본 논문은 기존의 $Si_{3}N_4$, SiN 물질 대신 Pt를 사용해 HF 용액속에서 다공질 실리콘과 전극을 동시에 형성하는 기술을 개발하였다. Pt를 실리콘 웨이퍼 위에 직접 증착한 후 습식 에칭과 Lift-off 공정을 사용하여 Pt를 패터닝하였다. 습식 에칭은 에칭용액의 온도를 일정하게 유지하는 것이 중요하며, 증착한 Pt 박막이 BOE 에칭에 견디고, Lift-off 공정이 가능하기 위해서는 기판온도를 l100$^{\circ}C$ 이하로 해야한다. Pt를 사용하면 기존의 mask에서 발생하는 가장자리 부분에서의 전류 집중이 방지되기 때문에 다공질 실리콘이 일정한 깊이로 형성되고, Al대신 오믹 전극으로 사용할 수 있다. 현재 Pt를 mask와 전극으로 이용한 P-I-N UV detector, 광 바이오센서, 습도센서 제작등에 응용 연구가 진행되고 있다.
과거 PCB 제조의 주된 화제는 다양한 산업분야의 발전을 위해 한정된 시간 안에 좀 더 많은 PCB를 양산하는 기술 개발에 집중되어 있었지만, 현재는 비정상적인 공정 상태를 파악함으로써 제조 공정 환경에서의 오류를 줄여 전체 수율을 높이는 방법에 시선을 돌리고 있다. PCB 에칭의 경우 에칭 용액의 상태를 실시간으로 모니터링 하는 것이 중요하다. 본 논문에서는 기존 애칭용액의 상태를 판단할 때 사용되는 ORP센서 대신, RGB센서를 이용하여 실시간으로 용액의 상태를 모니터링 할 수 있는 시스템을 개발하였다. 개발된 시스템을 이용하여, 기존 ORP시스템과의 비교 분석을 및 RGB 센서를 이용한 모니터링 방법이 ORP센서를 이용한 방법 보다 좀 더 쉽고 정확하게 에칭 액의 상태를 모니터링 할 수 있다는 것을 확인하였다.
Reactive ion etching (RIE) characteristics of InP in the $Cl_2$/ CH_4/H_2$ discharges was investigated, as a function of the rf power, substrate temperature and gas composition. It was observed that the etch rate increased as the rf power, sample temperature and/or $Cl_2$ gas concentration increased. Etch rate of about 0.9$\mu\textrm{m}$/min was obtained at the optimum condition of 150W rf power, $180^{\circ}C$ substrate temperature and $10Cl_2$ /$5CH_4/85H_2$ gas ratio. Polymer formation was completely suppressed by adding $Cl_2$ to the $CH_4$ /$H_2$ discharges.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.104-104
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2011
ZnO는 3.37 eV의 넓은 에너지 밴드갭을 갖는 투명 전도성 반도체이며 우수한 전기적, 광학적 특성으로 인해 광원소자 개발을 위한 새로운 물질로 많은 주목을 받아왔다. 더욱이, ZnO는 쉽게 나노구조 형성이 가능하기 때문에 이를 응용한 가스센서, 염료감응태양전지, 광검출기 등의 소자 개발이 활발히 이루어지고 있다. 최근에는 GaN 기반 발광다이오드 (light emitting diode, LED)의 광추출 효율을 향상시키기 위한 ZnO 나노구조 응용에 관한 연구가 보고되고 있다. GaN 기반 LED의 경우 반도체 물질과 공기 사이의 높은 굴절률 차이로 인하여 낮은 광추출 효율을 나타낸다. 이를 해결하기 위한 방법으로 표면 roughening, texturing 등 에칭공정을 이용해 광추출 효율을 개선하려는 연구들이 보고되고 있으나, 복잡한 공정과정을 필요로 하고 에칭공정에 의한 소자 표면 손상으로 전기적 특성이 나빠질 수 있다. 반면 전기화학증착법으로 성장된 ZnO 나노구조를 이용할 때, 보다 간단한 방법으로 쉽고 빠르게 나노구조를 형성할 수 있고 낮은 공정온도를 가지기 때문에 소자의 전기적 특성에 큰 영향을 주지 않는다. 수직방향으로 잘 정렬된 ZnO 나노구조를 갖는 LED의 경우 내부 Fresnel 반사 손실을 효과적으로 줄여 발광 효율을 크게 향상시킬 수 있다. 따라서, ZnO 나노구조의 성장제어 및 성장특성을 분석하는 것은 매우 중요하다. 본 연구에서는 ITO glass 위에 ZnO 나노구조를 성장하고 그 특성을 분석하였다. ITO glass 기판 위에 RF magnetron 스퍼터를 사용하여 Al 도핑된 ZnO (AZO)를 얇게 증착한 후 전기화학증착법으로 ZnO 나노구조를 성장하였다. 농도, 인가전압, 공정시간 등 다양한 공정조건을 변화시키면서 성장 메커니즘을 분석하였고, scanning electron microscope (SEM) 및 X-ray diffraction (XRD)을 통하여 구조 및 결정성 등을 분석하였다. 또한, UV-Visible-NIR spectrophotometer를 사용하여 투과율을 실험적으로 측정하여 ZnO 나노구조의 광학적 특성을 분석하였고, rigorous coupled wave analysis (RCWA) 방법을 사용하여 계면에서 발생하는 내부 반사율을 계산함으로써 나노구조의 효과를 이론적으로 분석하였다.
Park, Chae-Min;Song, Yeong-Seok;Kim, Sang-Hyeok;Sin, Han-Gyun;Lee, Hyo-Jong
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2014.11a
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pp.132-133
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2014
구리도금 및 적절한 어닐링 공정을 통해 수nm 크기의 초기 도금 미세조직과 수${\mu}m$정도의 결정립 크기를 갖는 재결정이 진행된 결정립이 병존하는 도금막 샘플을 제작하였다. 전기 비저항 측정과 EBSD를 통해 결정립 성장 분율을 측정하였으며 다양한 사이즈와 결정 방향을 갖는 결정립에 대해 질산용액을 이용하여 화학적 에칭방법을 통해 간접적으로 각 구리원자의 화학적 안정성을 평가할 수 있었다. 결과적으로 결정립이 클수록 에칭속도가 느린 것을 확인하였으며, 주요 원인으로 결정립계면이 우선적으로 에칭되는 것이 관찰되었다. 즉, 결정립의 크기가 작을수록 결정립계면의 비율이 커서 에칭속도가 증가하고 Nanosize의 초기 결정립이 빨리 에칭되는 것이 확인되었다.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.30
no.6
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pp.251-257
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2020
In order to quickly and clearly recognize characters or images through display glass, glare of the glass must be suppressed. In this study, we tried to reduce glare by analyzing changes in glass surface shape and optical properties through etching process. The etching process was performed as a function of concentrations of the etching solutions, BOE and HF. During the etching process, a compound containing F ion was generated on the surface of the glass, forming an irregular pattern in the form of a projection, and thus various optical properties of the glass were changed; reflectance of 2.5~4.6 %, haze of 4.5~6.6 %, transmittance of 77~92 %, and gloss of 82~107 GU. As a result, optimum etching condition was obtained to minimize the loss of other optical properties while suppressing glare of the glass.
In this study the nanofiltration (NF) membrane treatment of a sulfuric acid waste solutions containing copper ion ($Cu^{+2}$) discharging from the etching processes of the printed circuit board (PCB) manufacturing industry has been studied for the recycling of acid etching solution. SelRO MPS-34 4040 NF membrane from Koch company was tested to obtain the basic NF data for recycling of etching solution and separation efficiency (total rejection) of copper ion. NF experiments were carried out with a cross-flow membrane filtration laboratory system. The permeate flux was decreased with the increasing copper ion concentration in sulfuric acid solution and lowering pH of acid solution, and its value was the range of $4.5{\sim}23L/m^2{\cdot}h$. Total rejection of copper ion was decreased with the increasing copper ion concentration, lowering pH of acid solution and decreasing cross-flow rate. The total rejection of copper ion was more than 70% at the experimental condition. The SelRO MPS-34 4040 NF membrane was represented the stable flux and rejection for 1 year operation.
유리 및 세라믹 미세구조물은 열적, 화학적, 기계적특성이 우수하며 이 제조방법으로 대표적인 것이 그라스의 노광, 열처리에 의한 노광부를 선택적으로 에칭시켜 구조물을 형성시키는 감광성그라스 공정이다. 그러나 공정조건을 변화시킴에 따라 기존과는 정반대로 비노광부를 선택적으로 에칭시키는 것이 가능하였으며 본 방식에 의해서 더욱 정밀한 미세구조물을 형성할 수 있음을 확인하였다.
Proceedings of the Korean Institute of Intelligent Systems Conference
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2004.04a
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pp.334-337
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2004
차세대 생산 시스템(Next Generation Manufacturing System: NGMS)의 핵심 개념은 분산 생산 시스템과 다품종 소량의 유연 생산 시스템의 지원이다. 이러한 시스템의 구성을 위하여 실시간 데이터에 기반한 예측 모델이 필수적인데, 이러한 예측 기능을 통하여 생산공정의 관리와 운영, 특히 전체 공정관리를 효율적으로 수행할 수 있다. 한편, 공정으로부터 전송된 데이터는 특정한 형태의 지식으로 표현된다. 이러한 지식들은 시스템에 대한 다양한 정보를 가지고 있으므로 정보를 이용하여 시스템 상태를 빠르고 쉽게 진단할 수 있다. 공정 진단은 현재 공정 상태에서 생산되는 제품의 품질을 추정할 수 있는 정보로 활용된다. 본 논문에서는 이러한 개념이 바탕이 되어 공정관리 시스템을 설계하였다. 제안된 시스템의 적용 대상은 반도체 제조 공정의 단위 공정인 에칭 공정이다. 에칭 공정은 공정 중에 연속적인 검사가 수행되지 않고 최종 제품에 대한 검사가 수행되므로 불량 원인을 찾는 것이 쉽지 않다. 따라서 본 논문에서는 공정관리를 위한 의사지원시스템을 통해 공정의 연속적인 간접진단을 수행하고자 하였다. 본 연구에서 사용된 의사지원시스템은 각 공정에서 얻어지는 데이터와 경험적 지식을 토대로 공정시스템의 해석과 진단이 가능한 시스템이다.
The developmement of electronic machine industries requires miniature of size as well as increasement of driving frequency in electronic parts, recently. To realize micro-struture of magnetic devices, in this study, we fabricated thin film inductors by using thin film manufacturing techniques such as photolithography and wet etching process, and these devices are measured at high frequency range of 1 MHz~1 GHz. The results are as follows. The accurate measuring technique by using network analyzer system having microstrip line was established. The manufactured inductors are fabricated with several ten micrometers by means of wet etching process known as easier and more economic than dry etching process. VVhen the device size of two types (spiral, meander) is the same, inductance value L and quality factor Q of spiral type devices are larger than those of meander type, but driving frequency of spiral type is lower than that of meander type due to increasement of inductance L. It is necessary to decrease resistance value R by increasing cross section of the conductor film coil. Thus high frequency measuring method would be a very useful for another measuring fields of the range over several hundreds MHz.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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