• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.15 no.2
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• pp.186-193
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• 2006

In this study, we analyzed the electrical and optical properties of metalorganic chemical vapor deposition grown InGaAs/InGaAsP/InP quantum dot(QD) molecules by using photoluminescence and deep-level transient spectroscopy. From these resulte, the energy levels of the large QDs are located at deeper region from the conduction band edge of the barrier than that of the small QDs, The large QDs seem to have the energy states more than two, and these energy levels of the QD molecules are located at 0.35, 0.42, and 0.45 eV from conduction band edge under -4 V reverse bias conditions. The energy levels are closely coupled under low reverse bias, and then decoupled as the bias voltage is increased.

• IT SoC Magazine
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• s.1
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• pp.37-41
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• 2004

전력이라는 장벽 때문에 공정 스케일링은 점점 어려워지고 있다. 반면, 미래의 컴퓨터와 통신은 더더욱 낮은 전력 소모를 필요로 한다. 아직은 에너지 효율적인 공정이 널리 보급되고 있지 않으므로, 저전력 CMOS SoC 설계는 여전히 큰 어려움이 있다. 본문에서는 CMOS의 전력 감소를 위해 무엇을 어떻게 해야 하는지 알아보도록 한다.

• The Proceedings of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.18 no.3
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• pp.39-43
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• 2004

국제적인 환경 규제 문제($CO_2$, SF$_{6}$(육불화황), PFC (과불화화합물) 등)가 새로운 무역장벽으로 등장하여 우리나라 주요 산업 부문에 미치는 영향이 점차 현실로 나타나고 있다. 이러한 환경 규제에 적절한 대처를 하기 위해 에너지 소비 증가와 이에 따르는 에너지 소비 패턴 및 인식에 대한 새로운 접근 방법이 요구되고 있다. 그동안 전력기기의 고효율화, 에너지 효율 향상과 수요관리 강화, 미활용 에너지원의 이용률 제고, 집단에너지 보급 확대 등 하드웨어적인 기술개발에 중점을 두고 추진되었으나, 앞으로는 전원설비, 전력전송 설비, 부하설비 등의 최적 설계기술을 통한 에너지절약 기술개발과 같은 소프트웨어적인 기술 개발이 요청되고 있다. (중략)

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.19 no.1
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• pp.1-4
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• 2009

Solving the stochastic Landau-Lifshitz-Gilbert equation numerically, we investigate the attempt frequency of magnetization in synthetic antiferromagnet (SyAF). The attempt frequency is estimated while varying the uniaxial anisotropy constant, the energy barrier and the geometry of a magnetic layer. It is found that the attempt frequency is decreased for the same magnetic volume by increasing the asymmetry of the geometry in the high damping region. Also, even for a constant height of energy barrier, the attempt frequency can vary dramatically with uniaxial anisotropy constant.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.2 no.1
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• pp.33-40
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• 1989

낮은 에너지(60KeV) 비소 이온주입으로 고종도의 얇은 표면층을 형성시켜 Pt-nSi 쇼트키 다이오드의 유효 장벽높이를 감소시켰다. 역방향 특성을 크게 저하시키지 않고 순방향 임계전압을 400mV에서 200mV로 낮추는데 필요한 이온주입량은 얇은 산화막(215.angs.)이 존재하는 상태에서 비소 이온주입을 한 경우는 9.0*$10^{12}$$cm^{-2}$이고, 산화막이 없는 상태에서 이온주입한 경우는 5.1*$10^{12}$$cm^{-2}$이었다. 이온주입후 열처리 조건은 900.deg.C에서 30분간 N$_{2}$분위기에서 행하였으며 얇은 산화막을 통한 이온주입으로 다이오드의 역방향 특성을 개선하였다.

• Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
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• 2000.11a
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• pp.407-408
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• 2000

유전체 장벽 방전 반응기 (Dielectric Barrier Discharge (DBD) Reactor)를 이용한 비열 플라즈마(Non-thermal plasma) 공정에서 NO 제거 특성을 실험적으로 연구하였다. 질소 분위기에서 전자에 의한 NO 의 제거는 $N_2$ + e $\longrightarrow$ N + N + e 반응에 의한 질소의 전자충돌해리 (electron-impact dissociation)와 이 반응에 의하여 생성된 질소원자에 의한 NO 의 환원반응 N + NO $\longrightarrow$ $N_2$ + O 으로 설명될 수 있으며, 이로 인하여 $O_2$ 나 $H_2O$ 의 첨가에 따른 부산물(O, $O_3$, OH 등)에 의한 산화반응이 주로 일어나는 경우 (XO + NO $\longrightarrow$ X + NO$_2$) 와는 달리 NO 제거에 소모된 에너지를 평가하기에 용이한 장점이 있다(Penetrante et al., 1995). (중략)

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.34 no.3
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• pp.239-247
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• 1990

The gas-phase S_N2$ reactions can be classified into neutral bimolecular, solvated, and ionic reactions; the neutral bimolecular reaction proceeds via retention mechanism whereas the ionic reaction produces inversion products. In the reaction of solvated nucleophile with one solvent molecule, a six-center transition state (TS) is formed and the two processes i.e., retention and inversion, are found to compete with a favored path depending on the electronic effect of the nucleophile and substituents in the substrate and on the steric requirement. In the ionic reaction, the difference in the energy barrier between the two processes reduces to a small value when the substrate methyl group is made bulky, leaving ability of the leaving group is improved and at the same time the negative charge of the nucleophile is dispersed. When the reaction center atom in the $S_N2$ reaction is changed to a larger sized second row elements, the activation barrier decreases since the steric crowding in the penta-coordinated TS is relieved. However within the same row, the barrier was found to increase as the atomic size decreased. For the boron, B, the barrier height was the least since in addition to the relatively large atomic size compared to C and N, it forms tetra-coordinated TS so that the steric crowding becomes nearly negligible.

• Bulletin of the Korea Photovoltaic Society
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• v.6 no.2
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• pp.34-41
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• 2020

최근 주요 기업들을 대상으로 전력 사용을 100% 재생에너지로 전환하자는 RE100 캠페인이 국내외에서 뜨거운 관심을 받고 있다. 2019년 12월 기준으로는 Apple, BMW Group 등 전 세계 211개 기업이 RE100 캠페인에 참여한 것으로 알려져 있다. RE100이 확산됨에 따라 해외 RE100 기업이 국내 협력기업에게도 재생에너지 사용을 요청하는 사례가 발생하고 있는데, 국내는 RE100 도입을 위한 전력거래제도가 마련되지 않았고, 재생에너지 발전원가가 높아 당장의 RE100 이행은 어려운 상황이다. 이에 따라, 장차 RE100이 국내 기업에 무역장벽으로 작용할 가능성이 제기되고 있어 본고에서는 RE100의 현황과 RE100 도입 비용을 낮추는 방안으로써 RE100과 탄소배출권의 연계에 대해 논의하고자 한다. 이를 통해 탄소배출권과 연계한 RE100 이행이 가능해지는 경우, 국내 재생에너지 보급 확대 및 국가 탄소배출 감축 계획 이행에 기여할 수 있을 것으로 예상된다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2011.05a
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• pp.114.2-114.2
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• 2011

비정질 실리콘 박막 태양전지연구에 일반적으로 사용되고 있는 ASA (Advanced Semicon ductor Analysis) simulation을 이용하여 TCO/p에 삽입될 버퍼층의 최적 구조를 설계해보았다. 기본적인 p,i,n층 단일막 data 값을 고정시켜 버퍼층의 광학적 밴드갭을 1.75~1.95eV, 활성화 에너지를 0.3~0.4eV, 두께를 5~15nm로 가변해 보았다. 첫 번째로 동일한 활성화 에너지를 갖는 버퍼층의 광학적 밴드갭을 증가 시켰을 경우 built-in potential이 증가하였으며 이는 개방전압의 증가로 이어졌다. 두 번째로 활성화 에너지가 작은 경우 큰 경우에 비하여 Conduction-band와 Fermi-level의 차이가 증가 하게 되어 활성화 에너지가 큰 경우에 비해 높은 built-in potential을 얻을 수 있었다. 또한 버퍼층과 p층의 접합부분에서의 barrier가 활성화 에너지의 차이를 줄일수록 감소 함 을 알 수 있었다. 장벽의 감소로 정공의 흐름을 방해하는 요소가 줄어들었고 효율도 증가하였다. 마지막으로 버퍼층 두께가 두꺼워 질수록 박막 내에서 빛 흡수가 많아지게 되어 광 흡수층으로 가야할 빛의 양이 줄어들게 되어 단락전류값이 감소하는 것을 알 수 있었다. Simulation결과 버퍼층의 광학적 밴드갭이 1.95eV로 크고 활성화 에너지가 0.3eV이하로 p층에 비하여 낮으며 두께가 5nm로 얇을수록 좋다는 결과를 알 수 있었다.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.32 no.2
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• pp.103-112
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• 1988

For two possible paths of thermal ring opening reactions, the approximate reaction path functions, their norms and the approximate reaction path average energies are computed and compared. Illustrated examples clearly justify the postulate that the path with larger norm and lower average energy has lower barrier height than the other.