• Journal of IKEEE
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• v.23 no.2
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• pp.704-709
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• 2019

In this paper, the electrical characteristics of tunneling field effect transistor(TFET) was studied for different annealing conditions. The TFET samples annealed using hydrogen forming gas(4 %) and Deuterium($D_2$) forming gas(4 %). All the measurements were conducted in noise shielded environment. The results show that subthreshold slope(SS) decreased by 33 mV/dec after annealing process compared to before annealing. Under various temperature range, the noise is improved by average of 31.2 % for 10 atm Deuterium gas at $V_G=3V$ condition. It is also noticed that, post metal annealing with $D_2$ gas reduces the noise by average of 30.7 % at $I_D=100nA$ condition.

• Proceedings of the KWS Conference
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• 1999.10a
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• pp.153-156
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• 1999

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.82-82
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• 2003

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 1999.10a
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• pp.96-97
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• 1999

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 1999.05a
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• pp.237-237
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• 1999

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2000.11a
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• pp.116-116
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• 2000

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.376-376
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• 2012

본 연구는 Poly-Si에 이온 주입된 Boron의 Activation 거동을 연구하고자 SLS (Sequential Lateral Solidification) Poly-Si과 ELA (Excimer Laser Annealing) Poly-Si의 활성화 거동을 비교 분석하였다. SLS 및 ELA 결정화 방법으로 제조된 Poly-Si을 모재로 비 질량 분리 방식의 ISD (Ion Shower Doping) System을 사용하여 2.5~7.0 kV까지 이온주입 하였다. 이온주입 후 두 가지의 열처리 방법, 즉, FA 열처리(Furnace Annealing)와 RTA 열처리(Rapid Thermal Annealing)를 사용하여 도펀트 활성화 열처리를 수행하고 이온주입 조건 및 활성화 열처리 방법에 따른 결함 회복 및 도펀트 활성화 거동의 변화를 관찰하였다. TRIM-code Simulation 결과 가속 이온 에너지와 조사량이 증가 할수록 이온주입 시 발생하는 결함의 양이 증가하는 것을 정량적으로 계산하였다. 실험 결과 결함의 양이 증가 할수록 Activation이 잘되는 것을 관찰할 수 있었다. SLS Poly-Si에 비하여 ELA Poly-Si의 경우 도펀트 활성화 열처리 후 활성화 효율이 높게 나타났다. 본 결과는 Grain Boundary의 역할과 밀접한 관계가 있으며 간단한 정성적인 Model을 제시하였다. 활성화 효율의 경우 RTA 열처리 시편이 FA 시편에 비하여 높은 것이 관찰되었다. 본 결과는 열처리 온도 및 시간에 따라 변화하는 Boron의 특이한 활성화 거동인 Reverse Annealing 효과에 기인하는 것으로 규명되었다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.4 no.1
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• pp.104-108
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• 1995

Hall 효과 측정을 이용하여 As+이 주입된 다결정 실리콘의 열처리 조건에 따른 활성화 과정을 연구하였다. 주입된 이온의 농도 분포는 SIMS(Secondary Ion Mass Spectroscopy)와 SUPREMIV 모의 실험으로 조사하였다. 열처리 온도가 증가함에 따라 활성층의 전자 면 농도 증가가 뚜렷이 나타났으며, Hall 이동도의 온도 의존성 측정으로 주입된 도우즈에 따라 이온 주입층의 활성화에 필요한 열처리 온도가 달라져야함을 알 수 있었다. 그리고, 접합 손실전류의 감소는 $800^{\circ}C$(30분)의 열처리에서 현저하게 나타났다.

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 1996.05c
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• pp.151-157
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• 1996

Cr 함량이 alloy 600과 alloy 690의 Cr함량 사이에 위치하는 Ni-Cr-Fe 합금을 진공유도 용해법을 이용하여 제조하였다. 합금 인고트에 대하여 열간 가공성 시험을 수행하여 열간 압연 조건을 구하였다. 열간 및 냉간 압연을 거친 시편을 900~120$0^{\circ}C$ 사이의 여러 온도에서 소둔 열처리하였고, 열처리한 시편에 대하여 기계적 특성과 부식특성을 측정, 분석하였다. Cr 함량은 기계적 강도에는 다소 영향을 미치는 것이 발견되었으나 연신율에는 거의 영향을 미치지 않는 것으로 나타났다. 부식속도는 Cr 함량 변화보다 소둔 열처리 온도에 따라 증가하였으며, 110$0^{\circ}C$ 에서 열처리한 경우에는 부식속도가 얼마간 감소하는 것으로 나타났다.

• Journal of agriculture & life science
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• v.44 no.1
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• pp.61-67
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• 2010

This study was to investigate the fructose, total fructan, polyphenol contents, and antioxidant activity of garlic treated acid and heat($100{\sim}140^{\circ}C$ for 2 hr). Optimum condition of acid hydrolysis of fructan was 0.3N $H_2SO_4$ and 5 min. As increasing heating temperature, fructose content was significantly increased from 17.1 to 189.9 mg/g whereas total fructan content was decreased from 248.1 to 2.0 mg/g. The fructan was mostly hydrolyzed by heating at $130^{\circ}C$ for 2 hr. The polyphenol contents was increased from 0.85 to 13.74 mg/g increasing heating temperature and also antioxidant activity was significantly increased. The polyphenol contents and antioxidant activity on acid hydrolysate after heating was slightly increased.