• Title/Summary/Keyword: 쓰기 패턴

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Managing the B-Tree Efficiently using Write Pattern Conversion on NAND Flash Memory (낸드 플래시 메모리상에서 쓰기 패턴 변환을 이용한 효율적인 B-트리 관리)

  • Choi, Hae-Gi;Park, Dong-Joo
    • Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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    • 2007.06c
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    • pp.69-74
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    • 2007
  • 플래시 메모리는 하드디스크와 다른 물리적 특성을 가지고 있다. 대표적으로 덮어쓰기가 되지 않고 데이터를 읽고 쓰는 단위와 지우는 단위가 서로 다르다. 이러한 물리적 제약을 소프트웨어적으로 보완해주기 위해서 플래시 메모리를 사용하는 시스템에서는 대부분 Flash Translation Layer (FTL)을 사용한다. 지금까지 FTL 알고리즘의 대부분이 임의 쓰기 패턴보다 순차 쓰기 패턴에 훨씬 더 효율적으로 작용한다. 그러나 B-트리와 같은 자료구조에서는 일반적으로 순차 쓰기 패턴 보다는 임의 쓰기 패턴이 발생된다. 따라서 플래시 메모리상에서 B-트리를 관리할 경우 FTL에 비효율적인 쓰기 패턴을 생성하게 된다. 본 논문에서는 플래시 메모리상에서 B-트리와 같은 자료구조를 효율적으로 저장 관리하기 위한 새로운 방식을 제안한다. 새로운 방식은 B-트리에서 발생되는 임의 쓰기를 플래시 메모리상의 버퍼를 이용하여 FTL에 효율적인 순차 쓰기를 발생시킨다. 실험 결과, 본 논문에서 제안하는 방식은 기존의 방식보다 플래시 메모리에서 발생되는 쓰기 및 블록소거 연산 횟수를 60%이상 감소시킨다.

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Efficiently Managing the B-tree using Write Pattern Conversion on NAND Flash Memory (낸드 플래시 메모리 상에서 쓰기 패턴 변환을 통한 효율적인 B-트리 관리)

  • Park, Bong-Joo;Choi, Hae-Gi
    • Journal of KIISE:Computer Systems and Theory
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    • v.36 no.6
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    • pp.521-531
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    • 2009
  • Flash memory has physical characteristics different from hard disk where two costs of a read and write operations differ each other and an overwrite on flash memory is impossible to be done. In order to solve these restrictions with software, storage systems equipped with flash memory deploy FTL(Flash Translation Layer) software. Several FTL algorithms have been suggested so far and most of them prefer sequential write pattern to random write pattern. In this paper, we provide a new technique to efficiently store and maintain the B-tree index on flash memory. The operations like inserts, deletes, updates of keys for the B-tree generate random writes rather than sequential writes on flash memory, leading to inefficiency to the B-tree maintenance. In our technique, we convert random writes generated by the B-tree into sequential writes and then store them to the write-buffer on flash memory. If the buffer is full later, some sequential writes in the buffer will be issued to FTL. Our diverse experimental results show that our technique outperforms the existing ones with respect to the I/O cost of flash memory.

Design of Flash Memory Cleaning Policy based on Writing Patterns (쓰기 패턴 기반 플래시 메모리 지움 정책 설계)

  • Kang Seong-Goo;Noh Han-Young;Ko Kwang-Sun;Eom Young-Ik
    • Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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    • 2006.05a
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    • pp.1333-1336
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    • 2006
  • 본 논문에서는 최근에 각광받고 있는 저장장치인 플래시 메모리의 특징과 플래시 메모리의 단점인 지움 횟수 제한과 느린 지움 속도를 극복하는 지움 정책의 종류를 살펴보고 그 중에서 CAT 기법의 랜덤 쓰기에서의 지움 횟수 증가와 지움 평준화를 위한 비효율성이라는 단점을 개선한 지움 정책을 제시한다. 개선된 지움 정책은 CAT 기법에 쓰기 패턴을 기반한 가중치를 부여해 랜덤 쓰기에서의 성능 하락과 지움 평준화의 비효율성을 보완하는 것이다. 이 때 사용되는 사용자의 쓰기 패턴 파악은 유효한(valid) 데이터 블록과 유효하지 않은(invalid) 데이터 블록의 리스트를 만들어 그 시간 값의 평균을 이용한다.

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Characterization of EXT4 Filesystem Accesses for Android Web Browser (안드로이드 웹 브라우저의 EXT4에 대한 파일시스템의 접근 특성 분석)

  • Lee, Joon-Woo;Kim, Kang-Hee
    • Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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    • 2012.06a
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    • pp.89-91
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    • 2012
  • 플래시 저장장치는 순차 쓰기패턴에 높은 성능을 보이고, 랜덤 쓰기패턴에 낮은 성능을 보인다고 알려져 있다. 그러나 실제 응용 프로그램은 동작 방식에 따라 복합적인 패턴을 보일 수 있다. 본 논문은 대표적인 모바일 응용으로서 웹 브라우저 응용의 파일시스템 접근 특성을 정량적으로 분석하고자 한다. 최근에 안드로이드 스마트 폰에 채택된 Ext4 파일시스템을 기준으로 웹 브라우저 응용의 파일시스템 요청들을 성능개선점을 지적하고자 한다.

Grammar Error Detection System for Learners of Spoken and Written English (영어 말하기, 쓰기 학습자를 위한 문법 오류 검출 시스템)

  • Seo, Hongsuck;Lee, Sungjin;Lee, Jinsik;Lee, Jonghoon;Lee, Gary Geunbae
    • Annual Conference on Human and Language Technology
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    • 2011.10a
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    • pp.136-139
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    • 2011
  • 외국어 교육의 필요성이 강조되고 그에 대한 요구가 늘어남에 따라 언어 교육의 기회를 늘리고 비용을 줄이기 위해 컴퓨터 기반의 다양한 기술들의 요구 역시 증가하고 개발되고 있다. 언어 능력 개발의 중요한 요소로서 문법 교육에 대한 컴퓨터 지원 기술 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 문법 오류 시뮬레이션을 통해 문법 오류 패턴 데이터베이스를 구축하고 이들 패턴과 사용자 입력의 패턴 매칭으로 생성된 자질 벡터로 기계 학습을 하여 문법성 확인을 했다. 문법성 확인 결과에 따라 오류 종류에 따른 상대 빈도를 고려하여 오류 종류를 분류했다. 또 말하기와 쓰기 작업의 서로 다른 특성을 반영하기 위해 말하기 작업과 쓰기 작업에 대한 두 개의 다른 말뭉치가 학습에 이용 되었다.

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A Design of Double Cache Policy for File System Based on NAND Flash Memory (NAND 플래시 메모리 기반 파일시스템을 위한 더블 캐시 정책 설계)

  • Park, Myung-Kyu;Kim, Sung-Jo
    • Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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    • 2008.06b
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    • pp.366-370
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    • 2008
  • NAND 플래시 메모리는 특성상 쓰기 횟수가 제한적이라는 단점을 가지고 있어 쓰기 연산이 빈번히 발생하게 되면 NAND 플래시 메모리의 수명이 줄어든다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 NAND 플래시 메모리의 특성을 고려한 지연 쓰기 기법이 연구되고 있다. 하지만 지연 쓰기를 하기 때문에 쓰기 횟수는 줄어들지만 캐시 적중률이 낮아진다. 이러한 문제해결을 위해 본 논문에서는 NAND 플래시 메모리 기반 파일 시스템을 위한 더블 캐시 정책을 제안한다. 더블 캐시는 실질적인 캐시인 Real Cache와 요구 페이지의 패턴을 관찰하기 위한 Ghost Cache로 구성된다. 이 정책은 Real Cache에서의 지연 쓰기를 하지 않고, Ghost Cache 공간에서 dirty페이지와 clean페이지를 활용하여 효율적인 지연 쓰기가 가능하도록 설계함으로써 쓰기 횟수를 줄이고, 적중률을 높인다.

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Study on Sentence Rewriting in English-Korean Machine Translation (영한 기계번역에서 문장 다시 쓰기에 관한 연구)

  • Kim, Sung-Dong
    • Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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    • 2008.06c
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    • pp.257-261
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    • 2008
  • 규칙 기반의 영한 기계번역에서는 영어의 문법 규칙을 구축하고 이를 이용하여 영어의 구문 분석을 수행한다. 그러나 쉼표를 포함한 문장이나 특수한 형식의 문장들은 문법에 의해 분석하기 어렵다. 이를 문법에 의해 분석하기 위해서는 문법이 복잡해지고 문법의 수가 많아지게 되어 분석의 복잡도를 증가시키게 된다. 이러한 문제를 해결하기 위해 이미 존재하는 규칙에 의해 분석할 수 있는 형태로 문장을 바꾸는 문장 다시 쓰기를 제안한다. 문장 다시 쓰기를 위해 쉼표를 포함한 문장에 대해서 다시 쓰기가 필요한 패턴을 구축하였으며 이에 대해 문장 다시 쓰기를 실험하였다. 문장 다시 쓰기를 통해 입력 문장을 변형함으로써 규칙의 추가 없이 구문 분석이 가능하며 제안한 방법은 특수한 형식을 가진 문장 및 쉼표에 의해 연결되는 문장들에 대해 보다 정확한 분석과 번역을 위한 새로운 방법으로서 의의가 있다.

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Analyzing Virtual Memory Write Characteristics and Designing Page Replacement Algorithms for NAND Flash Memory (NAND 플래시메모리를 위한 가상메모리의 쓰기 참조 분석 및 페이지 교체 알고리즘 설계)

  • Lee, Hye-Jeong;Bahn, Hyo-Kyung
    • Journal of KIISE:Computer Systems and Theory
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    • v.36 no.6
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    • pp.543-556
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    • 2009
  • Recently, NAND flash memory is being used as the swap device of virtual memory as well as the file storage of mobile systems. Since temporal locality is dominant in page references of virtual memory, LRU and its approximated CLOCK algorithms are widely used. However, cost of a write operation in flash memory is much larger than that of a read operation, and thus a page replacement algorithm should consider this factor. This paper analyzes virtual memory read/write reference patterns individually, and observes the ranking inversion problem of temporal locality in write references which is not observed in read references. With this observation, we present a new page replacement algorithm considering write frequency as well as temporal locality in estimating write reference behaviors. This new algorithm dynamically allocates memory space to read/write operations based on their reference patterns and I/O costs. Though the algorithm has no external parameter to tune, it supports optimized implementations for virtual memory systems, and also performs 20-66% better than CLOCK, CAR, and CFLRU algorithms.

CPWL : Clock and Page Weight based Disk Buffer Management Policy for Flash Memory Systems

  • Kang, Byung Kook;Kwak, Jong Wook
    • Journal of the Korea Society of Computer and Information
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    • v.25 no.2
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    • pp.21-29
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    • 2020
  • The use of NAND flash memory is continuously increased with the demand of mobile data in the IT industry environment. However, the erase operations in flash memory require longer latency and higher power consumption, resulting in the limited lifetime for each cell. Therefore, frequent write/erase operations reduce the performance and the lifetime of the flash memory. In order to solve this problem, management techniques for improving the performance of flash based storage by reducing write and erase operations of flash memory with using disk buffers have been studied. In this paper, we propose a CPWL to minimized the number of write operations. It is a disk buffer management that separates read and write pages according to the characteristics of the buffer memory access patterns. This technique increases the lifespan of the flash memory and decreases an energy consumption by reducing the number of writes by arranging pages according to the characteristics of buffer memory access mode of requested pages.

Low Power Embedded Memory Design for Viterbi Decoder with Energy Optimized Write Operation (쓰기 동작의 에너지 감소를 통한 비터비 디코더 전용 저전력 임베디드 SRAM 설계)

  • Tang, Hoyoung;Shin, Dongyeob;Song, Donghoo;Park, Jongsun
    • Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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    • v.50 no.11
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    • pp.117-123
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    • 2013
  • By exploiting the regular read and write access patterns of embedded SRAM memories inside Viterbi decoder, the memory architecture can be efficiently modified to reduce the power consumption of write operation. According to the experimental results with 65nm CMOS process, the proposed embedded memory used for Viterbi decoder achieves 30.84% of power savings with 8.92% of area overhead compared to the conventional embedded SRAM approaches.