• Title/Summary/Keyword: 연성기판

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A Study on the Shear Forming Process of Grid for Lead-Acid Battery (무누액 배터리기판 격자의 전단공정 개발)

  • 이춘만;김대성;정종윤;조형찬
    • Proceedings of the Korean Society of Machine Tool Engineers Conference
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    • 2004.10a
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    • pp.128-133
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    • 2004
  • This study has been focused on the development of shear forming process of grid for lead-acid battery. The grid plays an important role in the flow of electricity because the grid is a skeleton of the pasted plate. Therefore, it must be of the highest quality to prevent plate failures and then, battery failure, and ensure the best battery performance possible. The finite element analysis of the shear forming process is carried out and the result is compared with the experimental data. The influence of the numerical parameters such as clearance, velocity of punch and critical damage value on the simulation results turns out to be very considerable.

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Analytical study on High speed Shear forming Process of Lead-acid Battery Grids (연축전지 기판 격자의 고속 전단성형공정 해석적 연구)

  • Kim Dae-sung;Jung Jong-jun;Cho Hyung-chan;Lee Coon-man
    • Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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    • v.23 no.2 s.179
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    • pp.81-87
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    • 2006
  • This study has been focused on the analysis of high speed shear forming process for lead-acid battery grids. The grid plays an important role of electrical charge. It is necessary to ensure the best battery's performance that the grid should have a best quality. The clearance between punch and die, the velocity of punch and the critical damage value are very important parameters for making a good grid form. The finite element analysis of the shear forming process is carried out by measuring and optimizing these three important parameters. The result of this study concludes that these parameters has a great influence on grid quality.

The change of internal stress of metal sputtering films with film thickness and deposition parameters (금속 스퍼터링 막의 두께와 공정 변수에 따른 내부응력 변화)

  • Song, Yeong-Sik;Im, Tae-Hong;Lee, Jae-Ho;Kim, Jong-Ryeol
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2014.11a
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    • pp.211-211
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    • 2014
  • 스퍼터링에 의한 박막의 형성에서 박막의 박리나 기판의 휨은 박막내의 내부 응력과 깊은 관련이 있다. 특히 Ti/TiN구조로 많이 사용되는 TiN은 반도체 barrier 층으로 사용이 되기도 하며 하드 코팅 재료로도 많은 연구가 이루어지고 있다. 특히 TiN에 존재하는 높은 압축응력은 연성기판재나 무른 금속재질의 기판을 휘게도 하며, 심할 경우 박막의 박리 현상이 자주 관찰된다. 이렇게 높은 스트레스를 제어하기 위한 기초 연구로 다양한 금속층 박막의 스트레스와 완화시키기 위한 공정 조건 및 스트레스 특성을 확인하였다.

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Packaging Technology for Driving 400DPI LED Array (400DPI LED array 구동을 위한 패키지 기술)

  • Choi, S.H.;Moon, H.C.;Park, K.B.;Kim, I.H.
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2000.07d
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    • pp.3075-3077
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    • 2000
  • 이동통신단말기 등의 표시소자로 사용되는 LCD(Liquid Crystal Diode)나 LED(Light Emitting Diode)의 표현의 한계를 극복하고 보다 많은 정보를 표시할 수 있는 가상의 화면을 구성하기 위한 400dpi급 LED array 칩과 이를 구동하기 위한 driver 칩을 패키징하는 방법에 대하여 연구하였다. 연성 인쇄회로기판(flexible Printed Circuit) 기판 위에 칩을 실장하여 제품의 소형화와 경량화 그리고 전선을 대체하여 신뢰성을 높일 수 있도록 설계하였고 알루미늄 wire bonding법으로 각각의 칩을 연결하는데 있어 고려해야할 패키지의 조건에 대하여 연구하였다. 본 연구의 목적은 휴대용 이동통신단말기의 경박단 소화를 위한 패키징 기술을 확보하는데 있다.

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Low Temperature Deposition of ITO Film Using Magnetron Sputtering (스퍼터링에 의한 ITO 박막의 저온 증착 및 측정)

  • Jang, Seung-Hyeon;Lee, Yeong-Min;Yang, Ji-Hun;Jeong, Jae-In
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2009.05a
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    • pp.172-172
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    • 2009
  • 전자부품 소재의 경량화 및 연성화 경향에 따라 고분자 소재의 수요가 증가하고 있으며 이에 따라 각종 디스플레이 소자의 투명 도전막으로 사용되는 ITO(Indium-tin Oxide) 피막의 저온 박막 성장에 대한 관심이 증가하고 있다. 본 연구에서는 PET 기판의 전처리 및 후처리 조건에 따라 저온에서 ITO 피막을 제조하고 전처리 및 후처리 조건이 ITO 피막의 면저항 및 투과율 그리고 결정성에 미치는 영향에 대해서 연구하였다.

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Improvement of Throwing Power on Au Electroplating (전해금도금의 균일전착성 개선기술)

  • Kim, Yu-Sang;Jeong, Gwang-Mi
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2012.11a
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    • pp.153-153
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    • 2012
  • 금은 양호한 전기적 특성 및 높은 연성과 퍼짐성을 갖고, 화학적 안정성도 우수하기 때문에 전자부품의 배선재료, 접점재료뿐만 아니라 우주왕복선의 박막 방어막으로도 사용되고 있다. 도금두께 제어가 우수하고, 수조의 관리가 용이하기 때문에 오래전부터 인쇄회로기판 분야에서도 최종표면처리(Surface Finish)에 적용되고 있다. 최근 전자부품이 다시 고밀도화가 추진되고, 미세 배선회로가 증가함에 따라 무전해 도금 보다 균일전착 막을 얻을 수 있는 전해금 도금공정이 요구되고 있다.

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반절연 InP를 이용한 초고속 DFB 레이저 다이오드의 제작 및 특성 연구

  • 주홍로;김형문;김정수;오대곤;박종대;김홍만;편광의
    • Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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    • 1995.06a
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    • pp.11-17
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    • 1995
  • 반절연 InP를 전류 차단층으로 사용하는 초고속 변조 Distributed Feedback (DFB) 레이저의 다이오드를 제작 하였다. Grating이 형성된 InP 기판에 유기금속 증착법 (MOVPE)을 사용하여 다중 양자 우물 구조 성장 시켜 메사구조를 연성 한후, 전류 차단층으로 반절연 InP를 성장 하였다. 제작된 레이저 다이오드는 평균 문턱전류 10 mA, 기울기효율 14%이며, 30mA 구동 전류에서 10GHz 이상의 3dB 대역폭 특성을 보였다.

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Laser Drilling System for Fabrication of Micro via Hole of PCB (인쇄회로기판의 미세 신호 연결 홀 형성을 위한 레이저 드릴링 시스템)

  • Cho, Kwang-Woo;Park, Hong-Jin
    • Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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    • v.27 no.10
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    • pp.14-22
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    • 2010
  • The most costly and time-consuming process in the fabrication of today's multi-layer circuit board is drilling interconnection holes between adjacent layers and via holes within a layer. Decreasing size of via holes being demanded and growing number of via holes per panel increase drilling costs. Component density and electronic functionality of today's multi-layer circuit boards can be improved with the introduction of cost-effective, variable depth laser drilled blind micro via holes, and interconnection holes. Laser technology is being quickly adopted into the circuit board industry but can be accelerated with the introduction of a true production laser drilling system. In order to get optimized condition for drilling to FPCB (Flexible Printed Circuit Board), we use various drill pattern as drill step. For productivity, we investigate drill path optimization method. And for the precise drilling the thermal drift of scanner and temperature change of scan system are tested.

Study on manufacture of Mo back contact films for CIGS solar cell by the cathodic arc ion plating (아크 이온 플레이팅법을 이용한 CIGS용 Mo 후면전극 제조에 관한 연구)

  • Kim, Gang-Sam;Jo, Yong-Gi;Jeong, Yong-Deok;Kim, Je-Ha
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2011.05a
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    • pp.128-129
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    • 2011
  • Mo 박막은 전기전도성과 열적 안전성이 우수하여 CIGS 용 후면전극으로 사용되고 있다. 많은 연구자들이 스퍼터링법을 이용하여 Mo 박막을 이중 박막으로 제조하고 있으며, CIGS 용 기판재로 SLG(Soda Lime Glass)와 연성기판재등이 주로 이용되고 있다. 연구에서는 SLG 기판재를 이용하여 스퍼터링법과 증착속도 및 이온화 등이 우수한 아크 이온 플레이팅법으로 Mo 박막을 제조하였으며, 제조된 Mo 박막을 CIGS 증착공정을 통하여 태양전지 효율을 측정하였다. 스퍼터링법과 아크 이온 플레이팅법으로 제조된 CIGS용 Mo 후면전극 위에 CIGS 박막 제조시 최대 효율은 11.43%, 11.14% 을 나타내었으며 Fill factor 는 67%와 57.3% 의 결과을 얻었다. 제조된 CIGS 셀의 단면 구조를 분석하기 위해 SEM 과 EDS 를 이용하였다. 두 공정방법으로 제조된 CIGS 셀의 단면을 관찰하여 Mo 전극위에 CIGS 박막 성장시의 입자크기가 스퍼터링법보다 아크 이온 플레이팅법이 박막성장이 더딘 것을 알 수 있었다. 그리고 아크 이온 플레이팅법을 이용한 SLG 기판재위에 CIGS 용 Mo 후면전극의 제조와 적용 가능성에 대해 알아보았다.

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