This paper attempts to analyze the efficiency of Korean Materials and Components Industry. 48 sample companies are extracted and efficiency analysis for them are accomplished by using DEA model. We use both CCR-I model and BCC-I model and classify the 48 companies into two groups; efficient and inefficient companies. We find the reference set which inefficient companies should benchmark in order to achieve efficiency and present the improving values for input and output variables. We analyze whether the inefficiencies come from scale or inefficient operation by measuring the scale efficiency. Finally the ranking among the efficient companies is derived through the super-efficiency analysis.
Technology Readiness Levels were initially proposed by NASA in 1995. TRL's definition and range were modified within adopted feilds such as hardware and software products. Many national R&D programs have similar evaluation conditions. However, they are influenced by the experts' ability. Relatively, they have shown the little reliance and the low performance of the developed prototype and technology. The purpose of this study is to apply the TRL to the materials and components development program. We defined TRLs for the program and devided them in three technology fields. Proposals, which were submitted for the program in 2007, were assessed with our TRL definitions for the study on the applicability. As a result, we could understand the characteristic TRLs of the technical proposals to the materials and components development program. This shows that the objective tools such as TRLs are required as the R&D program management factors. For the sake, it is the important factor that the detail directives to assess TRL should be developed according to the branches of industrial technology fields.
Global production networks (GPNs) emerged as multinational companies strategically relocated different stages of their value chain over many regions. Since GPNs require moving materials, parts, components and finished products across national borders multiple times, as well as coordinating it efficiently, they are intensified further within an integrated region. Within the region, developed countries which enjoy a comparative advantage in higher value-added tasks specialize in the production of ICT parts and components and exhibit high export RCA indices while developing countries show high import RCA indices. But, as developing countries upgrade technological capabilities and achieve industrial upgrading through participation in GPNs, their level of sophistication improves. East Asian countries have participated in GPNs to a greater degree when compared to countries in other regions because of a variety of factors. They have benefited much as shown by a significant increase in the level of ICT sophistication and export shares, which in turn led to uneven regional developments of GPNs in the ICT parts and components industry.
ZnO thin-films are grown on a p-Si(111) substrate by RF sputtering. The effects of growth temperature and $O_2$ mixture ratio on the ZnO films are investigated by scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffraction (XRD), and room-temperature photoluminescence (PL) measurements. All the grown ZnO thin films show a strong preferred orientation along the c-axis, with an intense ultraviolet emission centered at 377 nm. However, when $O_2$ is mixed with the sputtering gas, the half width at half maximum (FWHM) of the XRD peak increases and the deep-level defect-related emission PL band becomes pronounced. In addition, an n-ZnO/p-Si heterojunction diode is fabricated by photolithographic processes and characterized using its current-voltage (I-V) characteristic curve and photoresponsivity. The fabricated n-ZnO/p-Si heterojunction diode exhibits typical rectifying I-V characteristics, with turn-on voltage of about 1.1 V and ideality factor of 1.7. The ratio of current density at ${\pm}3V$ of the reverse and forward bias voltage is about $5.8{\times}10^3$, which demonstrates the switching performance of the fabricated diode. The photoresponse of the diode under illumination of chopped with 40 Hz white light source shows fast response time and recovery time of 0.5 msec and 0.4 msec, respectively.
Hyo-Sang, Yoo;Yong-Ho, Kim;Byoung-Kwon, Lee;Eun-Chan, Ko;Seong-Hee, Lee;Sang-Chan, Lee;Hyeon-Taek, Son
Korean Journal of Materials Research
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v.32
no.11
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pp.489-495
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2022
This research investigated how adding Sb (0.75, 1.0, 2.0 and 5.0 wt%) to as-extruded aluminum alloys affected their microstructure, mechanical properties, electric and thermal conductivity. The addition of Sb resulted in the formation of AlSb intermetallic compounds. It was observed that intermetallic compounds in the alloys were distributed homogenously in the Al matrix. As the content of Sb increased, the area fraction of intermetallic compounds increased. It can be clearly seen that the intermetallic compounds were crushed into fine particles and homogenously arrayed during the extrusion process. As the Sb content increased, the average grain size decreased remarkably from 282.6 ㎛ (0.75 wt%) to 109.2 ㎛ (5.0 wt%) due to dynamic recrystallization by the dispersed intermetallic compounds in the aluminum matrix during the hot extrusion. As the Sb content increased from 0.75 to 2.0 wt%, the electrical conductivity decreased from 61.0 to 59.8 % of the International Annealed Copper Standard. Also, as the Sb content increased from 0.75 to 2.0 wt%, the ultimate tensile strength did not significantly change, from 67.3 to 67.8 MPa.
Reverse Engineering 기술을 이용하여 금형 형상을 측정하고 이를 이용하여 자동차 주요 대형 성형 부품에 대하여 유한 요소 성형 해석을 수행하여 성형 인자들의 영향에 대하여 분석한 결과 다음과 같은 결론을 얻었다. (1) Reverse Engineering 기술의 사용은 대형 자동차 성형 부품에 대하여 성형 해석을 위한 금형 CAD 데이터를 확보하는데 유용함을 알 수 있었다. 그러나 보다 적극적으로 사용되기 위해서는 곡면 생성의 시간 단축과 제품 면에 발생한 주름에 의한 형상 차이 등의 문제를 해결하여야 할 과제가 남아 있다. (2) 성형 해석을 위하여 자동차 외판 부품 Trunk lid outer에 대하여 성형 해석을 수행 결과 부픔의 성형성에 영향을 주지 않는 한도 내에서 r값과 n 값이 낮은 소재를 사용하는 것이 부품의 형상 동결성을 확보하는데 유리한 것을 알 수 있었다. (3) 판재 성형 부품에 대한 적절한 소재의 재질 선정 방법으로서 유한 요소 해석이 매우 유용한 것을 알 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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