• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권5호
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• pp.518-525
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• 1996

본 고에서는 유리 집적광센서의 제작에 적합한 유리재료들의 종류와 특성을 설명하였으며, 이들 유리의 종류에 맞도록 개발되어진 제작기술 중에서 이온교환(Ion exchange)방법과 silica-on-silicon(SOS)방법을 소개하였다. 그리고 이러한 공정기술을 이용하여 제작되어진 유리 집적광센서 중에서 물체의 거리를 측정하기 위한 마이클슨 간섭계(michelson interferometer)와 물질의 농도를 측정하기 위한 화학센서(chemical sensor)들을 소개하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제43권2호
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• pp.18-23
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• 2006

본 논문에서는 실리콘 상의 2층 실리카 도파로에서 새로운 고유치 방정식을 도출하여, 프리즘 커플러로 굴절률과 박막의 두께를 결정하는 방법을 나타내었다. 도출된 고유치 방정식의 알고리즘은 반복 파라메터가 4개의 변수에서 3개의 변수로 감소되어질 수 있으므로 Ref.[5]의 방정식의 해보다 보다 좋은 장점을 갖으며. 또한 본 논문에 얻어진 평균 에러는 약 $10^{-5}\~10^{-6}$ 이 하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제34권2호
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• pp.188-194
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• 1997

TMCS(Trimethylchlorosilane)로 표면개질한 습윤겔을 에탄올에 재분산시켜 코팅용 재분산 실리카 졸을 제조하였고 제조된 졸을 실리콘 기판에 스핀 코팅한 후 상압 하에서 건조(8$0^{\circ}C$) 및 열처리(>25$0^{\circ}C$)하여 열처리온도에 따른 박막의 물성 변화를 관찰하였다. 습윤겔의 재분산시 안정한 재분산 실리카 졸의 제조를 위한 최적 재분산 조건을 습윤겔:에탄올=1g110$m\ell$로 하였고, 이렇게 제조된 재분산 실리카 졸의 농도와 점도는 각각 0.11 M, 2.0-2.2cP였으며 평균 졸 입자크기는 약 30nm정도였다. 1500rpm, 10회 스핀 코팅한 후 8$0^{\circ}C$에서 2시간 건조, 45$0^{\circ}C$에서 2시간 열처리에 의하여 굴절율이 약 1.14, 두께가 400nm정도인 균열이 없는 박막을 얻을 수 있었다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제51권4호
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• pp.443-454
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• 2013

콜로이드 실리카와 가용성 실리카를 이용하여 나트륨이 첨가되지 않은 다양한 금속이온 첨가 MCM-41 촉매를 제조하였다. 전이금속 이온인 $V^{5+}$, $Co^{2+}$ 및 $Ni^{2+}$이 MCM-41에 첨가되었을 경우 기공벽 내의 실리콘 이온과 등방치환을 하여 실리카 기공벽 내에서 독립된 단일 활성점을 형성하여 우수한 환원 및 활성 내구성을 보였다. 수소 승온 환원법을 이용하여 Co-MCM-41 촉매의 기공 곡률 반경효과에 대해 검토해 본 결과, 적절한 환원 처리와 기공 크기 및 pH 조절에 따라 코발트 금속입자의 크기를 1nm 이하의 범위에서 조절할 수 있었으며, 이 미세 금속 입자들은 표면 금속이온들과의 결합으로 인해 상당한 고온 안정성이 있음을 발견하였다. 완전 환원 후에도 비정형 실리카의 부분 덮힘으로 인해 금속 입자들의 표면 이동 및 뭉침 현상이 현저히 저하되는 것을 볼 수 있었다. 이들 촉매의 반응 예로 금속 입자 크기에 민감한 단일층 탄소 나노튜브의 합성을 Co-MCM-41을 이용하여 실시하였고, 금속 입자의 안정성 시험반응으로 Co 및 Ni-MCM-41을 이용한 CO 메탄화 반응, V-MCM-41을 이용한 메탄올 및 메탄의 부분 산화반응 및 기공곡률 반경이 촉매활성에 미치는 영향 등을 살펴보았다.

• 한국결정성장학회지
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• 제22권2호
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• pp.65-72
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• 2012

본 연구에서는 비정질 실리콘의 알루미늄 유도 결정화(AIC)가 시도되었다. 결정질 실리콘의 좀 더 큰 입자를 얻기 위해, 선택적인 핵생성(Selective nucleation) 시도는 비정질 실리콘 밑의 실리카($SiO_2$) 층의 습식 파우더 분사 처리와 함께 진행됐다. 또한 니켈 층은 실리콘 원자가 알루미늄 층으로 이동하는 것을 방지하기 위한 확산 방지막(Diffusion barrier)으로 선택되었다. $520^{\circ}C$에서 열처리를 한 후에 XRD 분석을 통해 Si(111) 방향으로 결정화된 결정질 실리콘을 확인했고 니켈은 실리콘과 알루미늄 사이의 확산 방지막으로 매우 효과적인 재료라는 것을 입증하였다. 이 연구는 고성능의 태양전지에 적용하는 결정질 실리콘 막의 좀 더 큰 입자를 얻기 위한 방법 중의 하나라고 기대된다.