$C_4F_8/H_2$ 헬리콘 플라즈마를 이용한 산화막 식각시 형성된 잔류막 손상층이 후속 실리사이드 형성 및 전기적 특성에 미치는 효과
-
- Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
- /
- 1998.02a
- /
- pp.179-179
- /
- 1998