• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.22 no.3
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• pp.31-38
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• 2015

In order to achieve a high speed and high quality silicon wafer bonding, the room-temperature direct bonding using atmospheric pressure plasma and sprayed water vapor was developed. Effects of different plasma fabrication parameters, such as flow rate of $N_2$ gas, flow rate of CDA (clear dry air), gap between the plasma head and wafer surface, and plasma applied voltage, on plasma activation were investigated using the measurements of the contact angle. Influences of the annealing temperature and the annealing time on bonding strength were also investigated. The bonding strength of the bonded wafers was measured using a crack opening method. The optimized condition for the highest bonding strength was an annealing temperature of $400^{\circ}C$ and an annealing time of 2 hours. For the plasma activation conditions, the highest bonding strength was achieved at the plasma scan speed of 30 mm/sec and the number of plasma treatment of 4 times. After optimization of the plasma activation conditions and annealing conditions, the direct bonding of the silicon wafers was performed. The infrared transmission image and the cross sectional image of bonded interface indicated that there is no void and defects on the bonded wafers. The bonded wafer exhibited a bonding strength of average $2.3J/m^2$.

• Korean Journal of Food Science and Technology
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• v.37 no.3
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• pp.372-376
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• 2005

Respiratory characteristics and quality of Fuji apple were investigated at critical conditions for dipping treatment in mild hot water ($40-65^^{\circ}C$) to extend freshness. Dipping treatment conditions under which no damages occurred in peel and flesh of apples stored at $0^{\circ}C$ for 1 month after treatment were: 180 min at $40^{\circ}C$, 60 min at $45^{\circ}C$, 45 min at $50^{\circ}C$, 3 min at $55^{\circ}C$, 1 min at $60^{\circ}C$, and 20 sec at $65^{\circ}C$. Internal carbon dioxide concentrations of apples drastically increased immediately after treatments at 40, 45, and $50^{\circ}C$, then decreased to normal level 1 day after treatment at $0^{\circ}C$. Although internal oxygen concentration of apples showed reversed trend to internal carbon dioxide, no significant differences were observed in concentrations of carbon dioxide and oxygen during storage after treatment of apples at 55, 60, and $65^{\circ}C$. Concentration of internal ethylene of apples treated at 40, 45, and $50^{\circ}C$ increased, similarly to that of carbon dioxide upon heat treatment, then, during storage, decreased to below levels of control and apples treated at 55, 60, and $65^{\circ}C$. Firmness of apples treated at 45 and $50^{\circ}C$ were 6.42 and 10.53% higher than that of control at $0^{\circ}C$ after 7 days after treatment.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.17 no.6
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• pp.644-647
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• 2006

The indium zinc oxide (IZO) thin films were deposited using a radio frequency reactive magnetron sputtering method. Among the various processing variables, $O_{2}$ concentration and annealing temperature after deposition were selected and the optical, electrical, and structural properties of IZO thin films were investigated. As the $O_{2}$ concentration increased, the deposition rate of IZO thin films decreased, the resistivity increased and the transmittance slightly increased. According to atomic force microscopy analysis, the IZO films deposited at pure Ar showed rough surface and those deposited with $O_{2}$ addition exhibited relatively smooth surface. The IZO thin films deposited at pure Ar were annealed at 250, 350, and $450^{\circ}C$, respectively. The IZO thin film deposited at pure Ar showed the lowest transmittance and resistivity and resistivity greatly increased at the annealing temperature exceeding $250^{\circ}C$. The higher annealing temperature IZO films were annealed at, the smoother surface the films showed. The x-ray diffraction revealed that IZO films annealed at higher temperature had better crystalline structures.

• Journal of the Korean Society of Food Science and Nutrition
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• v.44 no.6
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• pp.874-881
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• 2015

In the food industry, thermal treatment is an important process for extending shelf-life of foods. However, heating process affects the physicochemical, nutritional, and microbial properties of foodstuff such as color, texture, pH, and proximate compositions. This study was conducted to select an optimal thermal treatment by observing physicochemical, nutritional, and microbial effects of shiitake mushrooms with different thermal treatment methods. Shiitake mushrooms were washed and sliced equally ($5cm{\times}0.5cm{\times}0.5cm$) and then heat-treated by three methods. Samples were heated in $100^{\circ}C$ boiling water, steamed for 10 min, or pan fried at $130^{\circ}C$ for 4 min. Total color difference values showed significantly increasing tendency with treatment time. For pH values, boiling water-treated mushrooms showed increasing tendency according to increased thermal treatment. For the results of hardness, boiling water or pan frying-treated mushrooms showed reduced tendency within 1 min. In the case of steam-treated mushrooms, hardness values were maintained for 1 min. Organic acid contents of steam-treated sample showed the lowest value among treatments. For microbial counts, steam-treated samples for 3 min showed the lowest value. Consequently, the results of this study suggest that steam treatment could be the optimal thermal treatment to minimize quality loss of shiitake mushrooms.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• v.42 no.1
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• pp.13-19
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• 2014

Three heat-treatment schedules were applied to $90{\times}90mm$ dimension square lumber of Pinus koraiensis, one of major domestic species, and their colors and physical properties were investigated for obtaining an optimum schedule. Each square lumber was heat-treated three times. The temperatures of $170^{\circ}C$ and $190^{\circ}C$, and the time of 9 hours and 13 hours were used for the first heat-treatment. The schedule of $190^{\circ}C$ and 7 hours were used for the next two heat-treatments. The averages of brightness $L^*$ decreased linearly as the heat-treatment repeated and its standard deviations also decreased slightly. While the averages of color difference ${\Delta}E^*$ increased linearly as the heat-treatment repeated and its standard deviations also increased slightly. The average compressive strength of the heat-treated specimen was higher than that of the control by 9%, which deviates from previous reports. ASE and WPG of the heat-treated specimens were measured to confirm that heat-treatment improved dimensional stability significantly.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.437-437
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• 2013

3족 질화물은 우수한 광학 특성과 특히 3족 물질의 조성비 조절로 넓은 대역의 밴드갭 엔지니어링으로 발광다이오드의 물질로 각광 받고 있다. 이와 더불어 발광다이오드의 광추출효율을 향상시키기 위해 다양한 연구들이 활발히 이루어지고 있다. 그 연구 중 하나로 나노, 마이크로 사이즈의 막대와 같은 일차원적 구조와 최근 ITO를 활용한 투명 전극을 대체하여 전도도가 100배 정도 높은 금속을 이용한 옆면 접촉 전극을 도입한 것이 최근 발표되었다. 그러나 옆면 접촉 전극을 형성하기 위해서는 기존의 약 100 nm 정도의 두께의 p-형질화갈륨층은 공정 마진 등에 어려움이 있다. 따라서 기존에 비해 두꺼운 p-형 질화갈륨층이 필요하다. 보통 상용화된 유기 금속화학 증착법을 이용한 p-형 질화갈륨층은 도핑 물질인 Mg의 낮은 활성화와 성장 분위기 중 수소로 인해 양질의 것을 얻기 어렵고 이를 위해 성장 후 추가적인 활성화가 필요하다. 따라서 두꺼워진 p-형 질화갈륨층에 대해서도 기존의 성장 조건과 활성화 조건의 적합 여부와 이에 대한 연구가 필요하다. 따라서 본 연구에서는 양질의 p-형 질화갈륨을 얻기 위하여 성장 조건 및 성장 후 급속 열처리 온도, 시간에 대한 최적화와 약 630 nm 두께의 p-형 갈륨질화층을 가지는 발광다이오드에 대해 급속 열처리 조건에 대한 특성 연구를 실시한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.256-256
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• 2016

기존의 디스플레이 기슬은 마스크를 통해 특정 부분에만 유기재료를 증착시키는 방법을 사용하였으나, 기판의 크기가 커짐에 따라 공정조건에 제약이 발생하였다. 이를 해결하기 위해 최근 용액 공정에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 용액 공정은 기존 진공 증착 방식과 비교하였을 때 상온, 대기압에서 증착이 가능하며 경제적이고, 대면적 균일 증착에 유리하다는 장점이 있다. 반면, 용액 공정으로 제작한 소자는 시간이 지남에 따라 점차 전기적 특성이 변하는 aging effect를 보인다. Aging effect는 용액에 포함된 C기와 OH기 기반의 불순물의 영향으로 시간의 경과에 따라서 문턱전압, subthreshold swing 및 mobility 등의 전기적 특성이 변하는 현상으로 고품질의 박막을 형성하기 위해서는 고온의 열처리가 필요하다. 지금까지 고품질 박막 형성을 위한 열처리는 퍼니스 (furnace) 장비에서 주로 이루어졌는데, 시간이 오래 걸리고, 상대적으로 고온 공정이기 때문에 유리, 종이, 플라스틱과 같은 다양한 기판에 적용하기 어렵다는 단점이 있다. 따라서, 본 연구에서는 $100^{\circ}C$ 이하의 저온에서도 열처리가 가능한 microwave irradiation (MWI) 방법을 이용하여 solution-processed InGaZnO TFT를 제작하였고, 기존의 열처리 방식인 furnace로 열처리한 TFT 소자와 aging effect를 비교하였다. 먼저, solution-processed IGZO TFT를 제작하기 위해 p type Si 기판을 열산화시켜서 100 nm의 SiO2 게이트 산화막을 성장시켰고, 스핀코팅 방법으로 a-IGZO 채널층을 형성하였다. 증착후 열처리를 위하여 1000 W의 마이크로웨이브 출력으로 15분간 MWI를 실시하여 a-IGZO TFT를 제작하였고, 비교를 위하여 furnace N2 gas 분위기에서 $600^{\circ}C$로 30분간 열처리한 TFT를 준비하였다. 제작된 직후의 TFT 특성을 평가한 결과, MWI 열처리한 소자가 퍼니스 열처리한 소자보다 높은 이동도, 낮은 subthreshold swing (SS)과 히스테리시스 전압을 가지는 것을 확인하였다. 한편, aging effect를 평가하기 위하여 제작 후에 30일 동안의 특성변화를 측정한 결과, MWI 열처리 소자는 30일 동안 문턱치 전압(VTH)의 변화량 ${\Delta}VTH=3.18[V]$ 변화되었지만, furnace 열처리 소자는 ${\Delta}VTH=8.56[V]$로 큰 변화가 있었다. 다음으로 SS의 변화량은 MWI 열처리 소자가 ${\Delta}SS=106.85[mV/dec]$인 반면에 퍼니스 열처리 소자는 ${\Delta}SS=299.2[mV/dec]$이었다. 그리고 전하 트래핑에 의해서 발생하는 게이트 히스테리시스 전압의 변화량은 MWI 열처리 소자에서 ${\Delta}V=0.5[V]$이었지만, 퍼니스 열처리 소자에서 ${\Delta}V=5.8[V]$의 큰 수치를 보였다. 결과적으로 MWI 열처리 방식이 퍼니스 열처리 방식보다 소자의 성능이 우수할 뿐만 아니라 aging effect가 개선된 것을 확인할 수 있었고 차세대 디스플레이 공정에 있어서 전기적, 화학적 특성을 개선하는데 기여할 것으로 기대된다.

• Journal of Soil and Groundwater Environment
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• v.12 no.3
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• pp.29-35
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• 2007

Titanium was oxidized with oxygen plasma and calcinated with rapid thermal annealing for degradation of humic acid dissolved in water. Titania photocatalytic plate was produced by titanium surface oxidized with oxygen plasma by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD). RF-power and deposition condition is controlled under 100 W, 150 W, 300 W and 500 W. Treatment time was controlled by 5 min and 10 min. The film properties were evaluated by the X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) and X-Ray Diffraction (XRD). From the experimental results, we found the optimal condition of titania film which exhibited good performance. Moreover photocatalytic capacity was about twice better than thermal spray titania film, and also as good as titania powder.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2013.05a
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• pp.174-174
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• 2013

현재 자동차 강판 시장에서는 승객들의 안전 확보와 연비 향상을 위하여 자동차 강판의 경량화 및 고장력화가 급속히 진행되고 있다. 더불어 소비자는 더욱 아름답고 멋있는 외관을 추구하면서 정교한 디자인이 가능할 수 있도록 높은 성형성을 갖는 강판에 대한 요구도 또한 증대되고 있다. 따라서 강도와 성형성을 동시에 확보할 수 있는 DP형, TRIP형 등의 다양한 컨셉을 갖는 변태강화형 고장력강에 대한 개발 요구가 점점 심화되고 있으나 이들 고장력강의 상 제어를 위하여 첨가된 Si, Mn등의 성분들이 표면에 안정한 산화물을 형성하기 때문에 이러한 고장력강은 표면 품질이 열위한 것으로 보고 되고 있다. 따라서 기존 연구에서는 열처리중 표면으로 확산되어 올라오는 Si, Mn 산화물의 저감을 위하여 분위기 중 산소농도나 노점등을 조절하거나, 산화전처리, 선도금처리 등을 통하여 Si, Mn 의 표면 선택산화를 제어하여 도금 결함을 최소화하려는 연구가 많이 진행되고 있다. 그러나 이러한 연구들은 대부분 강판 표면에서의 산화/환원의 반응에 대한 분위기 요인을 제어하는 연구들이며 실제 Si, Mn등의 산화성 원소들이 어떠한 조건에서 어떠한 경로들을 통해서 이동하여 표면으로 올라오는지에 대한 연구는 부족한 상황이다. 따라서 본 연구에서는 산화성 원소들의 표면 확산 거동에 대한 고찰을 위하여 다양한 열처리 온도 조건을 통한 표면 도금성 경향, 합급화 경향 및 표면 분석결과를 바탕으로 확산 거동에 대한 경향을 밝히고자 하였다.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.12 no.5
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• pp.2267-2271
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• 2011

This study was focused on getting p-type copper-oxide thin-film semiconductors suitable for p-channel thin-film transistors. Vacuum thermal evaporation and thermal annealing were used to get copper-oxide thin-film semiconductor having properties adoptable as an active layer of thin-film transistors. n-type thin films having electron carrier density of about $10^{22}\;cm^{-3}$ before thermal annealing was converted to p-type thin films having hole carrier density of about $10^{16}\;cm^{-3}$ as the thermal annealing conditions were optimized.