• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2003.04a
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• pp.185-188
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• 2003

본 논문에서는 공진기 길이 변화에 따른 V-자형 알루미늄갈륨비소-갈륨비소(AIGaAs-GaAs) 양자선 레이저의 서브밴드 에너지 천이에 대한 스펙트럼과 시간적 스위칭 특성을 조사하였다. $300{\mu}m$ 이하의 짧은 공진기 길이를 갖는 V-자형 양자선 레이저는 공진기 손실의 증가로 인하여 n=1에서 n=2 서브밴드(subband)로의 양자화 천이(불연속적인 파장 스위칭)가 발생하였고, 초단 광펄스를 생성하는 이득 스위칭방식을 이용하여 초고속 레이징 특성을 관찰하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2015.07a
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• pp.59-60
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• 2015

본 논문에서는 3-Level NPC(Neutral Point Clamped) 인버터에서 ZDPWM(Zero Dead Time Pulse Width Modulation) 기법에 대해서 제안한다. 3-Level NPC 인버터에서 기존 PWM 기법은 각 스위치는 서로 상보적인 동작을 수행하고, 반도체 스위칭 소자 특성상 Rise Time과 Fall Time의 시간차이로 인하여 단락사고를 방지하기 위해 스위칭 신호의 Rising Edge에 데드타임을 인가하여 단락을 방지한다. 그러나 이러한 데드타임은 지령 스위칭 신호와 실제 스위칭 신호의 오차로 인하여 출력 전압 및 전류에 왜곡이 발생하고, 이러한 왜곡으로 인하여 시스템의 오작동 및 직류링크단 전압의 불평형의 원인이 된다. 제안하는 PWM기법은 지령전압과 출력전류의 위상에 따라 영역을 나눈 후 전류의 방향에 따라 옵셋 전압을 생성하여 새로운 지령전압을 만들어 각 스위치에 스위칭 신호를 인가한다. 제안한 기법에 타당성을 증명하기 위해 시뮬레이션을 통해 검증하였다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.7 no.2
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• pp.167-173
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• 1996

In this paper, the voltage dependence of the dynamic characteristics in a STN LCD is investigated. From the measurement of the switching times for four STN LC cells under various applied voltages, it was found that the analytical equation for the switching times has a fixed proportional constant irrespective of sample parameters. We also investigated the dependence of the switching times on the bias voltage. Our theoretical results were in good agreement with above experimental results.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2000.10b
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• pp.1099-1102
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• 2000

입출력버퍼형 스위치를 위한 간단한 셀 스케줄링 알고리즘을 제시한다. 스위치는 고속동작 및 성능 향상을 위해 이중 스위칭 플랜을 갖고 있다. 제안한 알고리즘은 각각의 스위칭 플랜에서 독립적으로 수행되며 전송요청 (request), 전송허가(grant). 전송확정 (accept)의 3 단계 동작으로 이루어져 있다. 또한 각 3 단계동작을 한 셀시간에 한 번씩만 수행하여 단위 셀시간이 작은 고속 스위칭에 적합하다. 모의실험 결과 제안한 알고리즘의 성능이 Bernoulli 트래픽 입력에 대해 출력버퍼형 스위치의 성능과 거의 동일하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2015.07a
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• pp.501-502
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• 2015

본 논문에서는 3상 인버터 직류단에 하나의 shunt 저항을 삽입한 1-shunt 인버터의 평균 상전류를 추정하는 새로운 알고리즘을 제안한다. 2개의 영벡터와 6개의 유효전압 벡터의 조합으로 구현되는 SVPWM 방식에서, 각 스위칭 상태에 따른 상전류 기울기를 알 수 있다면, 유효전압 벡터 인가시간을 이용하여 평균 상전류를 추정할 수 있다. 본 논문에서는 각 스위칭 상태에서의 전류기울기와 인가시간을 이용하여 평균 상전류를 추정하고 이를 일반화 한다. 제안된 알고리즘의 정확성은 실험적 결과를 통해 증명한다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.10 no.1
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• pp.96-103
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• 2006

This paper proposes a new technique for improving the efficiency of single phase high frequency switch mode boost converter. This converter includes an additional boost converter that follows the main hish frequency switching device. The additional converter, which is controlled at lower frequencies, bypasses almost all the current in the main switch and the high frequency switching loss is greatly reduced. Both switching devices are controlled by a simple method; each controller consists of a one-shot multivibrator, a comparator and an AND gate, and the maximum switching frequency can be limited without any clock generator. The converter works cooperatively in high efficiency and acts as though it were a conventional high frequency switch mode converter with one switching device. This paper describes the proposed converter configuration, design, and discusses the steady state performance concerning the switching loss reduction and efficiency improvement. and the proposed method is verified by computer simulation.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.62-62
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• 2011

현재 TFT의 주요 재료로 사용되는 비정질 실리콘은 전하 이동도가 매우 작아 고속 스위칭과 같은 고성능을 구현하기 어려우며 이동도 향상을 위해 고온 공정이 적용되야 하는 단점을 가지고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 전하 이동도가 큰 박막재료를 바탕으로 박막 트랜지스터의 연구개발이 필요하며 이를 위한 해결책 중 새로운 스위칭 동작원리를 제공하며 고 이동도를 갖는 비정질 칼코지나이드 재료가 각광 받고 있다. 본 연구에서는 박막 스위칭 소자 응용을 위해 GeTe 재료를 기반으로 Se을 치환하여 GeSexTe1-x 박막을 제작한 후 소자의 전기적 특성을 평가하였다. GeTe 박막의 결정화 온도는 $187^{\circ}C$였으며 Se을 점진적으로 첨가한 GeSexTe1-x (X=0.2, 0.4, 0.6) 박막의 경우 각각 $213^{\circ}C$, $240^{\circ}C$, $287^{\circ}C$로 측정되었다. 이는 상대적으로 Ge과 Se의 결합에너지가 Ge과 Te의 결합에너지 보다 크기 때문에 Se 함량의 증가에 따라 비정질상의 안정성이 증가된 것으로 판단된다. 비교적 열적 안정성이 높은 3가지의 각각 다른 Se함량을 가진 Ge1.07 Se0.50 Te0.43, Ge1.07 Se0.68 Te0.26, Ge0.95 Se0.90 Te0.15의 소자를 제작하여 스위칭 특성을 분석하였다. GeTe의 경우 전형적인 메모리 스위칭 특성이 나타난 반면 위의 조성을 갖는 박막의 경우 반복적인 문턱 스위칭 특성을 보였다. 이는 Se이 첨가되면서 열적 안정성의 증가로 인해 스위칭이 일어난 후에도 비정질 상을 유지하기 때문이라 판단된다. 각각 제작된 소자에서 인가 전압의 증가와 펄스의 rising time 감소에 따라 더 빠른 스위칭 시간을 보였으며 Se함량이 감소함에 따라 스위칭 전압 또한 감소하는 것을 확인하였다. On 상태의 저항은 Se 함량에 따라 크게 차이가 없었지만 Off 상태의 저항은 Se 함량이 증가됨에 따라 증가되는 것을 확인하였다. 결과적으로 Se 함량에 따른 스위칭 특성의 최적화를 통해 고성능 스위칭 소자에 적용될 수 있을 것이라 판단된다.

• Journal of the Korean Institute of Intelligent Systems
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• v.11 no.9
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• pp.793-800
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• 2001

This paper deals with a new design methodology for a switching-type fuzzy-model-based controller in continuous and discrete-time system. Takagi-Sugeno (TS) fuzzy model is employed to design the switching-type fuzzy-model-based controller. A switching-type fuzzy-model-based controller is constructed based on the spirit of “divide and conquer”. The global system which has several rules in divided into several subsystems and then, a solution is found at each subsystem. The global solution is determined by a conjunction of the solutions of each subsystem. The design conditions are formulated in terns of linear matrix inequalities (LMIs), which guarantee the stabilization of a given TS fuzzy system. Simulation examples are included for ensuring the proposed control method.

• Journal of IKEEE
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• v.25 no.1
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• pp.15-24
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• 2021

In this paper, 1700 V EPDT (Extended P+ shielding floating gate Double Trench) MOSFET structure, which has a smaller switching time and loss than CDT (Conventional Double Trench) MOSFET, is proposed. The proposed EPDT MOSFET structure extended the P+ shielding area of the source trench in the CDT MOSFET structure and divided the gate into N+ and floating P- polysilicon gate. By comparing the two structures through Sentaurus TCAD simulation, the on-resistance was almost unchanged, but Crss (Gate-Drain Capacitance) decreased by 32.54 % and 65.5 %, when 0 V and 7 V was applied to the gate respectively. Therefore, the switching time and loss were reduced by 45 %, 32.6 % respectively, which shows that switching performance was greatly improved.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2015.07a
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• pp.217-218
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• 2015

본 논문에선 BLDCM(Brushless DC Motor)의 전류(轉流)구간에서 발생하는 토크리플을 저감시키기 위해 BLDCM의 역기 전력 모델을 이용하여 상승하는 전류와 하강하는 전류의 기울기가 같아지도록 PWM의 턴-온 시간을 실시간으로 제어하는 방식을 제안한다. 제안된 방식에서는 상이 전환되는 구간에서 상전류의 변화량이 스위칭 시간에 따른 인가전압과 전동기 모델방정식 및 예측되는 역기전력 모델에 의해 예측되어지며, 인가하는 전압의 크기는 PWM의 턴-온 시간에 따라 변하게 되므로, 두 전류의 변화량이 같아지도록 하는 스위칭 시간을 계산하여 적용하는 방식이다. 제안된 방식의 유효성은 실제 BLDCM에 대한 시뮬레이션을 통하여 증명하였다.