• Title/Summary/Keyword: 송진수

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Characteristics of ZnO:Al TCO surface etching of microstructural changes (실리콘 박막 태양전지용 ZnO:Al 투명전도막의 미세구조 변화에 따른 표면 식각 특성)

  • Kim, Han-Ung;Cho, Jun-Sik;Park, Sang-Hyun;Yoon, Kyung Hoon;Song, Jinsoo;O, Byung-Sung;Lee, Jeong Chul
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2010.06a
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    • pp.100.2-100.2
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    • 2010
  • Superstrate형 실리콘 박막 태양전지에서 전면전극으로 사용되는 투명전도막의 표면형상은 태양전지내로 입사하는 태양광의 표면산란에 영향을 미치며 표면산란 증가를 통한 광 포획 및 단락전류밀도 향상을 통하여 태양전지 효율을 증대시키는 중요한 역할을 한다. 기존에 실리콘박막 태양전지용으로 많이 사용되는 상용 Asahi-U형 투명전도막은 수소 플라즈마에 대한 안정성이 낮고 입사광의 장파장 대역에서의 산란특성이 낮아 실리콘 박막 태양전지의 고효율화에 한계점이 있었다. 최근에 Asahi-U형 투명전도막을 대신하여 ZnO계 투명전도막을 전면전극으로 사용하려는 연구가 활발히 진행되고 있으며 Al을 토핑원소로 사용하는 ZnO:Al 투명전도막은 우수한 전기적, 광학적 특성과 수소플라즈마 안정성 및 저 비용 등의 우수한 장점을 갖고 있다. 스퍼터링 방식으로 제조된 ZnO:Al 투명전도막의 표면형상은 일반적으로 증착 후 습식식각을 통하여 조절되며 식각 전 박막의 미세구조에 영향을 받는 것으로 알려져 있다. 또한 습식 식각 이후의 표면거칠기에 따라 다양한 광학적, 전기적 특성을 나타낸다. 본 연구에서는 in-line RF-magnetron sputter 장비를 이용하여 다양한 공정조건하에서 ZnO:Al 투명전도막을 제조하고 증착된 박막의 미세구조 특성에 따른 습식식각 이후의 표면형상 변화 및 전기적 광학적 특성 변화를 조사하였다.

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삼중접합 실리콘 박막 태양전지 고효율화를 위한 a-$SiO_x$ 상부전지 특성 연구

  • Lee, JiEun;Jo, Jun Sik;Park, Sang Hyun;Yoon, Kyung Hoon;Song, Jinsoo;Kim, Dong Hwan;Lee, Jeong Chul
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2010.06a
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    • pp.63.2-63.2
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    • 2010
  • 삼중접합 태양전지에 상부전지로 이용되는 a-SiO:H 태양전지는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition)을 이용하여 증착하였다. i a-SiO:H는 $CO_2/SiH_4$ 비율을 변화하여 밴드갭을 조절하였다. $CO_2/SiH_4$가 0에서 0.43으로 증가 할수록 밴드갭이 1.74 eV에서 1.94 eV로 증가하는 경향을 보였다. 이는 FTIR에서 나타난 결과인 Si-O-Si 결합의 증가 때문인 것으로 판단한다. 그에 반해서 광 전도도는 감소하는 경향을 보였다.그러나 암전도도와 광전도도의 비율인 광민감도는 $10^5$에서 $10^4$의 값으로 비정질 태양전지에 적용가능한 값을 보였다. 이러한 박막 특성을 가진 i a-SiO:H를 이용하여 비정질 실리콘 태양전지를 제작한 결과 $CO_2/SiH_4$의 비율이 증가함에 따라 태양전지의 $V_{oc}$가 0.8 V에서 0.5 V로 현저하게 감소하였고, $J_{sc}$와 FF 역시 11 $mA/cm^2$에서 4 $mA/cm^2$, 69%에서 50%로 감소하였다. 단위박막 결함을 측정하는 CPM(Constant Photocurrent Method)을 이용하여 i a-SiO:H 내부에 $10^{16}cm^{-3}$ 정도의 내부 결함을 관찰하였고 이는 태양전지의 특성 감소와 관련이 있는 것으로 판단한다.

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Development of low cost and high efficiency silicon thin-film and a-Si:H/c-Si hetero-junction solar cells using low temperature silicon thin-films (고품질 실리콘 박막을 이용한 저가 고효율 실리콘 박막 및 a-Si:H/c-Si 이종접합 태양전지 개발)

  • Lee, Jeong-Chul;Lim, Chung-Hyun;Ahn, Sae-Jin;Yun, Jae-Ho;Kim, Seok-Ki;Kim, Dong-Seop;Yang, Sumi;Kang, Hee-Bok;Lee, Bo-young;Yi, Junsij;Son, Jinsoo;Yoon, Kyung-Hoon
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2005.06a
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    • pp.113-116
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    • 2005
  • In this paper, silicon thin-film solar cells(Si- TFSC) and a-Si/c-Si heterojunction solar cells(HJ-cell) are investigated. The Si-TFSC was prepared on glass substrate by depositing $1-3{\mu}m$ thin-film silicons by glow discharge method. The $a-Si:H/{\mu}c-Si:H$ tandem solar cells on textured ZnO:A1 TCO (transparent conducting oxide) showed improved Jsc in top and bottom cells than that on $SnO_2:F$ TCO. This enhancement of jsc resulted from improved light trapping effect by front textured ZnO:A1. The a-Si/c-Si HJ-cells with simple structure without high efficiency features are suffering from low Voc and Jsc. The improvement of front nip and back interface properties by adopting high quality silicon-films at low temperature should be done both for increasing device performances and production cost.

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STUDY ON THE IMPROVEMENT OF LIGHT TRAPPING IN THE SILICON-BASED THIN-FILM SOLAR CELLS (실리콘 박막 태양전지에서 광 포획(light trapping) 개선에 관한 연구)

  • Jeon Sang Won;Lee Jeong Chul;Ahn Sae Jin;Yun Jae Ho;Kim Seok Ki;Park Byung Ok;Song Jinsoo;Yoon Kyung Hoon
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2005.06a
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    • pp.192-195
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    • 2005
  • The silicon thin film solar cells were fabricated by 13.56 MHz PECVD (Plasma-Enhanced Chemical-Vapor Deposition) and 60 MHz VHF PECVD (Very High-Frequency Plasma-Enhanced Chemical-Vapor Deposition). We focus on textured ZnO:Al films prepared by RF sputtering and post deposition wet chemical etching and studied the surface morphology and optical properties. These films were optimized the light scattering properties of the textured ZnO:Al after wet chemical etching. Finally, the textured ZnO:Al films were successfully applied as substrates for silicon thin films solar cells. The efficiency of tandem solar cells with $0.25 cm^2$ area was $11.8\%$ under $100mW/cm^2$ light intensity. The electrical properties of tandem solar cells were measured with solar simulator (AM 1.5, $100 mW/cm^2)$ and spectral response measurements.

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The Effect of Solvent and Carrier Gas on the Deposition Rate aid the Properties of Pyrosol Deposited $SnO_2$ : F Transparent Conducting Films (용매와 반송가스가 초음파 분무 열분해에 의한 불소 도핑 이산화 주석 투명전도막의 성장속도와 특성에 미치는 영향)

  • Yoon, Kyung-Hoon;Song, Jin-Soo;Kang, Gi-Hwan
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 1991.07a
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    • pp.174-177
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    • 1991
  • Fluorine-doped $SnO_2\;(SnO_2:F)$ films were prepared in ordinary atmosphere on borosilicate glass substrates using pyrosol deposition method starting from the solutions composed of $SnCl_4-5H_2O-NH_4F-CH_3OH-H_2O-HCl$ in an attempt to develop transparent conductors for use in amorphous silicon (a-Si) solar cello. The deposition rate of films increased with the increase in the content of $H_2O$, whereas it decreased with increasing the content of $CH_3OH$. When air was used as the carrier gas, the lowest electrical resistivity was obtained from a solution having $CH_3OH/H_2O$ mol ratio of about $2{\sim}3$ in the solution. The use of $N_2$ of the same flow rate as the carrier gab resulted always in the high resistive films, but the resistivity of the films decreased continuously with the increase in the content of $H_2O$. The surface morphology and preferred orientation of films were also affected by the solvent composition and the content of HCl in the solution. The room-temperature resistance of the films were fairly stable after heat-treatments up to $600^{\circ}C$.

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Characterization of ZnO:Al layer with post-annealing and HCl etching (후열처리에 따른 ZnO:Al 투명전도막 특성 변화 및 HCl 식각 특성 분석)

  • Kim, Han-Ung;Kim, Young-Jin;Cho, Jun-Sik;Park, Sang-Hyun;Yoon, Kyung-Hoon;Song, Jin-Soo;O, Byung-Sung;Lee, Jeong-Chul
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2009.06a
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    • pp.159-159
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    • 2009
  • RF 스퍼터링법을 이용하여 유리기판위에 ZnO:Al 박막을 증착하고 다양한 조건 하에서 후 열처리를 실시하여 이에 따른 박막의 구조적, 전기적 및 광학적 특성과 HCl 습식 식각 후의 표면형상 변화를 조사하였다. ZnO:Al 투명전도막은 우수한 전기적, 광학적 특성, 수소 플라즈마 안정성 및 저 비용 등으로 실리콘 박막 태양전지 전면 전극용으로 많은 관심을 받고 있다. 기존의 비정질 실리콘 박막 태양전지용으로 많이 사용되고 있는 상용 Asahi-U형 ($SnO_2:F$) 투명전도막의 경우는 수소 플라즈마에 대한 안정성이 낮고 입사광의 장파장 대역에서의 낮은 산란특성으로 인하여 실리콘 박막 태양전지의 고효율화를 위한 적용에 한계를 나타내고 있다. 이를 개선하기 위하여 스퍼터링법으로 우수한 전기적 특성을 갖는 ZnO:Al 박막을 제조한 후 습식 식각을 통한 표면형상 변화를 통하여 입사광의 산란특성을 향상시키는 방법이 개발되어 많은 연구가 이루어지고 있다. 본 연구에서는 2.5 wt%의 $Al_2O_3$가 함유된 ZnO 타겟을 이용하여 ZnO:Al 박막을 RF 스퍼터링으로 증착한 후 $N_2$ 분위기와 진공 분위기 하에서 다양한 시간과 온도에 따라 후열처리를 하여 열처리 전 박막과의 물질 특성을 상호 비교하고 1%로 희석된 HCl로 습식 식각하여 열처리 전 박막의 구조적 특성이 습식 식각 후의 박막 표면형상 변화에 미치는 영향을 조사하였다. 이로부터 후열처리를 통한 ZnO:Al 투명전도막의 특성을 최적화하고 Asahi-U형 투명전도막과의 특성 비교를 통하여 실리콘 박막 태양전지용 전면전극으로의 적용 가능성을 조사하였다.

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Surface Passivation and Heterojunction Solar Cell Characteristics Depending on p a-Si:H/c-Si Deposition (P a-Si:H 증착조건에 따른 실리콘 기판 계면특성 및 a-Si:H/c-Si 이종접합 태양전지 동작특성 분석)

  • Jeong, Dae-Young;Kim, Chan-Seok;Song, Jun-Yong;Park, Sang-Hyun;Cho, Jun-Sik;Yoon, Kyoung-Hoon;Song, Jin-Soo;Wang, Jin-Suk;Yi, Jun-Sin;Lee, Jeong-Chul
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2009.06a
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    • pp.28-30
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    • 2009
  • 이종접합태양전지에서 p a-Si:H/c-Si의 p a-Si:H의 증착 조건인 $H_2/SiH_4$ 비율, $B_2H_6$의 농도를 변화 시키며 실험하여 이 따라 계면 특성 변화를 연구하였다. pa-Si:H의 $H_2/SiH_4$ 비율이 상승할수록 carrier lifetime이 증가하다 다시 감소하는 경향을 나타내었다. 이는 $H_2/SiH_4$의 비율 중 효과적으로 웨이퍼표면을 효과적으로 passivation하는 지점이 있는 것으로 보인다. $B_2H_6$의 농도는 상승할수록 carrier lifetime이 줄어드는 경향을 보였다. $B_2H_6$에서 농도가 올라감에 웨이퍼 표면의 defect로 작용했을 것으로 생각된다. 이에서 몇몇의 조건으로 태양전지를 제작한 결과 $H_2/SiH_4$ 비율에 따라서는 carrier lifetime은 효율에 그 영향이 미미한 것으로 조사되었고, $B_2H_6$의 농도가 낮을수록 개방전압은 상승하는 결과를 얻어 도핑 농도가 효율에 직접적인 형향을 주는 것으로 나타났다.

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The Effects of Wnt Signaling on Neural Crest Lineage Segregation and Specification (Wnt signaling이 neural crest lineage segregation과 specification에 미치는 영향)

  • Song, Jin-Su;Jin, Eun-Jung
    • Journal of Life Science
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    • v.19 no.10
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    • pp.1346-1351
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    • 2009
  • Recent evidence has shown that many pluripotetic neural crest cells are fate-restricted and that different fate-restricted crest cells emigrate from the neural tube at different times. Jin et al. (2001) identified the expression patterns of Wnts and its antagonists at the time that neural crest cells were being specified and suggested that Wnt signaling was involved in the segregation/differentiation of neural crest cells in the trunk in vitro. In this study, we evaluated the effects of Wnt signaling in avian neural crest lineage segregation. To accomplish this, Wnt signaling was disturbed at the time of neural crest segregation and differentiation by grafting Wnt-3a expressing cells and conducting dominant negative glycogen synthase kinase (dnGSK) electroporation. Stimulation of Wnt signaling induced neural crest lineage segregation and melanoblast specification, and increased the expression levels of genes known to be involved in neural crest development such as cadherin 7 and Slug, which suggests that they are involved in Wnt-induced neural crest lineage differentiation into melanoblasts.

Effects of Scrophulariae Radix (SR) on Allergic Contact Dermatitis (ACD) induced by DNCB in mice (현삼이 DNCB로 유발된 알레르기성 접촉성 피부염에 미치는 영향)

  • Song, Jin-Soo;Lee, Jong-Cheol;Choi, Jung-Hwa;Kim, Jong-Han;Park, Soo-Yeon
    • The Journal of Korean Medicine Ophthalmology and Otolaryngology and Dermatology
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    • v.24 no.3
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    • pp.1-16
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    • 2011
  • Objective : In the theory of Korean medicine, Scrophulariae Radix (SR) can clear away heat and cool the blood, nourish yin and promote the production of the body fluids, relieve toxin and benefit the throat. The present study was carried out to investigate effects of SR on allergic contact dermatitis (ACD) induced by 2,4-dinitrochlorobenzene (DNCB) in mice. Methods : In this experiment, effects of SR on clinical aspects on the skin, histopathological changes such as spongiosis, mast cell distribution, immune cell infiltration in tissue, spleen / body ratio and production levels of serum cytokines were investigated in vivo. In addition, effects on cell viability and release of b-hexosaminidase and histamine were also investigated in vitro. Results : SR treatment diminished erythema, desquamation and keratosis which were induced by repeated painting of DNCB. Spongiosis and edema were diminished by painting of SR in histopathological observation, infiltrations of mast cell and monocytes were also decreased in SR group. In addition, spleen / body ratio was lowered compared to ADC control group. Production level of IFN-${\gamma}$ in serum was decreased, but level of IL-4 did not affected by SR. Finally, more than 400 ${\mu}g/ml$ of SR treatment groups showed decreased cell viabilities in RBL-2H3 cells. Treatment with over 200 ${\mu}g/ml$ of SR decreased b-hexosaminidase release, and treatment with over 400 ${\mu}g/ml$ decreased histamine release in vitro. Conclusion : these data suggest that SR can decrease symptoms of ACD, then SR is useful to treat patient with ACD.

Characteristics of $Cu(In,\;Ga)Se_2$ Thin Film So1ar Cells with Deposition Conditions of PN Junction Interface (PN 접합면의 증착조건에 따른 $Cu(In,\;Ga)Se_2$ 박막 태양전지 특성)

  • Kim, S.K.;Lee, J.C.;Kang, K.H.;Yoon, K.H.;Park, I.J.;Song, J.;Han, S.O.
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2003.07a
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    • pp.331-334
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    • 2003
  • Photovoltaics is considered as one of the most promising new energy technology, because its energy source is omni present, pollution-free and inexhaustive. It is agreed that these solar cells must be thin film type because thin film process is cost-efficive in the fact that it uses much less raw materials and can be continuous. The defect chalcopyrite material $CuIn_3Se_5$ has been identified as playing an essential role in efficient photovoltaic action in $CuInSe_2$-based devicesm It has been reported to be of n-type conductivity, forming a p-n junction with its p-type counterpart $CuInSe_2$. Because the most efficient cells consist of the $Cu(In,Ga)Se_2$ quarternary, knowledge of some physical properties of the Ga-containing defect chalcopyrite $Cu(In,Ga)_3Se_5$ may help us better understand the junction phenomena in such devices.

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