• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2004년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.17-19
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• 2004

트렌치 게이트 구조를 통해 순방향 전압 강하 손실 없이 기생 사이리스터 래치-업을 억제시키는 새로운 수평형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (LIGBT)를 제안하였다. 제안된 소자의 베이스 션트 저항은 정공의 우회로 인하여 감소하였으며, 이에 따라 기생 사이리스터 래치-업이 억제되었다. 제안된 소자의 순방향 전압강하는 트렌치 구조에 의한 유효 채널 폭 증가로 감소하였다. 제안된 소자의 동작 원리 분석을 위해 ISE-TCAD를 이용한 3차원 시뮬레이션을 수행하였으며, 표준 CMOS 공정을 이용하여 소자를 제작 및 측정하였다. 제안된 소자의 순방향 전압 강하는 기존의 LIGBT에 비해 증가하지 않았으며, 래치-업 용량은 2배로 향상되었다. 제안된 소자의 포화 전류는 감소하였으며, 이로 인하여 소자의 강인성 (ruggedness)이 향상되었다.

• 시멘트
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• 통권71호
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• pp.25-30
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• 1978

• 한국음향학회지
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• 제17권3호
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• pp.65-71
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• 1998

비균등 에러 보호에 의한 IMT-2000용 CDMA 순방향 링크의 성능개선 방법을 나타 내었다. 제안된 방법의 성능은 다경로 페이딩채널 및 BPSK변조에 대한 CS-ACELP 음성부 호화기 및 RCPC 채널부호화기를 이용하여 분석되었다. CS-ACELP 부호화기의 비트 에러 감도 정보에 근거한 연계성능분석 결과제안된 방법은 SEGSNR이 0.4∼1dB 개선되었다. 또 한 총전송율 및 전력제어비트를 펑처링하지 않고도 기존 구조를 유연성있게 변경 가능하다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.9-12
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• 2002

NPT IGBT의 게이트 길이 최적화에 대해 수치 해석적으로 분석하였다. 게이트가 길어질 때 드리프트 영역의 전압강하는 급격히 감소하는 반면 소자 표면의 전압강하는 일정하게 증가하기 때문에 순방향 전압강하가 최소가 되는 게이트 길이를 얻을 수 있음을 보였고 시뮬레이션 결과에 부합하는 표면 전압 강하에 대한 해석적인 모델을 처음으로 제시하였으며 그 결과가 시뮬레이션과 잘 일치함을 보였다.

• 한국멀티미디어학회:학술대회논문집
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• 한국멀티미디어학회 2003년도 춘계학술발표대회논문집
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• pp.351-354
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• 2003

본 논문에서는 임의 형태 영상 영역에 대한 변환 부호화 회로를 설계하고 구현하여 동작을 확인한다. 설계된 회로는 순방향 변환 부호화 회로와 역방향 변환 부호화 회로로 구성된다. 순방향 변환 부호화 회로에서는 영상 영역을 구성하는 화소들을 변환 블록의 가장 자리로 이동시킨 후, 비어 있는 부분을 화소 평균값으로 외삽한다. 그리고 변환을 실행한 후 외삽된 부분의 변환 계수들을 삭제한다 역방향 변환 부호화 회로에서는 먼저 삭제된 변환 계수들물 복원한 후에 역변환 과정을 수행하며, 역변환 계수들 중 복원된 부분의 계수들을 삭제한다. 모의 실험을 통해 본 논문에서 설계된 변환 부호화 회로가 특히 낮은 비트율에서 우수한 압축 성능을 갖는 것을 볼 수 있다.

• 발명특허
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• 제2권8호통권18호
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• pp.44-44
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• 1977

• 발명특허
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• 제1권6호통권6호
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• pp.38-38
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• 1976

• 타이어
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• 통권55호
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• pp.17-23
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• 1974

• 도서관문화
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• 제10권8호
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• pp.20-20
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• 1969

• 도서관문화
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• 제11권9호
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• pp.20-21
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• 1970