The purpose of the present study is to examine the degree to which the writing instruction using animations has effects on the writing performance of $4^{th}$ year elementary school students. This study also examined the effects of the animation-based writing instruction on the interest and confidence of those students. To this aim, the present study utilized a set of writing tests and questionnaires before and after the instruction. The data were collected from 63 elementary school students. The data were then analyzed using a series of statistical analyses. The results suggested that the students who received the writing instruction using animations performed significantly better on the writing test than those who received the textbook-based instruction. The results also suggested that those who received the animation-based instruction showed more positive interest and confidence on English and English learning. Finally, limitations of the present study and suggestions for further studies are discussed at the end of the paper.
Modern society is rapidly changing by the Internet, and it is getting influential on the field of education. Learners can learn what they want to learn actively and freely at their desired level at anywhere in their free time by using the internet. The purpose of this study, therefore, is to find out the methods for improving writing ability through e-learning. The results of the study are as follows: First, learners can attend a lecture to improve their writing ability and can get learning materials from on-line course sites, internet websites, communities and blogs. Second, e-learning is learner-centered education, so it stimulates learners learning motivation and interest. Third, learners have an opportunity to express their ideas freely, and they can gain cultural comprehension while they communicate with people in the world by e-mail and chatting.
The purpose of this study was to investigate the characteristics of reading, writing fluency of the underachieving children and stuttering children and school-aged children and frequency of errors. The participants were 15 underachieving children and 15 stuttering children and 15 school-aged children without disabilities. All participants were required to conduct reading, writing, speaking tasks. First, work for the reading tasks were different among the underachieving children and stuttering children and school-aged children. Second, writing tasks were not different among the groups in the writing fluency, but it was lacking in accuracy, which is stuttering, speaking fluency as well as their language fluency is suggesting the need for diagnosis and intervention. Third, this type of errors of writing tasks is showed higher levels of ommission, substitution, grammatical errors in the underachieving children group. The therapy of reading of stuttering also consider a treatment program that can be configured in the combined writing tasks.
Journal of the Korean Society for Library and Information Science
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v.48
no.4
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pp.51-70
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2014
The major aim of this study is to discuss the possibility whether the merging of Information Literacy and rhetoric will be able to have essential elements for being a general education subject in universities. The characteristic of rhetorical information literacy (RIL) is organized as follows. Situated literacy using heuristic method, process oriented literacy attaching importance to research, and literacy relevant to ubiquitous environment. So, it is argued that rhetorical information literate citizenry is essential for a modern democratic society. As the information literacy instruction program can be various, for example, technology oriented instruction is needed to be compared. For the practical execution of the RILI program, 'asking situated questions to discover problem', 'selecting and writing review of meta study books', and 'writing visiting report of library', and 'instruction of information ethics for democratic citizens' have been proposed.
외국어를 학습하는 데 있어서 해당 외국어의 의사소통 능력을 향상시키고 평가한다는 것은 상당히 큰 중요성을 가진다. 교실에서 학습자의 듣기, 말하기, 읽기, 쓰기 능력을 통해 학습자의 언어 능력을 함양하고 평가하기 위해 어떠한 연습문제나 시험 혹은 평가방법을 사용하느냐 하는 것은 학습자의 학습동기에 지대한 영향을 미친다. 왜냐하면, 보통 학습자들은 교수자가 무엇을 가르치고 기대하며 평가하느냐에 따라 자신들의 학습방법을 맞춰 나가기 때문이다. 이러한 맥락에서 본 연구는 보다 적극적인 학습자들의 참여를 유도하고 유연성 있는 학습자 중심의 학습법을 고양시키며 다양한 언어능력을 고취시키기 위하여, 효과적인 외국어 학습법의 하나로 알려진 paraphrasing을 학습에 활용하고자 한다. 특히 paraphrasing은 일상생활 속에서도 의사소통을 원활히 하기 위한 수단으로서 글 바꿔 쓰기 혹은 말 바꿔 말하기로 활용되기도 하나, 본 소논문에서는 paraphrasing이 학습을 목적으로 하는 학습현장에서 활용되었다는 것을 감안하여 의역을 통한 학습 혹은 의역학습법을 소개하고자 한다. 실제로 paraphrasing은 언어 및 외국어 학습자들에게 상당히 효과가 있는 것으로 알려진 것에 비해 실제로 한국어 교육현장에서 사용한 연구들은 거의 찾아 볼 수가 없다고 해도 과언이 아니다. 따라서, 의역학습법을 학습현장에서 도입했을 때 경험한 여러 시행착오를 바탕으로 실질적으로 교실에서 사용된 예시들을 소개하고, 한국어를 가르치는 교수자들과 한국어를 배우는 외국인 학습자들에게 paraphrasing을 사용한 새로운 한국어 교수방법과 평가 도구를 제안하고자 한다. 이를 통해, paraphrasing이 한국어를 가르치는 교수자들과 한국어를 배우고자 하는 외국 학습자들에게 효과적인 언어학습 도구로서 실질적으로 교육현장에서 널리 사용될 수 있는 계기가 되었으면 한다.
For Korean learners, writing is a harder part than any other areas in Korean languages. But in the future, the ability to organize and write systematically is essential for future koran languages learners to take classes, do assignments and presentations at school, and then adapt to job situations. Therefore, there is a need to devise a direction for this. In general, writing characteristics are viewed in many ways, including writing productivity, writing complexity, and writing errors. Accordingly, the study provided drawings and A4 paper for Vietnamese Korean learners, Chinese Korean learners, and Korean university students, before writing freely. Based on the their writing results, we looked at syntax factors (total C-units, total number of words), syntax complexity (number of words per C-unit and clause density), and writing errors (postposition, spell errors, and connective suffix, space errors) According to the study, Vietnamese and Chinese Korean language learners showed significantly lower syntax productivity and complexity than Korean university students, and showed more writing errors than Korean students in postposition and clause density. Based on the results of the study, we discussed writing guidelines for Korean languages learners. However, this study did not validate the differences in writing characteristics according to the Korean language level and length of residences for the study subjects. Therefore, it is necessary to consider this in future research.
Journal of The Korean Association For Science Education
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v.26
no.3
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pp.367-375
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2006
This study investigated the effects of varying visuals in drawing and writing as methods to assist students in connecting and integrating multiple external representations provided in learning the particulate nature of matter. Seventh graders (N=233) at a coed middle school were assigned to control, static drawing (SO), dynamic drawing (DD), static writing (SW), and dynamic writing (DW) groups. The students were taught about "Boyle's Law" and "Charles's Law" for two class periods. Two-way ANCOVA results revealed that the scores of a conception test for the two drawing (SD, DD) groups and the two writing (SW, DW) groups were significantly higher than those for the control group. Within the writing groups, students of lower spatial visualization ability in the DW group scored significantly higher than those in the SW group. However, no significant differences were found in the scores of the conception test for the two drawing (SD, DD) groups regardless of students' visualization ability. Researchers also found that most students in both DD and DW groups had respectively positive perceptions of dynamic visuals in drawing or writing.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.08a
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pp.198-198
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2010
전하 트랩형 비휘발성 메모리는 10년 이상의 데이터 보존 능력과 빠른 쓰기/지우기 속도가 요구 된다. 그러나 두 가지 특성은 터널 산화막의 두께에 따라 서로 trade off 관계를 갖는다. 즉, 두 가지 특성을 모두 만족 시키면서 scaling down 하기는 매우 힘들다. 이것의 해결책으로 적층된 유전막을 터널 산화막으로 사용하여 쓰기/지우기 속도와 데이터 보존 특성을 만족하는 Tunnel Barrier engineered Memory (TBM)이 있다. TBM은 가운데 장벽은 높고 기판과 전극쪽의 장벽이 낮은 crested barrier type이 있으며, 이와 반대로 가운데 장벽은 낮고 기판과 전극쪽의 장벽이 높은 VARIOT barrier type이 있다. 일반적으로 유전율과 밴드갭(band gap)의 관계는 유전율이 클수록 밴드갭이 작은 특성을 갖는다. 이러한 관계로 인해 일반적으로 crested type의 터널산화막층은 high-k/low-k/high-k의 물질로 적층되며, VARIOT type은 low-k/high-k/low-k의 물질로 적층된다. 이 형태는 밴드갭이 다른 물질을 적층했을 때 전계에 따라 터널 장벽의 변화가 민감하여 전자의 장벽 투과율이 매우 빠르게 변화하는 특징을 갖는다. 결국 전계에 민감도 향상으로 쓰기/지우기 속도가 향상되며 적층된 유전막의 물리적 두께의 증가로 인해 데이터 보존 특성 또한 향상되는 장점을 갖는다. 본 연구에서는 기존의 TBM과 다른 형태의 staggered tunnel barrier를 제안한다. staggered tunnel barrier는 heterostructure의 에너지 밴드 구조 중 하나로 밴드 line up은 두 밴드들이 같은 방향으로 shift된 형태이다. 즉, 가전자대 에너지 장벽의 minimum이 한 쪽에 생기면 전도대 에너지 장벽의 maximum은 반대쪽에 생기는 형태를 갖는다. 이러한 밴드구조를 갖는 물질을 터널 산화막층으로 하게 되면 쓰기/지우기 속도를 증가시킬 수 있으며, 데이터 보존 능력 모두 만족할 수 있어 TBM의 터널 산화막으로의 사용이 기대된다. 본 연구에서 제작한 staggered TBM소자의 터널 산화막으로는 Si3N4/HfAlO (3/3 nm)을 사용하여 I-V(current-voltage), Retention, Endurance를 측정하여 메모리 소자로서의 특성을 분석하였으며, 제 1 터널 산화막(Si3N4)의 두께를 wet etching 시간 (0, 10, 20 sec)에 따른 메모리 특성을 비교 분석하였다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.255-255
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2010
전하 트랩형 비휘발성 메모리는 10년 이상의 데이터 보존 능력과 빠른 쓰기/지우기 속도가 요구 된다. 그러나 두 가지 특성은 터널 산화막의 두께에 따라 서로 trade off 관계를 갖는다. 즉, 두 가지 특성을 모두 만족 시키면서 scaling down 하기는 매우 힘들다. 이것의 해결책으로 적층된 유전막을 터널 산화막으로 사용하여 쓰기/지우기 속도와 데이터 보존 특성을 만족하는 Tunnel Barrier engineered Memory (TBM)이 있다. TBM은 가운데 장벽은 높고 기판과 전극쪽의 장벽이 낮은 crested barrier type이 있으며, 이와 반대로 가운데 장벽은 낮고 기판과 전극쪽의 장벽이 높은 VARIOT barrier type이 있다. 일반적으로 유전율과 밴드갭(band gap)의 관계는 유전율이 클수록 밴드갭이 작은 특성을 갖는다. 이러한 관계로 인해 일반적으로 crested type의 터널 산화막층은 high-k/low-k/high-k의 물질로 적층되며, VARIOT type은 low-k/high-k/low-k의 물질로 적층된다. 이 형태는 밴드갭이 다른 물질을 적층했을 때 전계에 따라 터널 장벽의 변화가 민감하여 전자의 장벽 투과율이 매우 빠르게 변화하는 특징을 갖는다. 결국 전계에 민감도 향상으로 쓰기/지우기 속도가 향상되며 적층된 유전막의 물리적 두께의 증가로 인해 데이터 보존 특성 또한 향상되는 장점을 갖는다. 본 연구에서는 기존의 TBM과 다른 형태의 staggered tunnel barrier를 제안한다. staggered tunnel barrier는 heterostructure의 에너지 밴드 구조 중 하나로 밴드 line up은 두 밴드들이 같은 방향으로 shift된 형태이다. 즉, 가전자대 에너지 장벽의 minimum이 한 쪽에 생기면 전도대 에너지 장벽의 maximum은 반대쪽에 생기는 형태를 갖는다. 이러한 밴드구조를 갖는 물질을 터널 산화막층으로 하게 되면 쓰기/지우기 속도를 증가시킬 수 있으며, 데이터 보존 능력 모두 만족할 수 있어 TBM의 터널 산화막으로의 사용이 기대된다. 본 연구에서 제작한 staggered TBM소자의 터널 산화막으로는 $Si_3N_4$/HfAlO (Hf:Al=1:3)을 사용하여 I-V(current-voltage), Retention, Endurance를 측정하여 메모리 소자로서의 특성을 분석하였으며, 터널 산화막의 제 1층인 $Si_3N_4$의 두께를 1.5 nm, 3 nm일 때의 특성을 비교 분석하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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