• Transactions of the Korean hydrogen and new energy society
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• v.13 no.1
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• pp.52-64
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• 2002

유기성 폐기물을 이용하여 생물학적 수소생산 통합화 시스템 연구를 수행하였다. 통합화 시스템은 유기성폐기물의 전처리, 2단계 혐기발효 및 광합성 배양으로 구성된 생물학적 수소생산 공정, 초임계수 가스화 공정, 생산된 가스의 저장, 분리 및 연료전지를 이용한 전력 생산으로 구성되었다. 실험에 사용된 유기성 폐자원은 식품공장 폐수, 과일폐기물, 하수슬러지이며, 전처리는 폐기물에 따라 열처리 및 물리적 처리를 하였으며, 전처리된 시료는 생물학적 수소생산 공정에 직접 적용되었다. Clostridium butyricum 및 메탄 생성조에서 발생하는 하수슬러지중의 미생물 복합체는 수소생산 혐기 발효공정에 사용되었으며, 광합성 수소생산 미생물인 홍색 비유황 세균은 광합성 배양에 사용되었다. 생물학적 공정에서 발생하는 미생물 슬러지는 초임계수 가스화 공정으로 수소를 발생하였으며, 슬러지 중의 COD를 저하시켰다. 생물학적 공정 및 초임계수 가스화 공정에서 발생하는 수소는 가스탱크에 가입상태로 저장한 후, 95%순도로 분리하였으며, 정제된 수소는 연료전지에 연결하여 전력 생산을 하였다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.12 no.9
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• pp.1615-1622
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• 2008

We have fabricated the poly-silicon thin film transistor(TFT) which has the LDD-region with graded spacer. The devices of n-channel poly-si TFT's hydrogenated by $H_2$ and $H_2$/plasma processes were fabricated for the devices reliability. We have biased the devices under the gate voltage stress conditions of maximum leakage current. The parametric characteristics caused by gate voltage stress conditions in hydrogenated devices are investigated by measuring/analyzing the drain current, leakage current, threshold voltage($V_{th}$), sub-threshold slope(S) and transconductance($G_m$) values. As a analyzed results of characteristics parameters, the degradation characteristics in hydrogenated n-channel polysilicon TFT's are mainly caused by the enhancement of dangling bonds at the poly-Si/$SiO_2$ interface and the poly-Si grain boundary due to dissolution of Si-H bonds. The structure of novel proposed poly-Si TFT's are the simplicities of the fabrication process steps and the decrease of leakage current by reduced lateral electric field near the drain region.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.339.1-339.1
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• 2016

본 연구에서는 금속-절연막-반도체 (MIS) 형태를 이용한 비휘발성 메모리 (NVM) 소자의 메모리 특성 향상을 위해 수소화 (Hydrogenation) 처리된 게이트산화막을 블로킹 산화막으로 응용하였다. 기존 연구의 경우 저온 공정시 게이트산화막의 고품위 전기적 특성 확보에 어려움이 있었다. 하지만 이번 연구에서는 게이트산화막 형성 시 H2 또는 NH3가스를 함께 주입시켜 Si-H 결합의 증대를 통한 passivation 효과를 얻을 수 있었다. 형성된 게이트산화막의 전기적 특성을 확인하기 위해 우선적으로 박막트랜지스터 (TFT)를 제작하여 전기적 특성을 확인하였다. 수소화 처리된 게이트산화막을 이용한 TFT 경우 그렇지 않은 게이트산화막을 이용한 TFT 보다 약 5V의 threshold voltage (Vth) 이득이 있으며 Vth의 hysteresis 특성 역시 거의 0V로 매우 안정적이었다. MIS 형태의 NVM 소자의 경우 -20V에서 +15V, +15V에서 -20V로 sweep하여 측정한 flatband voltage (Vfb)의 변화량 역시 약 88%의 메모리 특성 이득이 있음을 확인하였다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.188-188
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• 2003

본 연구에서는 Pd에 의한 MILC(Metal induced lateral crystallization)시 수소 플라즈마 처리의 영향에 따른 결정화 양상 및 TFT에 미치는 효과에 대해 고찰하였다. 현재까지 Pd에 의한 MILC에 의해 Channel이 제작된 TFT는 Transfer curve 특성을 보이지 않는것으로 보고되어 있다. 이는 바늘 모양의 성장으로 인해 결정질 부분이 다 채워지지 않고 비정질 부분이 존재하고, 결정질 내에 쌍정 결함이 존재하기 때문인 것으로 알려져 있다. 본 실험에서는 수소 플라즈마 처리 시 Pd에 의한 MILC 양상이 수소 플라즈마 처리를 하지 않은 경우와는 달리 측면 결정화 양상이 바늘 모양의 성장 모습을 보이지 않고, 결정질 부분이 다 채워진 평탄한 모양의 성장 모습을 보였다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2005.11a
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• pp.51-59
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• 2005

수소 분리막의 적용 분야는 석탄가스, 천연가스, 메탄가스 혼합기체이며, 고온/고압 및 수소농도가 낮은 혼합기체에서 고순도의 수소를 제조하는 곳이다. 특히 치밀질 세라믹 멤브레인은 고온에서 가스화한 석탄가스나 차세대의 쓰레기 처리 기술인 가스화 용융처리에서 생긴 고온가스로부터 고순도의 수소를 분리할 수 있다. 분리한 수소는 고온을 유지하기 때문에 연료전지 발전에 최적이다. 종래의 연료전지는 발전을 위해서 수소의 가열이 필요했으나 이것이 불필요하게 되어 발전 전체의 효율이 향상된다. 석유화학 산업에서 발생하는 혼합기체에서 수소를 분리하여 사용하고 남은 기체는 연료로 재사용할 수 있다. 분리막의 재질로는 고분자계가 개발되고 있으며 고분자 지지체에 백금이나 로듐과 같은 촉매를 코팅하는 방법이다. 이는 기공의 제어가 용이하고 대량생산이 가능한 장점이 있지만 고온에서 사용이 불가능하고 입자상 물질에 의해 분리막의 손상이 문제가 되고 있다. 이에 비해 치밀질 세라믹 멤브레인은 세라믹의 특성에 의해 고온 및 고압에서도 적용이 가능하며, 실온이나 저압의 조건에서도 적용이 가능한 특징을 가진다. $900^{\circ}C$의 고온에서 적용시 세라믹 멤브레인에는 특성열화가 없어 수명이 긴 장점을 가지게 된다. 수소가 포함되어 있는 기체에서 수소 만을 분리하는 방법은 흡착이나 분리막을 이용하는 방법이 일반적이며 흡착에 의한 방법은 일부 실용화가 진행되고 있다. 고효율의 수소를 분리하는 방법으로 분리막을 이용하는 방법이 있다. 현재 치밀질 수소 분리막의 연구는 외국(미국, 일본 등)에서도 초기 연구 단계이다. 국내에서도 이런 연구가 선행되어 외국과의 기술 격차를 줄이고 에너지 자원에 대한 확보가 필요하기 때문에 이 연구가 수행되었다. 치밀질 멤브레인의 소재로는 proton 및 전자전도가 가능한 소재로서 Ba-Ce-Y계를 기본조성으로 하여 내구성과 전기전도도를 향상시키기 위해 Ca, La, In, Yb를 치환하였다. 제조한 재료의 물리화학적 특성을 평가하였고, 수소여과 장치를 이용하여 여과 효율을 평가하였다.

• Resources Recycling
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• v.10 no.3
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• pp.60-65
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• 2001

The PVC powder was treated at $200~250^{\circ}C$, in 0~2 M NaOH solutions for 0~5 h to study the kinetics of dehydrochlorination. In the case of water, the dehydrochlorination of PVC powder proceeded by the zero order reaction with X(the degree of dehydrochlorination), and the apparent activation energy was about 46 kcal/mol. The rate of dehydrochlorination increased with con-centration to 0.5 M NaOH, and proceeded by the first order reaction with X. And, the kinetics of dehydrochlorination was almost equal above 0.5 M NaOH. The apparent activation energies of dehydrochlorination in 0.1 M and 0.5 M NaOH was about 46 kcal/mol, respectively.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 1998.11a
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• pp.92-92
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• 1998

반도체 기술의 경이적인 발전에 힘입이 최근 휴대용 이동통신기기, 노트북 컴퓨터 등 무선전자제품의 폭발적인 수요와 함께 이들의 소형화, 경량화가 요구되어 전원인 2차전지의 경량화, 고용량화, 장수명화의 필요성이 절실해졌다. Ni-MH 전지는 Ni-Cd전지에 비해 에너지밀도가 1.5~2배에 이르고 충방전 cycle이 길며 오염물질이 없어 환경 친화적이라는 장점이 었다. Ni-MH 전지의 성능은 음극재료인 수소저장합금에 의해 좌우되므로 수소저장능력이 크고 내식 성이 우수한 합금개발이 중요하다. $CaNi_5$는 수소저장능력이 크고 매장량이 많아 값이 싸다는 장점이 있지만 KOH 용액에서 내구성이 떨어진다는 단점이 있어 주로 Heat Pump 재료에만 사용이 제한되어왔다. 본 실험에서는 결정 구조의 nanocrystalline 및 amorphous화함으로써 해리압의 변화, 방전용량의 변화 등 새로운 전극 특성을 나타낸다고 보고되고 있는 MG (Mechanical Grinding)방법을 통해 CaNis 합금의 전극특성의 변화를 살펴보았고, 아울러 고상-기상반응에서 표면에 형성된 산화피막을 제거하여 안정한 불화물을 표면에 형성시킴으로써 불순물 가스에 대한 내구성을 높이고 활성화특성을 향상 시킨다고 보고되고있는 불화처리 방법을 이용하여 불화처리 시간을 달리하면서 용액 속에서의 pH의 변화, ICP분석, 전극의 성능 및 표면 특성변화를 충방전 test, SEM 등을 통해 고찰하였다.

• Journal of Korean Society of Environmental Engineers
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• v.29 no.9
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• pp.1044-1050
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• 2007

In this study, Bio-hydrogen is produced from organic waste mixtures containing food waste and waste activated sludge (WAS). The effects of different operational factor on hydrogen production, including various solubilization methods for pretreatments of WAS, pH and different ratios of food waste and WAS, were investigated. The highest hydrogen production values are obtained as 4.3 mL $H_2/g$ $VS_{consumed}$ in the case of applying the mixed pre-treatments of alkali and ultrasonic. The pH value in bio-reactor increased from 4 to 8 after the ultrasonic treatment with alkali and the hydrogen yield touched its highest value in the pH range of 5.0 to 5.5. Similarly, the hydrogen production reached the level of 13.8 mL $H_2/g$ $VS_{consumed}$ using the same pre-treatment method from the mixture of food waste and WAS. The ratio of 2 : 1 produced a maximum amount of hydrogen of 5.0 L $H_2/L/d$. The amount of volatile fatty acids(VFAs) including acetate, propionate and butyrate, were also varied considerably. Propionate decreased consistently with rising of hydrogen while butyrate comparing to acetate relatively increased in the effluent.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.8 no.1
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• pp.51-54
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• 1999

Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) films are fabricated by Argon radical annealing (ArRA). The deposition rate of continuously deposited a-Si:H film is 1.9 $\AA$/s. As ArRA time are increased to 0.5 and 1 minute, the deposition rate are increased to 2.8 $\AA$/s and 3.3 $\\AA$/s. The deposition rate of a-si:H films with 2 and 3 minutes ArRA time are 3.3 $\AA$/s. As the ArRA time is increased, the optical band gap and the hydrogen contents in the a-Si:H films are increased and slightly decreased. The light-induced degradation of ArRA treated a-Si:H films are less than that of continuously deposited a-Si:H film. The dark conductivity and the conductivity activation energy ($E_a$) of continuously deposited a-Si:H film are decreased to 1/25 in room temperature and increased to 0.09eV By 1 hour light soaking, respectively. The dark conductivity and $E_a$ of ArRA treated a-Si:H film decreased to 1/3 in room temperature and increased to 0.03eV by 1 hour light soaking, respectively. We could improve the stability of a-Si:H films under the light soaking by ArRA technique and discussed the microscopic process of ArRA technique.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1992.05b
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• pp.64-64
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• 1992