로드 셀의 정밀측정 에러의 가장 큰 요인은 온도에 의한 출력특성 변화이다. 본 논문에서는 주어진 어떤 온도 구간에서만 온도특성을 보상하였던 기존의 방법에 비해 보다 넓은 온도구간에서 로드 셀의 출력의 온도 특성을 보상하고 또한 출력의 온도 특성이 기존의 방식에 의한 것보다 개선된 새로운 로드셀의 온도보상 방법을 제안 하였다.
비 직선적 정(+) 저항온도계수 특성을 갖은 PTC thermistor눈 전이온도(큐리점) 부근에서 온도변화에 대하여 극히 큰 저항 값의 변화를 나타내는 산화물계반도체 저항기(또는 발열체)로써, 일반적으로 반도체의 온도-저항 특성과 같이 상온영역에서 온도의 상승과 함께 부성저항 특성을 나타내어 감소하다가, 온도가 점점 증가하여 큐리점 부근에 도달하면 저항이 급격히 증가하는 독특한 특성을 갖는다. Perovskite 구조의 BaTiO$_3$를 주성분으로 미량의 Dopant를 첨가하여 도전성을 갖게 한 N형 반도체의 일종으로, 저항-온도 특성, 전류-전압 특성, 전류감쇄 특성 등을 이용하여 과전류 보호회로, 히터, TV 소자회로(degausser) 모터기동회로, 온도센서, 정온발열기기 등으로 널리 사용된다. 본 연구는 큐리점 부근의 급격한 저항변화 현상과 결정입계의 전위장벽 형성 및 그에 따른 정온발열 기능의 상관성으로부터 정온발열 탐사기능 온열부츠 제작 용 PTC 부픔소재의 응용성을 조사하였다.
비 직선적 정(+) 저항온도계수 특성을 갖는 PTC thermistor는 전이온도(큐리점) 부근에서 온도변화에 대하여 극히 큰 저항 값의 변화를 나타내는 산화물계반도체 저항기(또는 발열체)로써, 일반적으로 반도체의 온도-저항 특성과 같이 상온영역에서 온도의 상승과 함께 부성저항 특성을 나타내다가 온도가 점점 증가하여 큐리점 부근에 도달하면 저항이 급격히 증가하는 독특한 특성을 갖는다. Perovskite 구조의 $BaTiO_3$를 주성분으로 미량의 Dopant를 첨가하여 도전성을 갖게 한 N형 반도체의 일종으로 저항-온도 특성 전류-전압 특성, 전류감쇄 특성 등을 이용하여 과전류 보호회로, 히터, TV 소자회로(degausser), 모터기동회로, 온도센서, 정온발열기기 등으로 널리 사용된다. 본 연구는 큐리점 부근의 급격한 저항변화 현상과 결정입계의 전위장벽 형성 및 그에 따른 정온발열 기능의 상관성으로부터 그 응용성을 조사하였다.
초음파 흡수에 의한 단백질에서의 온도 변화 특성을 관측하기 위하여, 간단한 조직의 형태인 계란 흰자와 계란 흰자의 주성분인 물과 알부민 수용액을 시료로 선택하여, 초음파 흡수에 의한 온도 변화 특성을 물리 음향학적으로 관측하였다. 수 MHz의 초음파를 집속형 변환기에서 연속파의 형태로 시료에 투사하였을 때, 한정된 시료에서의 온도 변화를 측정하였다. 측정결과, 물과 알부민 성분에 의한 온도 증가 효과는 미미함을 알 수 있었다. 초음파 흡수에 의한 계란 흰자에서의 온도 변화는 단백질의 주성분인 알부민에 의한 효과보다는, 단백질을 구성하고 있는 각 성분들의 결합에 의한 효과가 큼을 알 수 있다. 이들 결과에 대한 이론적 검토로부터 초음파 흡수에 의한 인체내 온도 변화 및 부작용에 대한 초음파 강도의 안전기준의 토대 마련이 가능함을 제시하였다.
형상기억합금은 2원 또는 3원 합금에 의해 외력과 온도 변화에 따라 오스테나이트 상과 마르텐사이트 상으로의 상변환을 유발한다. 이와 같은 형상기억합금은 두 가지의 고유한 특성으로 인해 최근에는 의학용 기구나 소형 액츄에이트 및 여러 분야에서 적용되어지고 있다. 이때 형상기억합금의 고유한 특성은 모상인 오스테나이트 상의 형상을 기억하여 외력에 의해 마르텐사이트 상으로 변형된 후에도 오스테나이트 종료온도 이상으로 가열하게 되면 원래의 형상으로 되돌아가는 형상기억 효과와 오스테나이트 종료온도 이상에서 넓은 탄성 영역을 가지는 초탄성 효과 등이다.(중략)
본 연구에서는 다이오드 소자의 온도 증가에 따른 C-V 특성을 분석하였다. 180 kHz 주파수 조건에서 온도는 300 K에서 450 K까지 50 K 간격으로 가변하였다. 측정 결과 reverse bias 영역에서는 커패시턴스의 온도 의존성이 없었으나, forward bias 영역에서는 온도가 증가함에 따라 동일 전압에서의 커패시턴스가 증가하였다. 이로부터 온도가 증가 할수록 소자가 반전(inversion) 상태에서 축적(accumulation) 상태로 빨리 전환함을 확인하였으며, 1/C2-V 그래프로부터 온도 증가에 따른 전위장벽(Built-in potential, Vbi) 감소를 확인하였다. 전위장벽은 0.63 V에서 0.31 V로 온도 상승에 따라 약 0.1 V씩 감소하였다. 이는 energy band diagram에서 p-type 영역과 n-type 영역의 energy band 차가 감소해 공핍층 영역의 폭이 좁아짐을 의미한다. 공핍층의 두께 감소로 다이오드 전류의 급격한 증가뿐 아니라 위에서 언급한 바와 같은 C-V 특성을 보였다. 이번 연구에서는 기존의 보편화 된 I-V 측정을 통한 다이오드 소자 분석과는 달리 온도 변화에 따른 C-V 분석을 통해 소자 내부의 전위 장벽 및 공핍층 폭 감소에 따른 소자 특성 변화를 분석하였다.
본 연구는 출력특성의 안정성과 정밀성이 우수한 광전류센서의 개발을 위하여 센싱부의 온도변화에 따른 출력신호를 검토하고, 온도변화에 따른 출력특성이 안정된 센싱부를 적용하여 출력특성을 연구하였다. 기존 광전류센서에서 중요시스템인 센싱부의 광섬유의 온도특성과 Verdet 상수의 온도의존도에 따라 출력신호가 불안정하다. 이러한 광전류센서의 온도변화에 따른 오차를 개선하기 위해 센싱부에 대한 온도특성을 분석하고, 온도변화에 내구성이 뛰어난 소재를 적용함으로써 센싱부의 안정된 출력특성을 가지는 광전류센서를 개발하고자한다.
논문에서는, 일반적인 스트립 구조의 결합기가 갖는 문제 즉, 높은 온도에서 나쁜 특성을 보이는 문제점을 극복하고자 Air Line Type의 결합기를 구현하였다. 또한 이 결합기는 24dB이상의 지향성을 가지고 있다. 해석을 위해 짝수 모드와 홀수 모드 해석법을 사용하였고, EM-Simulation으로 확인한 특성과 실제 제작된 20dB, 30dB Cellular 대역(800-900MHz) Air Line 결합기의 결과 특성은 좋은 일치를 보여주고 있다. 또한 최대 장점인 온도 특성은 온도 데이터를 통하여 온도에 강한 특성을 보임을 알 수 있다.
목적 : 뜸 연소 실험을 통해 간접구의 일종인 온구기의 연소 특성을 조사하였다. 방법 : 온구기를 유리판 위에 놓고 연소하여 50분간 온도 데이터를 수집하였다. 총 20개의 뜸봉을 연소하여 수집된 데이터를 분석하여 평균 온도, 최고 온도, 최고 온도 도달 시간, 최고 온도 지속 시간을 계산하였다. 또 혈류량을 증가시킨다고 보고된 온도($38^{\circ}C$)에 도달하는 시간, 그 이상의 온도로 지속되는 시간, C-fiber의 활성화를 통해 치료효과를 나타내는 것으로 보고된 온도($42-50^{\circ}C$)에 도달하는 시간과 그 범위 내의 지속시간을 계산하였다. 결과 : 평균 최고온도는 $50.4^{\circ}C$이고 평균 도달시간은 1,007초, 평균 지속시간은 27초였다. 평균최고 온도는 보고된 다른 간접구와 유사하였으나 평균 도달시간은 더 길었다. $38^{\circ}C$에 도달하는 평균시간은 410초이고 지속 시간은 1,813초였다. $42-50^{\circ}C$에 도달하는 평균시간은 521초이고 지속시간은 990초였다. 결론 : 온구기는 연소 특성이 보고된 다른 종류의 뜸보다 더 오랜 시간 동안 안정적인 열자극이 가능하여, 뜸치료의 임상 활용의 폭을 높일 수 있을 것으로 사료된다.
본 연구에서는 CIGS박막 태양전지의 온도 및 시간 인가에 따른 전기적 특성 변화를 분석하였다. 실험에서는 온도 스트레스를 $25^{\circ}C$, $50^{\circ}C$, $100^{\circ}C$, $150^{\circ}C$, $200^{\circ}C$에서 각각 10시간씩 인가한 후에 Dark I-V와 C-V측정을 통해 전기적 특성 변화를 분석하였다. $25^{\circ}C$일 때를 초기 온도로 하여 특성을 측정한 것과 온도별로 노출시킨 후에 측정한 것을 비교했을 때 소자의 효율은 $100^{\circ}C$에서 감소하기 시작하였고, 인가한 온도가 높을수록 점점 많이 감소하는 모습이 나타났다. 이와 비슷하게 I-V그래프와 C-V그래프의 모습도 초기 값과 비교해서 변화하는 모습이 나타났고, 온도가 높아질수록 점점 변화하는 양이 증가하였다. I-V그래프에서 Diode ideality factor는 온도변화에 따라 초기 값 대비 증가하는 모습이 나타났다. 온도에 노출되기 전보다 노출된 후에 current와 capacitance가 감소하는 경향을 보이는데, 이는 온도의 영향으로 인해 소자의 결함이 증가하여 전하들의 반응에 영향을 주었기 때문으로 판단된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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