• Tribology and Lubricants
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• 제17권5호
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• pp.351-357
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• 2001

Tribological behavior of NAO type brake linings containing different volume ratios of graphite and Sb$_2$S$_3$ was investigated using a scale dynamometer. Three different test modes consisting of stop, drag, and fade tests were employed to elucidate the effect of the solid lubricants on brake performance. Results of this work showed that the two solid lubricants, graphite and Sb$_2$S$_3$, significantly affected friction characteristics at various braking situations. Compared with the brake linings containing a single lubricant, the brake linings containing both solid lubricants showed better friction stability due to the synergistic effect of the two disparate lubricants during the stop and the drag test. In particular, in the case of containing two solid lubricants, the brake lining with higher contents of graphite showed better fade resistance than others.

• 대한화학회지
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• 제29권2호
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• pp.172-177
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• 1985

안티몬이 첨가된 산화주석 얇은막 전극의 반도체적 성질을 조사하고 이산화황의 산화반응에 대한 이 전극의 전기화학적 촉매작용을 여러가지 조건하에서 조사하였다. $SO_2$(또는 아황산염)를 포함하는 전해질 용액의 pH가 증가함에 따라 점차로 낮은 전위에서 산화가 일어났으며 이 전극은 염기성 용액에서 $SO_3^=$의 산화에 대하여 뚜렷한 전기촉매 작용을 나타내었으며 이 전기촉매 작용은 백금이나 팔라듐 전극의 촉매작용과는 다른 특성을 보여주었다. 백금이나 팔라듐이 이 전극에 첨가된 경우에는 이들 금속이 전극표면에 노출된 양에 비례하는 효과만이 나타났다.

• 접착 및 계면
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• 제11권4호
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• pp.168-173
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• 2010

할로겐 함유 난연 화합물은 인체에 무해하고 유해가스 발생이 없는 환경 친화적인 소재로 대체되어가고 있다. 반도체 소자의 밀봉용 소재로 사용되는 에폭시 수지 조성물도 친환경적인 소재로 만들기 위해서, 에폭시 수지의 자소화에 관해 많은 연구가 이루어지고 있다. 본 연구에서도 신규 에폭시 수지(E3)를 사용하여 할로겐계 화합물을 전혀 함유하지 않는 자소성 에폭시 수지 조성물을 제조하였다. 새로 만들어진 에폭시 수지 조성물(EMC-1)은 UL 난연 V0를 갖고 5 wt% 분해 온도가 $451.9^{\circ}C$로, 할로겐계 난연제나 삼산화안티몬 등을 첨가하지 않고도 난연성이 우수하고 열분해성, 내열성 등이 우수하게 나타나 친환경 소재로 적용할 수 있다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제28권11호
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• pp.683-689
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• 2015

For the formation of $N^+$ doping, the antimony ions are mainly used for the fabrication of a BJT (bipolar junction transistor), CMOS (complementary metal oxide semiconductor), FET (field effect transistor) and BiCMOS (bipolar and complementary metal oxide semiconductor) process integration. Antimony is a heavy element and has relatively a low diffusion coefficient in silicon. Therefore, antimony is preferred as a candidate of ultra shallow junction for n type doping instead of arsenic implantation. Three-dimensional (3D) profiles of antimony are also compared one another from different tilt angles and incident energies under same dimensional conditions. The diffusion effect of antimony showed ORD (oxygen retarded diffusion) after thermal oxidation process. The interfacial effect of a $SiO_2/Si$ is influenced antimony diffusion and showed segregation effects during the oxidation process. The surface sputtering effect of antimony must be considered due to its heavy mass in the case of low energy and high dose conditions. The range of antimony implanted in amorphous and crystalline silicon are compared each other and its data and profiles also showed and explained after thermal annealing under inert $N_2$ gas and dry oxidation.

• Tribology and Lubricants
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• 제26권4호
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• pp.246-253
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• 2010

Friction characteristics of the brake friction materials without environmentally regulated ingredients were examined to find their role in the brake performance. Five friction materials were produced based on a nearcommercial formulation by changing the relative amount of potentially hazardous ingredients to health and environment, such as $Sb_2S_3$, potassium titanate, and brass fiber. Tribological properties of the friction materials were obtained using a scale dynamometer and Krauss type tribometer. Results showed that the excluded three ingredients played important synergetic effects on tribological properties in terms of fade resistance, wear resistance and friction effectiveness. In particular, brass fibers played important roles in the friction stability by providing excellent thermal diffusivity at the friction interface. Potassium titanate whiskers showed excellent fade resistance and wear resistance compared to the substituted barite. Antimony trisulfide, on the other hand, showed little effect on the high temperature fade resistance and wear resistance, while it increased friction effectiveness at moderate temperatures. The friction materials without the three ingredients showed severe fade, indicating antisynergy effects.

• 대한기계학회논문집
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• 제12권3호
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• pp.622-629
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• 1988

본 연구에서는 박판형 열유속 센서의 감도를 높임과 동시에 두께와 면적을 줄 이기 위한 방안으로서 시벡 계수(Seebeck doefficient)가 일반 열전대재료보다 월등히 큰 반도체 열전재료를 이용하여 박판형 센서를 제작하고 그 성능을 조사하였다. 센 서의 제작에 사용한 열전재료는 Melcor 사에서 열전 열펌프 생산에 사용하기 위하여 개발한 소자로서 통상 텔루루화 비스무스(bismuth telluride)라 불리우며 그 조성은 비스무스, 텔루륨, 셀레늄, 안티몬의 4가지 합금에 미량의 불순물(dopent)이 첨가된 것으로 불순물의 종류에 따라 전기적인 P형 또는 N형의 반도체가 되는 것으로 알려져 있으며 Table 1에 물성치가 나타나 있다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제13권4호
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• pp.294-299
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• 2000

For practical application as a humidity sensor SnO$_2$thick films devices were fabricated on the refresh type electrode by screen printing method and their material and humidity sensing properties were investigated. As a function of Sb$_{2}$/O$_{3}$ addition rate grain size was increased while porosity and initial resistance were rapidly decreased. And the area of resistance variation according to relative humidity was decreased with increasing heat treatment temperature. SnO$_2$thick film device heat treated at 95$0^{\circ}C$ and contained 0.05mole% Sb$_{2}$/O$_{3}$ had a best humidity sensing properties. From this result it is conformed that humidity sensing properties of SnO$_2$thick film devices could be approved by very small amount of Sb$_{2}$/O$_{3}$ addition.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권11호
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• pp.1156-1166
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• 2004

Antimony profiles by MeV implantation are measured by secondary ion mass spectrometry (SIMS) and spreading resistance (SR). The moments of SIMS and simulated profiles are calculated and compared for the exact range in MeV energy. SRIM, DUPEX, ICECREM, and TSUPREM4 simulation programs are used for the calculation of range 1D, 2D. SRIM is a Monte Carlo simulation program and different inter-atomic potentials can be used for the calculation of nuclear stopping power cross-section (Sn) and range moments. Nevertheless, the range parameters were not influenced from nuclear stopping power in MeV. Through the modification of electronic stopping power cross-section (Se), the results of simulation are remarkably improved and matched very well with SIMS data. The values of electronic stopping power are optimized for Sb high energy implantation. For the electrical activation, Sb implanted samples are annealed under $N_2$ and $O_2$ ambient. Finally, Oxidation retard diffusion(ORD) effect of Sb implanted sample are demonstrated by SR measurements and ICECREM simulation.

• 공업화학
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• 제3권3호
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• pp.482-490
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• 1992

세종류의 금속산화물 전극을 양극으로 사용하여 methanol 용액중에서 furfuryl alcohol을 양극산화 시켜 2,5-dimethoxy-2,5-dihydrofurfuryl alcohol을 전해합성 하였다. 각 전극들은 티타늄 재질상에 산화주석($SnO_2$)과 삼산화이안티몬($Sb_2O_3$)의 반도체 혼합물층을 전기로 내에어 만들고, 그 위에 양극산화방법으로 ${\alpha}-PbO_2$, ${\beta}-PbO_2$, $MnO_2$등의 금속산화물을 전착(electrodeposition)하여 3종의 전극을 제작하였다. 이산화납 전극이 이산화망간 전극에 비하여 양극 내식성이 우수하였으며 생성물의 수율(92%)도 백금전극을 사용했던 결과와 대등하였다.

• Elastomers and Composites
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• 제43권4호
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• pp.241-252
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• 2008

올레인산으로 유기변성된 ZnAl-LDH(SO-ZnAl LDH)를 합성하여 브롬화 에폭시 수지(BER) 및 산화안티몬을 포함하는 난연 ABS 컴파운드에 첨가하였다. 난연 ABS 컴파운드는 동일방향으로 회전하는 이축압출기를 통해 제조되었고 난연성 및 기계적 성질을 측정하기 위한 시편으로 사출성형 되었다. ABS 나노복합재료의 XRD 패턴에서는 피크가 나타나지 않았다. SOZnAl LDH를 포함하는 난연 ABS 나노복합재료는 TGA 시험 결과 향상된 내열성을 보였다. 그러나, 난연 ABS 나노복합재료들은 UL 94 수직시험(1.6 mm 두께)시 등급을 얻지 못했다. BER를 1.5 wt% 이상 더 첨가한 경우들에서만 UL 94 V0 등급을 얻을 수 있었다. SO-ZnAl LDH의 첨가량에 비례하여 난연 ABS 나노복합재료의 노치드 아이조드 충격강도, 인장탄성률 및 신율은 증가하였으나 유동지수는 감소하였다.