• 한국식품영양과학회지
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• 제35권6호
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• pp.754-760
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• 2006

장기보존성을 가지면서 취급과 휴대가 간편한 금속 캔을 이용한 포장김치의 열 침투 특성을 조사한 것을 기초로 최소열처리를 하였다. 이로 인한 포장김치의 이화학적 및 관능적 특성 등 전반적인 품질변화에 대하여 연구하였다. 캔 포장김치의 열 침투 특성 데이터를 이용하여 저온에서 $F_{60}$값이 18분에 해당되는 열처리 시간을 구한 결과 이론적으로 $65^{\circ}C$에서 는 23.1분, $70^{\circ}C$에서는 17.7분, $80^{\circ}C$에서 는 12.7분의 시간이 필요함을 알 수 있었다. 이를 기초로 최소 열처리한 실험군들은 대조군에 비해 pH와 총산이 거의 유지되었고, 젖산균 수는 $107^{7}{\sim}108^{8}$에서 $10^2{\sim}10^3(CFU/mL)$으로 $10^{-3}{\sim}10{-4}$ 정도 감소시켜 산패를 지연시키는데 영향을 주었으나 이론적인 균수 감소에 완전히 도달하지는 못하였다. 조직감과 색도는 저장시간이 지남에 따라 대조군보다 좋은 것으로 나타났고 각 열처리 온도에 대해서는 뚜렷한 차이를 보이지 않았다. Carotenoid와 ascorbic acid는 pH저하 등 발효로 인한 감소보다는 열처리에 따른 손실량이 더 큰 것으로 나타났으며, chlorophyll은 저장하는 동안 큰 변화 없이 모든 군에서 미량으로 존재하였고 각 군 간에도 유의적 차이는 보이지 않았다. 관능검사에서는 열처리한 실험군이 산패로 인한 신내와 신맛은 감소시킬 수 있었지만 열처리로 인한 이취, 이미가 강하였고 조직감에서는 대조군과 차이가 있었다. 따라서 열처리 공정으로 인한 품질변화의 보완 및 한정된 유통기한 동안에 최소가공(minimal processing)에 의한 포장김치의 상품화 가능성에 대해 후속 연구가 필요한 것으로 판단된다.

• 한국식품과학회지
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• 제38권3호
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• pp.342-347
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• 2006

한국산 배의 열처리조건에 따른 성분변화 및 항산화효과를 검토하기 위하여 열처리온도(110, 120, 130, 140 및 $150^{\circ}C$)와 열처리 시간(1, 2, 3, 4 및 5시간)을 변수로 처리하고 총폴리페놀, 총플라보노이드, 유리당, 5-HMF 및 EDA(%)의 $IC_{50}$값을 측정하였다. 대조구의 총 폴리페놀 및 총 플라보노이드 함량은 각각 $0.233{\pm}0.024\;mg/g$ 및 $1.50{\pm}0.20\;{\mu}g/g$이였으며 열처리온도가 높고 시간이 길수록 증가하는 경향을 보였고, 총 폴리페놀 함량은 $150^{\circ}C$, 1시간 처리구에서 $3.342{\pm}0.007\;mg/g$, 총 플라보노이드함량은 $150^{\circ}C$, 4시간 처리구에서 $561.49{\pm}16.93\;{\mu}g/g$로 가장 높았다. EDA(%)의 $IC_{50}$값은 대조구에서 $64.58{\pm}0.99\;mg/g$이였고 처리온도가 높고 처리시간이 길수록 $IC_{50}$ 값은 낮아지는 경향을 보였고, $150^{\circ}C$, 2시간 처리구에서 $1.93{\pm}0.01\;mg/g$으로 최저 값을 보였다. 유리당 중 fructose는 $110-140^{\circ}C$, 2시간 처리구까지 변화가 작았지만 $140^{\circ}C$, 3시간 처리구부터 감소하였다. 5-HMF 함량은 대조구에서 $2.04{\pm}0.21\;ppm$이였고 처리온도가 높고 처리시간이 길수록 증가하였다. $140^{\circ}C$, 2시간 처리구까지 완만히 증가하다 그 이후 처리구부터 급격히 증가하였고, $150^{\circ}C$, 5시간 처리구에서 $5,594.93\;{\pm}6.43\;ppm$으로 최고값을 나타내었다. 통계분석결과 처리온도와 시간이 증가함에 따라 총폴리페놀, 총플라보노이드, fructose, 5-HMF 및 $IC_{50}$값 사이에 높은 상관관계를 나타내었다(p<0.001). 최적 열처리조건은 fructose 및 5-HMF의 함량변화가 적고, 총폴리페놀, 총 플라보노이드 및 항산화활성이 높은 $130-140^{\circ}C$, 2-3 hr 처리구를 선정하였으며 열처리에 의한 성분변화에 대해 심도 있는 연구가 필요하다고 사료된다. 또한 본 연구는 배에 국한되어 있으므로, 앞으로 과일 및 채소류 등의 다양한식품의 적용이 필요할 것으로 생각되어 진다.

• 한국식품과학회지
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• 제45권1호
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• pp.34-39
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• 2013

본 연구는 전분 및 단백질 함량이 높은 녹두를 산으로 가수분해 시킨 다음 열처리를 통한 항산화 활성의 변화를 조사하였다. 유리당 및 유리아미노산 최대생성 가수분해조건은 6 N 염산으로 2시간 처리조건으로 선정하였으며, $130^{\circ}C$에서 2시간 열처리 한 다음 갈변도, 5'-HMF함량, 환원당, 항산화 성분 및 활성을 검토하였다. 갈변도는 가수분해 시키지 않은 열처리에서는 0.17이었지만 가수분해 후 열처리에서 2.31로 최대 값을 나타내었으며, 5'-HMF 함량도 산가수분해 시키지 않은 열처리에서는 검출되지 않았지만 가수분해 후 열처리에서 81.61 mg/g로 증가하였다. 환원당은 열처리 전 가수분해만 하였을 경우 190.48 mg/g이었지만 열처리 후 137.34 mg/g으로 감소하였다. 총 폴리페놀 함량은 가수분해 시키지 않은 열처리에서는 8.79 mg/g이었지만 열처리 후에는 55.95 mg/g으로 증가하였다. ABTS 라디칼소거능은 가수분해 시키지 않은 열처리에서는 1.75 mg AA eq/g이었지만 열처리 후에는 22.18 mg AA eq/g으로 증가하였으며, DPPH 라디칼소거능은 0에서 3.644 mg Trolox eq/g으로 증가하였다.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• 제46권5호
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• pp.471-485
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• 2018

잣나무 열압밀화재의 완전한 치수안정화를 위해 열압밀화 후 열처리를 하였다. 열처리가 된 열압밀화재의 치수안정성 평가를 위해 흡수시험을 실시하였다. 0.43의 비중인 목재를 두께 압축률 50%로 열압밀화를 실시하여 0.79의 비중을 가진 고비중재를 얻었다. 열압밀화 후 열처리를 통하여 열처리 온도와 시간이 증가함에 따라 흡수성과 팽윤성이 감소하였다. 두께 회복률의 경우는 $120^{\circ}C$, $140^{\circ}C$, $160^{\circ}C$ 모두 24시간동안 열처리를 진행하였을 때, 1% 미만의 두께 회복도를 나타내었다. 따라서 열압밀화재의 치수안정화는 후 열처리 공정을 통하여 매우 효과적으로 시행할 수 있는 방법임을 확인할 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.194-194
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• 2013

본 연구에서는 a-IGZO 활성층에 다른 dose량의 수소 이온을 조사하여 박막 트랜지스터 소자의 효과를 알아보고, 수소 이온 조사 후, 이온 조사에 따른 불안정한 소자 특성을 안정화시킬 목적으로 후 열처리에 따른 소자 특성을 알아보았다. a-IGZO 활성층에 수소이온을 110keV의 에너지로 가속하여, 수소 이온 조사량을 $1{\times}10^{14}\;ion/cm^2$, $1{\times}10^{15}\;ion/cm^2$, $1{\times}10^{16}\;ion/cm^2$로 조절하였고, 후 열처리 공정은 a-IGZO 활성층에 $1{\times}10^{16}\;ion/cm^2$ 이온조사 후, 대기 분위기로 $150^{\circ}C$, $250^{\circ}C$, $350^{\circ}C$ 각각 1시간 동안 열처리를 진행하였다. Spectroscopy Ellipsometry (SE)로 측정된 3eV이상의 광학적 밴드 갭은 기존에 보고 되었던 비정질 산화물 반도체와도 유사한 밴드 갭을 가지고 있음을 확인하였다. IGZO 박막을 활성층으로 사용하여 수소 이온 조사 공정 후 제작한 박막 트랜지스터는 3.89 $cm^2/Vs$의 전계효과이동도와 0.59V/decade의 문턱전압 이하 기울기를 보았다. 수소 이온 조사 공정을 통한 IGZO 박막 트랜지스터의 output curve가 다소 불안정함을 보였으나, $1{\times}10^{16}\;ion/cm^2$ 이온조사 후, 대기 분위기로 $150^{\circ}C$, $250^{\circ}C$, $350^{\circ}C$ 각각 1시간동안 열처리를 진행한 박막 트랜지스터의 특성은 소자의 불안정성을 보완해줄뿐만 아니라 $350^{\circ}C$ 열처리에서는 16.9 $cm^2/Vs$의 전계효과이동도와 0.33V/decade의 문턱전압 이하 기울기와 같이 더 향상된 박막 트랜지스터의 전기적 특성 결과를 관측하였다. 기존의 연구 되어진 a-IGZO 활성층에 수소이온조사와 후 열처리 공정에 따라 광학적 밴드 갭 에너지 준위의 변화와 박막 및 박막 트랜지스터 특성을 변화시킨다는 결과를 도출하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.300-300
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• 2010

Ceramic capacitor의 에너지내량을 향상시켜 제품의 신뢰성을 높이고자 RF Sputtering을 이용하여 외부전극을 형성하였다. 본 연구에서는 Target의 종류, 증착 시간 및 열처리 유/무에 따른 Ceramic capacitor의 전기적 특성 및 미세구조를 분석하여 최적조건을 확립하였으며, 최적 증착 조건으로 제작한 Ceramic capacitor의 에너지내량을 측정하였다. Target은 Ni target과 Cu target을 사용하였으며, Sputtering 시간은 10, 30, 60분으로 하였다. Sputtering 시간에 따른 Ceramic capacitor의 용량 특성과 손실은 큰 차이가 없었지만, Wire 연결시 Sputtering 시간에 따라 납땜성의 차이가 나타났으며, 증착 시간과 열처리 유/무에 따른 에너지내량의 변화를 확인하였다.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• 제48권6호
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• pp.780-790
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• 2020

본 연구에서는 낙엽송 열처리재의 세포벽 미세구조와 항팽윤효율을 평가하고, 이들 간의 상호관계를 분석하고자 하였다. 이를 위하여 낙엽송 판재를 190℃와 220℃의 온도 조건에서 12시간, 18시간, 24시간 동안 열처리하였다. 열처리된 낙엽송재의 횡단면을 1,000배 확대하여 관찰한 결과, 열처리재의 경우 세포가 원래의 형태를 유지하지 못 했으며, 세포의 단면이 거칠게 절단되었고, 세포 간 결합이 끊어지면서 세포간극이 늘어났음을 확인할 수 있었다. 또한, 처리 조건 별 팽윤 실험 결과, 열처리 온도와 시간이 증가함에 따라 수분 흡수량과 팽윤량이 감소하였으며, 항팽윤효율은 증가하는 경향을 보였다. 수분 흡수량의 감소는 열처리에 의한 세포벽의 화학적 변화에 영향을 받은 것으로 보이며, 팽윤량의 감소 및 항팽윤효율의 증가는 화학적 변화 뿐만 아니라 세포벽의 구조적인 변화와 같은 물리적인 변화가 복합적으로 영향을 미쳤기 때문인 것으로 생각된다.

• 한국주조공학회지
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• 제41권6호
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• pp.535-542
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• 2021

본 연구에서는 주철-알루미늄 이종재료의 계면결합강도를 향상시키기 위하여 탈흑연 열처리를 통해 주철 표면에서 일정 깊이까지의 흑연을 제거하였다. 열처리 시간이 증가함에 따라 흑연이 제거되는 깊이는 증가하였으며, 열처리 시간과 깊이 사이에 선형 관계가 나타났다. 일정 깊이의 흑연이 제거된 주철에 알루미늄을 다이캐스팅 공법으로 주조접합하여 주철에서 흑연이 제거된 공간을 알루미늄으로 채운 후, 계면 반응 및 알루미늄 침투 깊이를 조사하고 계면접합강도를 평가하였다. 다이캐스팅 공법을 통한 알루미늄은 탈흑연 열처리된 주철 표면에서 일정한 깊이까지 채워지는 것으로 확인되었으며, 주철-알루미늄 계면에 금속간화합물이 생성되지는 않은 것으로 확인되었다. 계면접합강도는 열처리 시간과는 큰 관계없이 90MPa 수준의 접합강도를 나타내었으며 이는 탈흑연 열처리를 하지 않은 소재의 접합강도 12MPa에 비해 매우 높은 강도이며, 주철의 탈흑연 영역에서 고압 다이캐스팅 공정에 의해 침투된 알루미늄 용탕이 응고되면서 언더컷 구조의 기계적 결합에 의한 것으로 생각된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.262-262
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• 2016

최근 고해상도 디스플레이가 주목받으면서 기존 비정질 실리콘(a-Si)을 대체할 수 있는 재료에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. a-Si의 경우 간단한 공정 과정, 적은 생산비용, 대면적화가 가능하다는 장점이 있지만 전자 이동도가 매우 낮은 단점이 있다. 반면, 산화물 반도체는 비정질 상태에서 전자 이동도가 높으며 큰 밴드갭을 가지고 있어 투명한 특성을 나타낼 뿐만 아니라, 저온공정이 가능하여 기판의 제한이 없는 장점을 가지고 있다. 대표적으로 가장 널리 연구되고 있는 산화물 반도체는 a-IGZO(amorphous indium-gallium-zinc oxide)이다. 그러나 InZnO(IZO) 기반의 산화물 반도체에서 carrier suppressor 역할을 하는 Ga(gallium)은 수요에 대한 공급이 원활하지 못하여 비싸다는 단점이 있다. 그러므로 경제적이면서 a-IGZO와 유사한 전기적 특성을 나타낼 수 있는 suppressor 물질이 필요하다. 따라서 본 연구에서는 IZO 기반의 산화물 반도체에서 Ga을 Hf(hafnium), Zr(zirconium), Si(silicon)으로 대체하여 용액증착(solution-deposition) 공정으로 각각의 채널층을 형성한 back-gate type의 박막 트랜지스터(thin-film transistor, TFT) 소자를 제작하였다. 용액증착 공정은 물질의 비율을 자유롭게 조절할 수 있고, 대기압의 조건에서도 공정이 가능하기 때문에 짧은 공정시간과 저비용의 장점이 있다. 제작된 소자는 p-type Si 위에 게이트 절연막으로 100 nm의 열산화막이 성장된 기판을 사용하였다. 표준 RCA 클리닝 후에 각 solution 물질을 spin coating 방식으로 증착하였다. 이후, photolithography, develop, wet etching의 과정을 거쳐 채널층 패턴을 형성하였다. 또한, 산화물 반도체의 전기적 특성을 향상시키기 위해서 후속 열처리 과정(post deposition annealing, PDA)은 필수적이다. CTA 방식은 높은 열처리 온도와 긴 열처리 시간의 단점이 있다. 따라서, 본 연구에서는 $100^{\circ}C$ 이하의 낮은 온도와 짧은 열처리 시간의 장점을 가지는 MWI (microwave irradiation)를 후속 열처리로 진행하였다. 그 결과, 각 물질로 구현된 소자들은 기존 a-IGZO와 비교하여 적은 양의 carrier suppressor로도 우수한 전기적 특성 및 안정성을 얻을 수 있었다. 따라서, Si, Hf, Zr 기반의 산화물 반도체는 기존의 Ga을 대체하여 저비용으로 디스플레이를 구현할 수 있는 IZO 기반 재료로 기대된다.

• 한국세라믹학회지
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• 제36권8호
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• pp.835-842
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• 1999

본 연구에서는 Ag-Cu-Ti 와 Ag-Cu-In-Ti 를 사용하여 브레이징법으로 질화규소 간 접합체를 제작하고 $400^{\circ}C$와 $650^{\circ}C$에서 장시간(2000 h) 열처리 후 파괴 강도의 변화를 살펴보았다. 접합후 강도는 Ag-Cu-Ti 가 높게 나왔지만, 열처리 시간이 증가할수록 Ag-Cu-In-Ti 의 경우가 강도의 감소 정도가 작은 것으로 나타났다. 또한 고온 응용을 위해 개발된 새로운 접학 합금인 Au-Ni-Cr-Mo-Fe 계를 이용하여 질화 규소 간의 접합체를 제작하여 $650^{\circ}C$에서 100시간까지 장시간 열처리 하였다 접합 당시의 강도는 상용 접합 합금보다는 낮은 값을 보였지만, 열처리를 함에 따라 강도의 증가를 보였다 SUS316과의 접합시에는 중간재로 몰리브데늄 또는 구리를 사용하였으며 $400^{\circ}C$에서 1000시간 동안 열처리하였다. 강도는 몰리브데늄을 사용한 경우가 높게 나왔지만, 접합체의 형성이 어렵다는 단점이 있었다. 산화 실험에서는 Ti가 첨가된 접합 합금인 Ag-Cu-Ti 의 경우가 첨가되지 않은 Ag-Cu의 경우보다 산화가 잘 일어나며, 인듐을 첨가한 Ag-Cu-In-Ti 의 경우는 산화 억제의 효과가 나타났다. 전반적으로 In을 포함한 접합 합금이 고온 신뢰도 면에서 우수한 것으로 나타났다.