Journal of the Korean Institute of Intelligent Systems
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v.7
no.4
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pp.40-47
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1997
This paper proposes a method using the straight line Hough transform(SLHT) that recognizes the position
of DNA band images from the scanner. The method also detects and corrects automatically the leaning
angle of the image. After binarization of a gray-scale DNA band images, the SLHT detects line
components involved in the image and recognizes the position of the image using the cross paints of
the line components assuming the image is in retangular shape. To improve efficiency of reading many
IINA band images through the scanner, this method finds and corrects the leaning angle accurately as
less than -t I degree.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2016.11a
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pp.127-127
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2016
일반적인 알루미늄 표면처리 방식중 De Smut 는 질산 50~60% 용액에 상온에서 수초에서 수분 침적으로 Smut가 거의 제거가 되므로 도금공정에서 문제가 되지않았다. 단지 NOx 의 발생으로 작업공간 에서의 환경이 열악해 질 수 있다는 것이 문제 였다, 그러나 환경문제에 있어서 정부의 질소 규제 가 시작 되면서 알루미늄을 재료로 표면처리 하는 업체 에서는 질산 사용이 곤란해 해졌다. 그러나 질산이 금속과 의 친화력은 스테인레스, 알루미늄, 등 많은 금속에서 소지금속의 용해를 방지 하면서 산화스케일( De Smut)을 제거하는 데 유용한 산이어서 아직도 이용되고 있는 실정이다. 본 연구에서 는 우선 스테인레스 강의 산세시 불산과 질산의 혼산을 사용 하는 것을 불산, 불화암모늄, 황산, 과산화 수소 혹은 불산, 염산, 과산화 수소 등으로 전환 사용 하는 것 에 착안 하여 황산, 과산화수소 시스템에서 혹은 불산, 황산, 과산화 수소, 등으로 Smut 제거가 가능 한지 알아보고 그 효과를 살펴보았다.
Proceedings of the Acoustical Society of Korea Conference
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autumn
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pp.275-278
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2004
본 논문에서는 저 비트오율 압축 시 발생되는 신호 왜곡을 인간의 지각적 특성을 이용하여 음질을 개선하는 알고리즘을 제안한다. 저 비트오율 압축 과정에서 손실된 고주파 영역의 신호를 부가 정보를 사용하지 않고 손실되지 않은 영역의 정보를 사용하여 고주파 영역의 신호를 첨가함으로써 음질을 개선하였다. 비 손실 영역의 순음 및 비 순음 성분을 검출하여 손실영역에 해당 하모닉 성분을 청각 자극 에너지로 스케일 하여 새로운 신호를 첨가한다. 원 신호와 저 비트오율 압축으로 인해 왜곡된 신호, 그리고 본 논문의 알고리즘을 이용하여 개선된 신호를 신호 대 잡음 비를 측정하고 청감 테스트를 통해 음질 개선 효과를 확인하였다.
Proceedings of the Korea Multimedia Society Conference
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2003.11a
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pp.183-186
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2003
인터프레임 웨이블렛 부호화(Interframe Wavelet Coding)는 3D 서브밴드 부호화라고도 하며, 기존의 DCT 기반 동영상 부호화 방식에 비해 압축 효율이 우수하고, 특히 스케일러빌리티 기능이 뛰어난 부호화 방법이다. 본 논문에서는 기존의 인터프레임 웨이블렛 부호화 방법에서 시간 밴드 영상에 대해 동일한 웨이블렛 필터를 사용하여 공간 웨이블렛 필터를 적용하던 것을, 시간 밴드 영상의 특성을 고려하여 로우 밴드와 하이 밴드에 서로 다른 웨이블렛 필터를 적용하는 방법을 제안하였다. 본 논문에서는 로우밴드에는 9/7 필터를 적용하고 하이 밴드에는 Haar필터를 적용하여 보았다. 이렇게 적용함으로서 부호과정에서 가장 많은 연산량을 필요로하는 역 웨이블렛 변환이 간단하게 되어 복호기의 복잡도가 감소하는 효과가 있다. PSNR 실험에서 기존의 9/7 필터만을 사용하는 경우와 비교한 결과 거의 차이가 없었다.
Proceedings of the Korea Multimedia Society Conference
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2012.05a
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pp.226-230
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2012
본 논문에서는 직선 허프변환을 이용하여 DNA밴드 영상의 위치를 자동으로 인식한 다음, 영상의 기울어짐을 검출하고 보정하는 방법을 제안한다. 먼저 입력된 그레이 스케일 DNA밴드 영상을 이진화한 후 직선 허프변환에 의하여 DNA밴드 영상에 포함되어 있는 직선성분을 추출하고, 직선성분들이 직교하는 점을 찾아내어 입력하고자 하는 영상의 위치를 인식한다. 그리고 많은 양의 DNA밴드 영상 데이터를 효과적으로 입력할 수 있도록, 위치인식과정에서 실시한 직선 허프변환에 의해 영상의 기울어짐을 ${\pm}1$도 이내의 정확도로 검출하고, 기울어짐을 자동으로 보정한다.
In the present paper, the scale effects of two-dimensional airfoil and three-dimensional wind turbine were investigated by using FLUENT software. For two dimensional analysis, flow around S809 airfoil with various Reynolds No. and Mach No. conditions were simulated. For three dimensional analysis, scaled NREL Phase VI wind turbine models from 6% to 1,600% were simulated under the same tip speed ratio condition. Finally, aerodynamic comparisons between two-dimensional flow and three dimensional wind turbine flow are made for the feasibility study of scale effect corrections. Currently, KARI(Korea Aerospace Research Institute) is preparing for the wind tunnel test of 12% NREL Phase VI wind turbine and the performance analysis of the scaled NREL wind turbine model will be validated by the wind tunnel test.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.30
no.1
s.244
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pp.41-47
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2006
High resolution dopant profiling in semiconductor devices has been an intense research topic because of its practical importance in semiconductor industry. Although several techniques have already been developed. it still requires very expensive tools to achieve nanometer scale resolution. In this study we demonstrated a novel dopant profiling technique with nanometer resolution using very simple setup. The newly developed technique measures the thermoelectric voltage generated in the contact point of the SPM probe tip and MOSFET surface instead of electrical signals widely adopted in previous techniques like Scanning Capacitance Microscopy. The spatial resolution of our measurement technique is limited by the size of contact size between SPM probe tip and MOSFET surface and is estimated to be about 10 nm in this experiment.
왕복식엔진에서 연소과정은 실린더내 유체유동에 지배되므로 최적조건의 엔진설계를 위해서는 실린더내 유체유동을 효과적으로 이용하는 것이 필요하다. 연소과정에 중요한 영향을 미치는 압축말기 연소실내 난류강도는 흡입과정시 생성된 유동의 에너지가 압축과정을 거치면서 작은 스케일의 에디(eddy)로 깨지면서 발생된다. 연소과정시 이러한 에디들은 초기화염생성을 촉진 시키고 화염전파속도를 증진시키는 역할을 함으로써 실린더내 유체유동에 대한 이해증진을위해 실린더내 평균속도 및 난류유동을 측정하는 연구들이 많이 진행되고 있다. 엔진유동은 매사이 클의 유동이 엄밀히 주기적인 운동을 하지 않고, 각 사이클의 유동이 비정상유동을 하며, 유동의 생성 및 소멸이 매우 짧은 특성을 가진다. 따라서 산란입자가 측정체적을 통과할 때 속도데이 터가 발생하는 LDV(laser Doppler velocimetry) 측정에 있어서 레이저빔의 산란광노이즈 감소와 산란입자의 효율적인 공급으로 데이터 발생률을 높이는 것이 어려운 점이다. 이 글에서는 엔진 유동의 LDV측정시 고려해야 할 문제점들, 실험장치구성, 그리고 데이터처리 방법과 주요측정 결과에 대해 본 연구팀에서 지금까지 수행한 연구결과를 토대로 하여 기술하고자 한다.
Transactions of the Korean Society of Automotive Engineers
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v.4
no.3
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pp.139-146
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1996
An extended $k-\varepsilon$ tuebulence model modified by considering the streamline curvature effect and standard $k-\varepsilon$ turbulence model have been applied for three dimensional analysis of turbulece flow in a $90^{\circ}$ curved duct. By comparision of the results with the experimental data, the modified extended $k-\varepsilon$ model gave closer agreement with experimental data than the results from standard $k-\varepsilon$ model owing to an extra time scale of the production rate and parameter describing effects of streamline curvature included in the dissipation rate equation.
Proceedings of the Computational Structural Engineering Institute Conference
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2011.04a
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pp.273-276
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2011
표면의 물성은 표면효과를 고려한 나노 스케일의 구조물의 기계적 거동 해석에 있어서 필수적인 요소이다. 이러한 해석을 위한 방법론 중 surface relaxation model을 이용하여 박막의 표면 물성을 계산하는 방법은 이미 FCC 모델에서는 검증된 바 있으나, 동일한 방법론을 diamond 구조를 가지는 실리콘에 일괄적으로 적용할 수는 없다. 이는 FCC 구조를 갖는 금속과는 달리 실리콘이 공유결합 물질이라는 점과, 박막표면에서 다양한 surface reconstruction이 가능하다는 점, 그리고 실리콘의 diamond lattice가 FCC lattice에 비해 추가적인 자유도가 존재한다는 점으로부터 기인한다. 본 논문에서는 이와 같은 조건을 고려하여 Si 박막의 표면 물성을 해석하기 위한 surface relaxation 모델을 제시한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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