• The korean journal of orthodontics
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• v.29 no.1 s.72
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• pp.23-35
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• 1999

Lateral cephalograms or 251 males md 286 females were taken and pubertal growth pattern or cranial base, maxillary and mandible of 7 to 17 years old Korean children was evaluated. 10 landmarks and 16 analytical measurements were evaluated. Analytical measurement and annual difference for each age group was calculated and tested for statistical significance. Analytical measurements were classified into three groups which were cranial base, maxillary and mandibular measurements and also classified into make and female measurements. Following results were achieved. 1. The circumpuberal growth spurt was earlier in Korean females than in males. 2. Cranial base, maxilla and mandible showed circumpuberal growth. The cranial base showed a relatively smaller amount of growth than the facial complex. 3. Middle and posterior cranial base length showed a floater increase than anterior cranial base length and circumpuberal growth spurt was also more definite. 4. the forward and downward growth or maxilla results from maxillary growht itself and transposition or the maxilla due to circumsutural growth aroud the maxilla. Ar-ANS and Ar-Pr which represent maxillary position relative to the cranial base showed more growth than ANS-PNS which represents maxillary bone growth. 5. mandible showed more vertical growth than horizontal growth but without significance. 6. Alveolar gwoth of maxilla and mandible show maximum growth rate of the time of permanent teeth eruption following loss of deciduous teeth . After this period alveolar growth shows a decreasing tendency.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2011.05a
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• pp.241.2-241.2
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• 2011

다공 소재는 큰 비표면적과 규칙적으로 정렬된 구조의 특성으로 인해 자성메모리 소자용 재료, 나노 와이어 제작용 템플릿, 마이크로 반응기, 메타물질용 소재 등으로 각광을 받고 있다. 자기조립 수직배열 다공구조 재료를 제작하는 방법으로 흔히 알루미늄의 양극산화 방법과 이원공정계의 상분리 방법이 등이 있다. 본 연구에서는 상변태를 비롯한 패턴형성과 계면 운동을 가장 정확하게 다루는 이론적 모델로 알려진 상장모델(Phase Field model)을 이용하여 이원공정계의 박막성장과정 동안의 자발적 상분리에 의한 수직배열 자기조립 다공구조 형성을 시뮬레이션 한다. 상장모델을 기초로 하여 상분리 메커니즘에 의해 발현된 미세조직을 해석하고 다양한 공정변수가 미세조직 발현에 미치는 영향에 대해 연구한다. 또한 상장모델을 통해 얻은 결과는 기존에 발표된 연구들의 결과와 비교를 통해 유효성을 입증한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.05a
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• pp.71-71
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• 2015

TiN 박막의 미세구조를 공정 변수인 기판 전압, 기판과 타겟의 각도 등을 이용하여 변화시켜 박막의 물리적 특성을 평가하였다. TiN 박막은 음극 아크 증착법을 이용하여 기판에 코팅하였다. TiN 박막은 기판과 타겟의 각도를 제어하면 기판에 수직한 주상과 일정한 각도를 갖는 주상으로 성장하는 것을 확인하였다. 기판과 타겟의 각도를 일정하게 유지한 경우에도 기판에 전압을 인가하면 TiN 박막의 주상이 기판과 수직하게 성장하는 것을 확인하였다. 기판과 타겟의 각도와 기판 전압을 활용하면 TiN 박막의 미세구조를 다양하게 변화시킬 수 있었다. TiN 박막의 미세구조 변화는 물리적 특성 변화에 영향을 준 것으로 판단되며 기판 전압과 각도를 인가하지 않은 TiN 박막보다 미세구조가 변화한 박막이 높은 경도를 보였다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.19 no.2
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• pp.75-78
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• 2009

Si-doped GaAs single crystals were grown by vertical gradient freeze using PBN crucibles. The amount of oxide layer $B_{2}O_{3}$ in PBN crucible was changed($0{\sim}0.2wt%$) and measured the concentration of carriers. The segregation coefficients of Si in GaAs melt decreased rapidly from initial 0.1 to 0.01 as the amount of $B_{2}O_{3}$ increases. At the same time, concentration of carriers was shown to decrease. It is likely that the reaction between dopant Si and $B_{2}O_{3}$ in GaAs melt results in the reduction of Si dopants(donor) while increase in the amount of boron(acceptor). The thin layer of $B_{2}O_{3}$ glass in PBN crucible was proved to be a better way to reduce defect formation rather than the total amount of $B_{2}O_{3}$.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.154-154
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• 2011

자발형성법(Self-assembled)을 이용한 InAs 양자점(Quantum dots)은 성장법의 고유한 물리적 한계로 길이방향에 대한 수직방향 비율(Aspect ratio, AR)이 상대적으로 작은 값을 갖는다. 기존에 보고된 바에 따르면 GaAs 기판에 형성한 InAs 양자점은 일반적으로 AR이 0.3 정도를 보인다. 이러한 높이가 상대적으로 낮은 InAs 양자점은 수직방향으로 운반자(Carrier)의 파동함수 (Wave-function) 구속이 작게 되어 나노 양자점 구조의 0차원적 특성이 저하되게 된다. 본 논문에서는 Arsenic 차단법(Interruption technique)을 이용한 수정자발형성법(Modified self-assembled method, MSAM)으로 InAs 양자점(MSAM-InAs 양자점)을 형성하고 성장 변수에 따라 광 및 구조적 특성을 평가하여 0차원 순도를 분석하였다. MSAM InAs 양자점을 성장하고 12 nm 두께의 GaAs spacer 층을 증착한 후 $600^{\circ}C$에서 30초 동안 Arsenic 분위기에서 열처리(Annealing)를 수행 한 후 다시 InAs을 증착 하였다. 이러한 과정을 5번 반복하여 높이 방향으로 형상을 개선시킨 InAs 양자점을(Vetically-controlled MSAM, VCMSAM) 성장하였다. 기존 자발형성법을 이용한 InAs 양자점과 MSAM-InAs 양자점 단일층 구조를 기준시료로 성장하였다. 상온 포토루미네슨스(Photoluminescence, PL) 실험에서 단일 MSAM InAs 양자점 및 VCMSAM 양자점 시료의 발광에너지는 각각 1.10 eV와 1.13 eV를 나타내었다. VCMSAM InAs 양자점 시료의 PL세기는 단일 MSAM 양자점보다 3.4배 증가되어, 확연히 높게 나타나는 결과를 보였다. 이러한 결과는 높이 방향으로 운반자의 파동함수 구속력이 증가하여 구속준위 (Localized states)의 전자-정공의 파동함수중첩(Overlap integral)이 개선된 것으로 설명할 수 있다. 투과전자현미경(Transmission electron microscopy) 및 원자력간 현미경(Atomic force microscopy)을 이용하여 구조적 특성을 평가하고 이를 비교 분석한 결과를 보고한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.05a
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• pp.261-261
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• 2009

탄소나노튜브(CNT)는 우수한 기계적, 화학적, 전기적 특성 때문에 전자방출원, 가스저장매체, 약물전달시스템 그리고 전기화학적 소자 등의 응용으로 주목받고 있다 [1-3]. 이러한 응용을 위하여 플라즈마 이온조사법을 이용하여 열화학증기증착법(TCVD)으로 성장된 수직배향 탄소나노튜브(VCNT)의 구조변화를 도모하고, 그 메커니즘을 연구하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Navigation and Port Research Conference
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• 1992.04a
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• pp.44-52
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• 1992

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2009.02a
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• pp.201.1-201.1
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• 2009

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2002.06a
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• pp.127-127
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• 2002

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2002.02a
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• pp.142-142
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• 2002