다이아몬드 톱날을 이용한 얇은 Si 웨이퍼의 기계적인 다이싱은 chipping, crack 등의 문제점을 발생시킨다. 또한 stacked die 나 multi-chip등과 같은 3D-WLP(wafer level package)에서 via를 생성하기 위해 현재 사용되는 화학적 etching은 공정속도가 느리고 제어가 힘들며, 공정이 복잡하다는 문제점을 가지고 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 현재 연구되고 있는 분야가 레이저를 이용한 웨이퍼 다이싱 및 드릴링이다. 본 논문에서는 UV 레이저를 이용한 얇은 Si 웨이퍼 다이싱 및 드릴링 시스템에 대해 소개하고, 웨이퍼 다이싱 및 드릴링 실험결과를 바탕으로 적절한 레이저 및 공정 매개변수에 대해 설명한다.
In this paper, we present the principle of virtual work, from which the exact non-linear equations of motion of a rotating ring can be derived, by using the theory of finite deformation. For a thin ring of which the effect of variation in curvature across the cross-section is neglected, the radial displacement and the extensional stress are determined from the principle of virtual work at the steady state where the ring is rotating with a constant angular velocity. And also we formulate systematically the governing equations concerned to the in-plane vibrations and the out-of-plane vibrations at the disturbed state by using the principle of virtual work which is expressed with the disturbed displacements about the steady state. The formulated governing equations are classified by four models along the cases of considering or neglecting all or partly the secondary effects of flexural shear, rotary inertia, circumferential extension, and twist inertia. The natural vibrations of thin rings are analyzed, and its results are compared and discussed.
In this paper, we present the principle of virtual work, from which the exact non-linear equations of motion of a rotating ring can be derived, by using the theory of finite deformation For a thin ring of which the effect of variation in curvature across the cross-section is neglected, the radial displacement and the extensional stress are determined from the principle of virtual work at the steady state where the ring is rotating with a constant angular velocity. And also we formulate systematically the governing equations concerned to the in-plane vibrations and the out-of-plane vibrations at the disturbed state by using the principle of virtual work which is expressed with the disturbed displacements about the steady state. The formulated governing equations are classified by four models along the cases of considering or neglecting all or partly the secondary effects of flexural shear, rotary inertia, circumferential extension, and twist inertia. The natural vibrations of thin rings are analyzed, and its results are compared and discussed.
MONOS(metal-oxide-nitride-oxide-semicondutor) EEPROM에 응용하기 위한 얇은 ONO 유전층의 막 특성을 AES, SIMS, TEM 및 AFM을 이용하여 조사하였다. 터널링 산화막, 질화막, 블로킹 산화막의 두께를 각각 달리하여 ONO 박막을 제작하였다. 터널링 산화막 위에 LPCVD방법으로 질화막을 증착하는 동안 얇은 터널링 산화막이 질화되었으며, 질화막 위에 블로킹 산화막을 형성할 때, 산소가 질화막 표면을 산화시킬 뿐만 아니라 질화막을 지나 확산되었다. ONO 박막은 $SiO_2$(블로킹 산화막)/O-rich SiOxNy(계면)/N-rich iOxNy(질화막)/O-rich SiOxNy(터널링 산화막)으로 이루어졌다. SiON상은 주로 터널링 산화막과 질화막, 질화막과 블로킹 산화막 계면에 분포하였으며, $Si_2NO$상은 각 계면의 질화막 쪽과 터널링 산화막 내에 분포하였다.
고 해상도를 요구하는 3차원 감성터치센서의 핵심 부품인 ITO 박막은 매우 얇은 두께에서 높은 투과율과 고 전도성을 동시에 가져야 한다. 이러한 박막 물성을 함께 가지는 고품질 ITO 초박막을 제조하기 위해서 DC와 RF의 장점을 동시에 가지는 DC/RF 중첩형 마그네트론 스퍼터링과 전자기장을 인가한 마그네트론 스퍼터링 법을 이용하여 증착한 초박막 ITO의 Sn함량에 따른 물성 및 미세 구조 변화를 관찰 하였다. RF/(DC+RF) 중첩 비율 및 전자기장 파워에 따른 ITO 초박막의 물성 변화를 확인 하였다.
PTFE (Polytetrafluoroethylene) 는 벌크 형태는 물론 박막으로도 독특한 특성을 나타내는 물질이다. 매우 낮은 마찰계수, 발수표면특성, 화학적 비반응성은 다양한 방면의 적용이 가능하게 한다. 두께 $1-2{\mu}m$ 이나 50 nm 이하의 박막의 형태로서 발수 특성은 스퍼터링 조건에 따라서는 벌크 PTFE의 특성보다 뛰어나다. 순수한 PTFE 타겟을 사용하여 얇은 PTFE 막 증착을 위해 RF (radio-frequency) 스퍼터링을 하였다. 스퍼터 타겟 건 파워, 공정 압력, 그리고 기판 스테이지와 Si wafer 나 다양한 시편에 인가되는 RF 바이어스 (bias) 등과 같은 스퍼터링 변수의 변화가 가능하다. 공정 변수에 따라서 RF 스퍼터링에 의한 순수한 PTFE 박막과 바이어스가 인가된 유사 PTFE 박막을 비교하여 탐구하였다. 스퍼터링에 의한 PTFE 코팅은 접촉각이 100도 또는 그이상의 초발수성을 나타내는 장점을 갖고 있고, 90% 이상의 높은 투과도를 나타낸다. PTFE 타겟을 사용한 종래의 일반적인 스퍼터링에 의하여, 일예로 실리콘 웨이퍼상에 증착된 코팅막은 낮은 경도와 기판과의 밀착력이 좋지 않은 문제를 갖고 있다. 높은 에너지 환경에서 만들어진 PTFE 코팅은 기존의 스퍼터링 방식으로 만들어진 코팅에 비해 다른 특성을 나타낸다. PTFE 막의 경도와 밀착력을 높이고자 bias를 인가한 RF 스퍼터링을 시도하였다. 코팅 접촉각, 투과도, 나노인덴터에 의한 경도, 그리고 스크래치 테스트에 의한 코팅막의 밀착력을 살펴보았다. PTFE 폴리머 타겟을 사용한 RF 스퍼터링으로 만들어진 고경도 PTFE 유사 코팅의 경도 변화 기구를 고찰하였다.
In this paper, we have systematically formulated the equations concerned to the in-plane and out-of-plane motions and deformations of a thick circular beam by using the kinetic and strain energies in order to analyse natural frequencies of a thick ring. The effects of variation of radius of curvature across the cross-section and also the effects of bending shear, extension and twist are considered. The equations of motion for natural vibration analysis of a ring are obtained utilizing the cyclic symmetry of vibration modes of the ring. The frequencies calculated using thick ring model and thin ring model are compared and discussed with the ones obtained from finite element analysis using the method of cyclic symmetry with 20-node hexahedral solid elements for rings with the different ratio of radial thickness to mean radius.
한국표면공학회 2011년도 춘계학술대회 및 Fine pattern PCB 표면 처리 기술 워크샵
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pp.37-38
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2011
알루미늄은 높은 내부식성과 우수한 물리적 특성으로 철강 제품의 부식방지를 위한 표면처리와 항공 우주분야 소재로 각광을 받아왔다. 알루미늄을 철강 제품의 부식방지를 위한 표면처리 소재로 사용되는 경우 비교적 두껍게(15 ${\mu}m$ 이상) 코팅된다. 본 연구에서는 얇은 두께(3 ${\mu}m$ 이하)의 알루미늄 박막을 이용하여 높은 내식성을 갖는 코팅 공정을 개발하고자 한다. 물리기상증착으로 코팅되는 대부분의 금속은 주상정 구조를 갖는다. 주상정 구조는 grain boundary에 공극이 존재하고, 이 공극을 통해서 부식을 일으키는 물질이 보호막과 모재의 계면으로 침투하여 모재가 부식을 일으킨다. 스퍼터링 공정을 제어하여 알루미늄 박막의 공극 발생을 억제하여 보호막으로서의 기능을 향상할 수 있는 방법을 제안한다. 알루미늄 코팅을 위해서 magnetron sputtering을 이용하였으며, 기판은 냉연강판을 사용하였다. 냉연강판위에 코팅된 알루미늄 박막을 분석한 결과, 스퍼터링 소스에 역방향 자기장을 인가하여 코팅한 알루미늄 박막이 염수분무 120 시간 후에도 적청이 발생하지 않는 우수한 내식성을 보였다.
최근 Touch screen panels (TSPs) 의 높은 전기적 특성 및 고해상도 요구에 따라 고품질 초박막 ITO의 중요성이 대두되고 있다. 하지만, 초박막 ITO 필름은 얇은 두께로 인해 낮은 결정성을 가지므로 높은 전기전도성을 확보하기 힘들다. 따라서 본 연구에서는, 결정성을 향상시키기 위하여 초기 박막의 성장에 영향을 주는 인자를 제어하였으며, 이러한 인자들 중 자장강도 변화에 따른 ITO 박막의 물성 변화를 관찰하였다. 그 결과 ITO 초박막의 전기적 특성은 스퍼터링 전류보다 스퍼터링 전압에 크게 의존하는 것을 확인 할 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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