유도전동기의 기동전류저감을 위한 알고리즘을 제안한다. 단상유도전동기의 경우, 스스로 기동이 불가능하므로 다양한 기동방식을 채택하고 있다. 본 논문에서는 커패시터 기동-운전 방식을 사용하고 있으며, 이 경우 기동 시 정격전류의 수배에 해당되는 돌입전류가 발생한다. 이로 인해 커패시터 및 기동 보조장치의 운전성능 및 수명 감소에 직접적인 영향을 미친다. 따라서 본문에서는 기존 운전방식의 변경 없이 단상 인버터를 적용하여 기동전류를 저감하고 운전모드를 전환하는 알고리즘을 제안하고자 한다. 제안한 알고리즘의 효용성은 다양한 실험을 통해서 검증한다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2015.07a
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• pp.217-218
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• 2015

본 논문에선 BLDCM(Brushless DC Motor)의 전류(轉流)구간에서 발생하는 토크리플을 저감시키기 위해 BLDCM의 역기 전력 모델을 이용하여 상승하는 전류와 하강하는 전류의 기울기가 같아지도록 PWM의 턴-온 시간을 실시간으로 제어하는 방식을 제안한다. 제안된 방식에서는 상이 전환되는 구간에서 상전류의 변화량이 스위칭 시간에 따른 인가전압과 전동기 모델방정식 및 예측되는 역기전력 모델에 의해 예측되어지며, 인가하는 전압의 크기는 PWM의 턴-온 시간에 따라 변하게 되므로, 두 전류의 변화량이 같아지도록 하는 스위칭 시간을 계산하여 적용하는 방식이다. 제안된 방식의 유효성은 실제 BLDCM에 대한 시뮬레이션을 통하여 증명하였다.

• The Bulletin of The Korean Astronomical Society
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• v.37 no.2
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• pp.198.2-198.2
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• 2012

태양 전지판의 전개 여부는 저궤도 위성의 발사 성공 여부를 판단하는 가장 중요한 항목 중 하나이다. 태양 전지판이 성공적으로 전개되어야만 태양 지향 자세제어에 의해 위성 운용에 필요한 전력 생성이 가능하기 때문이다. 그러므로 발사 후 지상국 교신을 통해 최우선적으로 태양 전지판의 전개 여부를 판단한다. 태양 전지판의 전개 여부는 다양한 실패 상황에 가정해 총 5가지 조건을 통해 판단한다. 첫째, SAR1, SAR2의 입력 전류가 모두 0.8A보다 커야 한다. 만약 하나라도 0.8A 미만이라면 한 개 이상의 태양 전지판이 전개되지 않고 1번 태양 전지판이 태양 지향을 하지 못하는 상황이다. 둘째, SAR1 입력 전류와 SAR2 입력 전류의 값이 유사해야 한다. 만약 입력 전류 값이 크게 차이가 난다면 2번과 3번 태양 전지판 중 하나만 태양 지향을 하는 경우이다. 셋째, CSSA#5 출력 전류가 3.2mA보다 커야 한다. 만약 3.2mA보다 작다면 2번과 3번 태양 전지판의 전개가 실패하고 1번 태양 전지판이 태양 지향을 하는 경우 또는 1번 태양 전지판이 전개 실패하고 태양 지향을 하는 경우이다. 넷째, S/C Roll, Pitch, Yaw rate이 모두 0.2 deg/sec 보다 작아야 한다. 만약 body rate이 크다면 1번 태양 전지판의 전개 실패 상황을 예상할 수 있다. 다섯째, 각 태양 전지판의 온도 차이가 $35^{\circ}C$ 보다 작아야 한다. 만약 온도 차이가 크다면 1번 태양 전지판 전개 실패 상황에서 2번과 3번 태양 전지판이 태양 지향을 하는 경우이다. 총 다섯 가지의 조건을 모두 만족해야만 태양 전지판이 성공적으로 전개되었다고 판단한다. 태양 전지판의 전개 판단은 위성이 발사체에서 분리되고 약 4500초 이후 시점에 스발바드 지상국과의 교신을 통해 확인되었다. 이 시점의 SAR1 입력 전류는 약 2.00A, SAR2 입력 전류는 약 1.93A였기 때문에 모두 0.8A보다 크고 서로 유사한 값임을 확인했다. CSSA#5의 출력 전류는 약 3.5mA의 값을 나타냈다. S/C Roll rate은 -0.0084 deg/sec, Pitch rate은 -0.0072 deg/sec, Yaw rate은 -0.0303 deg/sec의 값을 나타냈다. 각 태양 전지판의 최대 온도 차이는 $7.7^{\circ}C$의 값을 나타냈다. 5가지 조건을 모두 만족함으로써 태양 전지판 전개는 성공적으로 수행된 것으로 판단했다.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2012.05a
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• pp.58-60
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• 2012

전류센서는 전기차 시대의 도래와 함께 전기차의 주용 부품으로써, 차량용 전기가 충방전하는 동안의 전류의 흐름을 측정하고, 전지관리시스템이 모니터링하는 목적으로 사용되어 진다. 본 논문은 Hall-effect를 이용하여 전류에 의해 의기된 자장이 자성코어에 집중되어 코어의 공극에서 측정되도록 전류센서를 구성하였다. 공극간의 자속을 측정하기 위하여, GaAs 게열의 Hall 센서가 사용되었다. 본 논문이 제안하는 센서는 측정 결과, 출력 특성의 선형성과 온도 안정성이 우수한 것으로 나타났다. 이는 제안된 전류센서가 산업용으로 적용이 가능함을 보여준다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2002.07b
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• pp.747-749
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• 2002

초전도 마그네트 시스템의 냉각방법 중, 액체 헬륨등의 극저온 유체를 이용한 액체냉각방식이 극저온 냉동기를 이용한 직접 전도냉각 방식에 비해 신뢰도가 높은 열적 안정성으로 인하여 현재도 많은 초전도 마그네트 시스템이 액체냉각방식을 이용하고 있다. 그러나, 고가의 극저온 액체의 재충전으로 인하여 경제성이 낮고 취급이 불편한 단점이 있다 이러한 액체냉각방식의 단점을 보완하고자 극저온 유체를 시스템 안에서 직접 응축하여 재충전을 하지 않는 재응축형 시스템을 개발하여 실험하였다. 실험에 사용한 초전도 마그네트 시스템은 상온보아 1270 mm. 최대자장 0.3 T로 설계되었고, 금속 전류도입선과 HTS 전류도입선을 복합적으로 사용하였으며, 복사차폐막 냉각용 극저온 냉동기와 헬륨 재응축용 극저온 냉동기를 사용하였다. 초전도 마그네트는 200 A에서 1600 gauss의 자장으로 운전하였고 극저온 용기에서는 0.05 bar의 압력으로 액체 헬륨이 증발하지 않고 유지되었다.

• Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
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• v.43 no.11
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• pp.1028-1034
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• 2015

Solenoid valves for space launch vehicles require the strict limitations on the size, weight and current consumption comparing to industrial solenoid valves. The preliminary design of a cryogenic and high pressure solenoid valve for propellant tank pressurization which can ensure the operation of solenoid valve under such strict limitation conditions was preformed. The Copper and Constantan materials in coil design have used to prevent the excessive rise of the current at cryogenic state. The measured current of solenoid valve at cryogenic temperature satisfies a design requirement.

• 전자공학회논문지 IE
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• v.47 no.2
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• pp.32-37
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• 2010

In this study, to develop union type SMD inductor core needs to have the desire of super miniaturization and high reliability, it analyzed temperature properties due to electric power value. As the temperature of electronic parts rise, it bring to technical obstacles that parts can not normal operation, it reduce the span of life to raise the fault ratio. Also, it impact to the parts by heat change power and expansive power, it can not behave exactly, and it have an effect on reliability. It measured the difference value between conditional temperature and parts temperature to union type SMD inductor core. As the results of simulation using D.C. current and resistor($R_dc$), it obtained the excellent regular current values at rising temperature of 40[$^{\circ}C$].

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.144-144
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• 2010

투명 산화물 반도체로 가장 널리 사용되는 산화아연 반도체의 온도 증가에 따른 비정상적인 비저항의 감소를 보고 한다. 이는 직류 마그네트론 스퍼터링 시스템을 이용하여 연구를 진행하였으며, 공정 변수 중 압력 가변만 진행하였다. 상온에서의 전류 전압 곡선을 바탕으로 온도 증가에 따른 전류-전압 곡선 해석, 결정성 확인을 위하여 XRD 장비를 이용하였으며, 화학적인 조성 확인을 위해 EDS 장비를 이용하였다. 이를 통해 아연과 산소의 비율, (100) 결정성 방향 등의 결과를 통해 온도 증가에 따른 비정상적인 전기적 비저항 감소에 대한 현상을 확인하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2015.07a
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• pp.185-186
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• 2015

본 논문에서는 임계 도통 모드 boost PFC의 입력 필터 효과를 보상하기 위한 온-타임 변경 기법에 대하여 제안한다. 임계 도통 모드 boost PFC의 입력 필터는 총 입력전류의 위상을 진상으로 만들게 되며, 이 영향은 성능의 하락을 초래하게 된다. 본 논문에서는 디지털 boost PFC의 진상 전류를 보상하기 위한 온-타임 변경 profile을 제시하였다. 제안된 방법의 효과는 90-230Vrms 입력, 200W 출력의 prototype 의 실험을 통하여 검증되었다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SC
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• v.40 no.3
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• pp.135-144
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• 2003

This work proposes on-chip full CMOS current and voltage references for high-speed mixed-mode circuits. The proposed current reference circuit uses a digital-domain calibration method instead of a conventional analog calibration to obtain accurate current values. The proposed voltage reference employs internal reference voltage drivers to minimize the high-frequency noise from the output stages of high-speed mixed-mode circuits. The reference voltage drivers adopt low power op amps and small- sized on-chip capacitors for low power consumption and small chip area. The proposed references are designed, laid out, and fabricated in a 0.18 um n-well CMOS process and the active chip area is 250 um x 200 um. The measured results show the reference circuits have the power supply variation of 2.59 %/V and the temperature coefficient of 48 ppm/$^{\circ}C$ E.