Kim, J.G.;Lee, W.Y.;Kim, Y.J.;Han, G.H.;Kim, D.J.;Kim, H.C.;Koo, J.H.;Kwon, G.C.;Cho, G.S.
Journal of the Korean Vacuum Society
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v.21
no.6
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pp.301-311
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2012
Discharge property of plasma jet devices is investigated for the application to the doping processes of crystalline solar cells and others. Current-voltage characteristics are shown as the typical normal-glow discharge in the various gas pressure of plasma jets, such as in the atmospheric plasma jets of Ar-discharge, in the ambient pressure of atmospheric discharge, and in the ambient Ar-pressure of Ar-discharge. The discharge voltage of atmospheric plasma jet is required as low as about 2.5 kV while the operation voltage of low pressure below 200 Torr is low as about 1 kV in the discharge of atmospheric and Ar plasma jets. With a single channel plasma jet, the irradiated plasma current on the doped silicon wafer is obtained high as the range of 10~50 mA. The temperature increasement of wafer is normally about $200^{\circ}C$. In the result of silicon wafers doped by phosphoric acid with irradiating the plasma jets, the doping profiles of phosphorus atoms shows the possibility of plasma jet doping on solar cells.
This study analyzed the structural and electrical characteristics of an iron fittings type Corrugated Stainless Steel Tubing (CSST) damaged by the Primary Current Injection Test System (PCITS). CSST consists of cladding, tube, nuts, clamp ring, flare cap, socket, and ball valve. For an evaluation of the dielectric withstand voltage, the area between the live part and non-live part of the CCST shall withstand a voltage of 220 V AC for one minute. For an evaluation of the insulation performance by 500 V DC, it is required that the insulation exceed more than $1M{\Omega}$ before the temperature rise test, $0.3M{\Omega}$ after the test. Although the average resistance of the product was $11.5m{\Omega}$, that of the product damaged at a current of 130 A by the PCITS was $11.50m{\Omega}$. Furthermore, parts of the cladding were melted and black smoke appeared when a current of 130 A applied for 10 s. After 60 s, most parts were heated and turned red. At 120 s, the parts that turned red had widened. Although it did not form a normal distribution because the P value was 0.019 with a confidential interval of 95%, it revealed outstanding characteristics with an AD (Anderson-Darling) value of 0.896 and a standard deviation of 0.5573.
Rice seeds of 4 cultivars including Whachung-giant embryonic rice and Nampung-giant embryonic rice, as a group of the non-waxy rice cultivars, and Shinsunchal-giant embryonic rice and Whachungchal-giant embryonic rice, as that of the waxy rice cultivars, were germinated at $27^{\circ}C$ for 3 days to compare the changes in some physicochemical properties of the starch granules and the starch-hydrolysing enzyme activities during germination, respectively. ${\alpha}-Amylase$ activity of rices germinated for 3 days found to be higher than that of malt. Especially, Whachung-giant embryonic rice and Shinsunchal-giant embryonic rice were greater in activity than other rice cultivars and possessed the activities double that of malt. In contrast, ${\beta}-amylase$ of germinated rice found to be considerably less active than malt, although the giant embryonic rice group showed prevalent activity as compared o the normal rice group. With the starch granules, the amount of long glucose chains from amylose molecules were reduced in the non-waxy type giant embryonic rices, while the chain length increase was found in the waxy type giant embryonic rices. For the distribution profile of the glucose chain length from amylopectin molecules, we could observed that the chain length with DP (degree of polymerization) ranged 33 to 66 and 14 to 32 increased with the decreasing rate of that above 67 and below 13 regardless of starch waxiness. With non-waxy type of giant embryonic rices, susceptibility for glucoamylase were found to reduce along with germination, however, increase in susceptibility was observed with waxy rice types. In addition, we found the reduction in both initiation and termination temperature, and enthalpy for gelatinization.
We have demonstrated structural evolution and optical properties of the Si-NWs on Si (111) substrates with synthesized nanoscale Au-Si islands by rapid thermal chemical vapor deposition(RTCVD). Au nano-islands (10-50nm in diameter) were employed as a liquid-droplet catalysis to grow Si-NWs via vapor-liquid-solid mechanism. Si-NWs were grown by a mixture gas of $SiH_4\;and\;H_2$ at pressures of $0.1{\sim}1.0$Torr and temperatures of $450{\sim}650^{\circ}C$. SEM measurements showed the formation of Si-NWs well-aligned vertically for Si (111) surfaces. The resulting NWs are 30-100nm in diameter and $0.4{\sim}12um$ in length depending on growth conditions. HR-TEM measurements indicated that Si-NWs are single crystals convered with about 3nm thick layers of amorphous oxide. In addition, optical properties of NWs were investigated by micro-Raman spectroscopy. The downshift and asymmetric broadening of the Si optical phonon peak with a shoulder at $480cm^{-1}$ were observed in Raman spectra of Si-NWs.
In this study we have investigated the sealing characteristics of glasses suitable for producing the magnetic gap of the ferrite head cores which have been widely used for VTR and computer magnetic heads. $PbO-B_2O_3$ g1asses were evaluated by measuring microhardness, thermal expansion coefficient and sliding wear resistance. Concentration distribution of elements at the interface was observed by WDS. wettability was measured by high temperature microscopy. The results were as follows ; 1. In sealing glasses of $PbO-B_2O_3$ system, thermal expansion coefficient and wear volume were increased with increasing PbO content, and were decreased with increasing $B_2O_3$ content. 2. The contact angle of $PbO-B_2O_3$ Systems was mainly influenced by PbO content. 3. The sealing temperature showed a tendency to decrease proportionally with the increase of the coefficient of thermal expansion. 4. The diffusion at the interface between Mn-Zn single crystal ferrite and sealing glasses of $PbO-B_2O_3$ system was dominated by small amount of diffusion of ferrite content into glass part, which was very little affected by sealing heat treatment time.
The heat generation tests of SiC and MO$_2$ samples by use of a microwave heating system were carried out and UO$_2$+5 wt% CeO$_2$ pellets were sintered in a microwave furnace in an oxidizing atmosphere, by taking into account the characteristics of the microwave heating obtained from the heat generation tests. The characteristics of pellets sintered in a microwave furnace were analysed and compared with those of the pellets sintered in a conventional electrical furnace. The temperature of MO$_2$ pellets with microwave heating increased quickly with input power and the variation of output power depended on the reaction characteristics of SiC and MO$_2$ with microwave. The sintered density of UO$_2$+5wt% CeO$_2$ pellets sintered in the microwave furnace was lower about 2% T.D. than that of the pellets sintered in an electrical furnace with sintering parameters. The microstructure of pellets sintered in microwave furnace has a broader pore distribution but has a larger grain size than that of the pellets sintered in the electrical furnace.
Jangan-eup, located in Busan, South Korea,is a famous pottery-producing area in the Joseon Dynasty period. The aim of this paper was to determine the correlation of the pottery from each kiln site of Jangan-eup by analyzing the ingredients of clay as well as its production technique and firing condition. The materials that were used for the study were fragments of inlaid celadon, white porcelain, and white porcelain painted with underglazed iron excavated from six kiln sites of Jangan-eup:Sil-li, Daeryong-li, Hajangan-li, Sangjangan-li, Yongso-li, and Dumyeong-li. In each of the samples from the six kilns, cristobalite, mullite, and quats were found. The firing temperature distinguished from the crystal structure was higher in the following order: Dumyeongli>Sangjangan-li>Daeryong-li>Hajangan-li>Yongso-li>Sil-li. The samples were divided into four groups based on the ingredients of the clayfound therein: the Sil-li andDaeryong-li group, the Hajangan-li and Sangjangan-li group, the Yongso-li group, and the Dumyeong-li group. It was also found that the sample of Dumyeong-li was made using the most homogeneous clay compared with the other samples. The pottery of Jangan-eup had $40-400{\mu}m$ glaze, had bubbles in their bodies, and had $10-150{\mu}m$ sizes.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.15
no.3
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pp.124-127
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2005
It is demonstrated that the annealing process for Ti in-diffusion to z-cut $LiNbO_3$ at temperature lower than the curie temperature in a platinum (Pt) box can cause a ferroelectric micro-domain inversion at the +z surface and Li out-diffusion, therefore which should be avoided or suppressed for waveguide type periodically poled lithium niobate (PPLN) devices. The depth of the inversion layer depends on the Ti-diffusion conditions such as temperature, atmosphere, the sealing method of $LiNbO_3$ in the Pt box and crystal orientation is experimentally examined. The result shows that the polarization-inverted domain boundary appears at the only +z surface and its thickness is about $1.6{\mu}m$. Also, for the etched $LiNbO_3$, surface the domain shape was observed by the optical microscope and atomic force microscopy (AEM), and distribution of the cation concentrations in the $LiNbO_3$ crystal by the secondary ion mass spectrometry (SIMS).
Kim, Young-Min;Jang, Gun-Eik;Kim, Nam-Kyeong;Yeom, Seung-Jin;Hong, Suk-Kyoung;Kweon, Soon-Yong
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.257-257
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2007
고밀도 FeRAM (Ferroe!ectric Random Access Memory) 소자를 개발하기 위해서는 강유전체 물질을 이용한 안정적인 스텍형의 커패시터 개발이 필수적이다. 특히 $(Bi,La)_4Ti_3O_{12}$ (BLT) 강유전체 물질을 이용하는 경우에는 낮은 열처리 온도에서도 균질하고 높은 값의 잔류 분극 값을 확보하는 것이 가장 중요한 과제 중의 하나이다. 불행히도, BLT 물질은 a-축으로는 약 $50\;{\mu}C/cm^2$ 정도의 높은 잔류 분극 값을 갖지만, c-축 방향으로는 $4\;{\mu}C/cm^2$ 정도의 낮은 잔류 분극 값을 나타내는 동의 강한 비등방성 특성을 보인다. 따라서 BLT 박막에서 각각 입자들의 크기 및 결정 방향성을 세밀하게 제어하는 것은 무엇보다 중요하다. 본 연구에서는 16 Mb의 1T/1C (1-transistor/1-capacitor) 형의 FeRAM 소자를 BLT 박막을 적용하여 제작하였다. 솔-젤 (sol-gel) 용액을 이용하여 스핀코팅법으로 BLT 박막을 증착하고, 후속 열처리 공정을 RTP (rapid thermal process) 공정을 이용하여 수행하였다. 커패시터의 하부 전극 및 상부 전극은 각각 Pt/IrOx/lr 및 Pt을 적용하였다. 반응성 이온 에칭 (RIE: reactive ion etching) 공정을 이용하여 커패시터를 형성시킨 후, 32k-array (unit capacitor: $0.68\;{\mu}m$) 패턴에서 측정한 스위칭 분극 (dP=P*-P^) 값은 약 $16\;{\mu}C/cm^2$ 정도이고, 웨이퍼 내에서의 균일도도 2.8% 정도로 매우 우수한 특성을 보였다. 그러나 단위 셀들의 특성을 평가하기 위하여 bit-line의 전압을 측정한 결과, 약 10% 정도의 커패시터에서 불량이 발생하였다. 그리고 이러한 불량 젤들은 매우 불규칙적으로 분포함을 확인할 수 있었다. 이러한 불량 원인을 파악하기 위하여 양호한 젤과 불량이 발생한 셀에서의 BLT 박막의 미세구조를 분석하였다. 양호한 셀의 BLT 박막 입자들은 불량한 셀에 비하여 작고 비교적 균일한 크기를 갖고 있었다. 이에 비하여 불량한 셀에서의 BLT 박막에는 과대 성장한 입자들이 존재하고 이에 따라서 입자 크기가 매우 불균질한 것으로 확인되었다. 또 이러한 과대 성장한 입자들은 거의 모두 c-축 배향성을 나타내었다. 이상의 실험 결과들로부터, BLT 박막을 이용하여 제작한 FeRAM 소자에서 발생하는 불규칙한 셀 불량의 주된 원인은 c-축 배향성을 갖는 과대 성장한 입자의 생성임을 알 수 있었다. 즉 BLT 박막을 이용하여 FeRAM 소자를 제작하는 경우, 균일한 크기의 입자 및 c-축 배향성의 입자 억제가 매우 중요한 기술적 요소임을 알 수 있었다.
Seo, Sang Wan;Kim, Ji Hong;Lee, Young-Seak;Im, Ji Sun
Applied Chemistry for Engineering
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v.29
no.6
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pp.652-656
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2018
In this study, effects of the reaction pressure were studied for petroleum-based pitch synthesis. A two-stage reaction process was performed based on different reaction pressure conditions. Each stage experiments for the two-stage reaction were consecutively carried out. The first stage was consisted of three different pressure conditions; high (10 bar), normal and low (0.1 bar). And the second stage was carried out at the normal and low (0.1 bar) pressure. The pitch synthesis was realized at $400^{\circ}C$ for 2 h. Thermal properties and molecular weight distributions of each samples were investigated by analyzing the softening point and MALDI-TOF data. Volatilized components during the pith synthesis were measured by GC-SIMDIS. In case of the first-step reaction with the high pressure condition, the low molecular weight component participated to the pitch formation more effectively and the pitch with the low softening point was obtained. However, for the case of the first-step with the low pressure, the low molecular weight component was vent outside and the partial coke formation occurred. Eventually, pitch properties such as the softening point and yield were controlled effectively by changing the pressure in the pitch synthesis reaction.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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