• The Journal of Korean Association of Computer Education
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• v.5 no.3
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• pp.117-126
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• 2002

Many students have some misconception on electric current, and they are not corrected easily by traditional instruction. In this paper, a multimedia title was developed for misconception correction on electric current, and applied to the students and investigated its effects. The subject of this study consists of 32 students of a middle school. The group is divided into two subgroups. the applied group and the compared group. each of which has 16 students. The achievement is estimated by t-test using SPSS. The result shows that current consumption concept was corrected easily and it had no relation with instruction methods. Educational multimedia title was especially effective in the class to correct the misconception of current distribution concept. It was difficult to correct current independent of resistance concept by the multimedia title.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.14 no.4
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• pp.917-922
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• 2010

In this paper, a new temperature-insensitive CMOS dual-mode current reference for low-voltage low-power mixed-mode circuits is proposed. The temperature independent reference current is generated by summing a proportional to absolute temperature(PTAT) current and a complementary to absolute temperature(CTAT) current. The temperature insensitivity was achieved by the mobility and the other which is inversely proportional to mobility. As the results, the temperature dependency of output currents was measured to be $0.38{\mu}A/^{\circ}C$ and $0.39{\mu}A/^{\circ}C$, respectively. And also, the power dissipation is 0.84mW on 2V voltage supply. These results are verified by the $0.18{\mu}m$ n-well CMOS parameter.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.69-69
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• 2000

(Ba, Sr)TiO3 (BST)[1-3] 박막은 유전상수가 크고 고주파에서도 유전특성 저하가 적기 때문에 ULSI DRAM(Dynamic Random Access Memory)에 응용 가능한 물질로 최근 각광을 받고 있다. 하지만, 아직 BST 박막을 DRSM에 바로 적용하기 위해선 몇 가지 문제점이 있다. 그 중 누설전류 문제는 디바이스 응용시 매우 중요한 요소이다. 특히, DRAM에서 refresh time와 직접적인 관련이 있어 디바이스 내의 신뢰도 및 전력소모를 결정하는 주된 인자가 된다. 지금까지, BST 박막의 인가전업, 온도, 그리고 전극물질에 따른 누설전류 현상들이 고찰되었고, 이에 관한 많은 전도기구 모델들이 제시되었다. Schottky emission, Poole-Frenkel emission, space charge limited conduction 등이 그 대표적인 예이다. 하지만 아쉽게도 BST 박막의 정확한 누설 전류 전도 기구를 완전히 설명하는데는 아직 한계가 있다. 따라서 본 연구에서는 제작된 BST 커패시터 내의 기본적인 전기적 성질을 조사하고, 정확한 누설전류 기구 규명에 초점을 두고자 한다. 이를 위해 기존의 여러 기구들과 비교 분석할 것이다. 하부전극으로 사용하기 위해 스퍼터링 방법으로 p-Si(100) 기판위에 RuO2 박막을 약 120nm 증착하였다. 증착전의 chamberso의 초기압력은 5$\times$10-6 Torr이하의 압력으로 유지시켰다. Ar/O2의 비는 이전 실험에서 최적화된 9/1로 하였다. BST 박막 증착 시 5분간 pre-sputtering을 실시한 후 하부전극 기판위에 BST 박막을 증착하였다. 증착이 끝난 후 시편을 상온까지 냉각시킨 후 꺼내었다. 전기적 특성을 측정하기 상부전극으로 RuO2와 Al 박막을 각각 상온에서 100nm 증착하였다. 이때 hole mask를 이용하여 반경이 140um인 원형의 상부전극을 증착하였다. BST 박막의 증착온도가 증가하고 Ar/O2 비가 감소할수록 제작된 BST-커패시터의 전기적 성질이 우수하였다. 증착온도 $600^{\circ}C$, ASr/O2=5/5에서 증착된 막의 누설전류는 4.56$\times$10-8 A/cm2, 유전상수는 600 정도의 값을 나타내었다. 인가전압에 따른 BST 커패시터의 transition-current는 Curie-von Schweider 모델을 따랐다. BST 박막의 누설전류 전도기구는 기존의 Schottky 모델이 아니라 modified-Schottky 무델로 잘 설명되었다. Modified-Schottky 모델을 통해 BST 박막의 광학적 유전율 $\varepsilon$$\infty$=4.9, 이동도 $\mu$=0.019 cm2/V-s, 장벽 높이 $\psi$b=0.79 eV를 구하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2004.07c
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• pp.2064-2066
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• 2004

본 논문에서는 새로운 개념인 능동 고조파 결합을 이용한 4위상 전압제어 발진기를 설계, 제작하였다. 4위상 출력 특성을 얻기 위하여 각각의 차동 VCO의 가상 접지(Virtual Ground)면을 본 논문에 제시된 능동 고조파 결합 회로(Active super harmonic coupling)을 이용하여 결합시키는 방법을 적용하였다. 제안된 구조는 다음과 같은 장점을 가지고 있다. 결합구조를 갖는 트랜지스터에 부가적인 전류소비를 줄일 수 있으며, layout상에서 문제되었던 대칭구조를 개선할 수 있다. 또한 기존에 발표되었던 방법인 passive transformer를 이용한 고조파 결합 보다 회로 크기를 줄일 수 있다. 측정결과 출력 전력 -12dBm, -117dBc/Hz @1-MHz 이하의 위상잡음 특성, 2.66GHz${\sim}$2.91GHz의 250 MHz 주파수 가변, 25dB이하의 2차고조파 억압, 7 mA 의 전류 소모(buffer amp. 포함되지 않음)를 가졌다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2011.05a
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• pp.29.1-29.1
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• 2011

ReRAM은 metal-oxide-metal구조로 차세대 비활성 메모리를 대체하기 위하여 연구되어왔다. ReRAM은 낮은 전력 소모와 다른 두 저항상태 사이의 높은 scalability를 갖는 장점이 있지만 높은 reset전류와 일정하지 않은 저항 값을 갖고 있어 실용화에 어려움을 겪고 있다. 저항변화현상의 메커니즘은 일반적으로 일정 전압이 가해 졌을 때, MIM 구조의 산화물 내에서 필라멘트가 형성되었다 파괴되는 것으로 알려져 있다. 저항스위칭 메모리의 작동능력을 증진시키기 위해서는, oxide층의 두께조절, 산화층과 electrode 사이의 계면 특성 연구가 필요하다. 본 연구에서는, 전기화학증착법을 이용하여 Au-NiO-Au segmented 나노와이어 구조를 만들었다. 전기화학증착 방법을 이용하면 에칭 손상없이 간단하게 나노 구조체를 형성 할 수 있고, 나노 사이즈로 제작된 산화층이 전도성 필라멘트가 형성되는 영역을 제한하여 reset전류를 줄일 수 있는 장점이 있다. 또한 열처리 과정에서 Au가 NiO부분에 diffusion되는 현상을 이용하여 doping에 따른 switching 변화 특성도 관찰하였다.

• Journal of the Korean Society of Manufacturing Process Engineers
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• v.14 no.3
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• pp.65-73
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• 2015

This paper presents a method of predicting the machining parameters on the turning process of low carbon steel using a neural network with back propagation (BP) and particle swarm optimization (PSO). Cutting speed, feed rate, and depth of cut are used as input variables, while surface roughness and electric current consumption are used as output variables. The data from experiments are used to train the neural network that uses BP and PSO to update the weights in the neural network. After training, the neural network model is run using test data, and the results using BP and PSO are compared with each other.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2015.07a
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• pp.1257-1258
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• 2015

본 논문에서는 실내조명을 이용해 휴대폰 배터리 등의 충전기기를 효율적으로 충전하기 위한 방법을 연구하였다. 형광등 아래에서 태양전지의 저전압 출력을 에너지 하베스팅 용으로 개발된 초저전력 승압컨버터 칩으로 승압하여 저장커패시터를 충전하고 충전전압이 3.3 V가 되면 자동적으로 LED가 켜지고 방전하여 2.8 V가 되면 LED가 자동적으로 꺼지는 실험회로를 구성하여 실험하였다. 실험결과 형광등에 의한 350 lux 조도에서는 $60cm^2$ 크기의 태양전지를 이용하여 일반적인 스마트폰 대기소모전류(${\simeq}10mA$)의 5.7% 정도를 얻을 수 있었으며, 직사광선이 닿지 않는 실내 창가 1000 lux 조도에서는 12% 정도의 전류를 얻을 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.300-300
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• 2010

Thiourea가 염료감응 태양전지의 I-/I3- redox 전해질 내에서 additive로 사용될 때의 효과를 알아보았다. I-/I3- 가 존재하는 전해질에 thiourea를 첨가하게 되면, 전류는 40% 증가하고 전압은 9% 내려간다. 전류 증가로 인해 전체 효율은 23%의 증가분을 보인다. thiourea가 녹아있는 acetonitrile 용액은 pH가 10로 Bronsted base인데, I-/I3- 가 존재하는 전해질 용액에 thiourea를 넣으면, pH=3의 변화를 보인다. 이것은 thiourea와 iodine 사이의 반응에 의해 수소이온 농도가 증가했기 때문이다. 또한 UV-Vis 분광분석 결과 I3- 농도가 감소한 것을 확인하였으며, 이는 iodine이 thiourea 와 반응에 참여하여 소모되었기 때문에 상대적으로 I3- 농도가 감소한 것으로 해석할 수 있다. I3- 농도 감소로 인해 recombination 이 감소하여 voltage가 증가할 것으로 기대되었으나, I2와 thiourea의 반응으로 인해 생성된 proton 농도로 인해 TiO2 의 전도띠 에너지가 변화가 더 우세하게 일어나 결과적으로는 voltage가 감소한 것이다. 증가된 photocurrent 의 경우 역시, proton 농도 증가 및, iodide 농도 증가로 설명할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.11a
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• pp.145-145
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• 2015

유도가열 코일 내부의 물질에 비접촉식으로 에너지를 전달하기 위하여 유도가열 코일에는 고주파 대전류를 투입하게 된다. 이러한 결과로 코일 자체에도 상당히 높은 수준의 발열이 발생하게 된다. 따라서 실제적으로 코팅물질의 발열을 위하여 전달되는 에너지 이외에 소모적으로 사용되는 에너지가 어쩔 수 없이 코일에 존재하게 된다. 이는 전자기코일의 효율을 낮추는 역할 뿐만 아니라 안정적인 운전을 저해하는 역할을 하게 된다. 본 논문에서는 전자기 및 온도 해석을 통하여 설계 제작된 유도가열 코일을 투입 전류를 바꾸며 실험하여 각 전류 투입시 코일에서의 발열량 및 온도 측정 결과를 해석 결과와 비교하여 유도가열 코일에 대한 평가를 수행 하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1999.07a
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• pp.182-184
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• 1999

회수에너지를 저장한 콘덴서전압을 이용하여 평활전류 구동방식에서 SRM이 전동기 영역으로 동작할 경우에는 콘덴서에 저장된 에너지 모두를 전동기영역에서 소모할 수 있으나, 발전모드가 장시간 유지되면 콘덴서의 에너지는 더 이상 저장할 수 없는 상태가 되는 치명적인 약점을 갖고 있다. 따라서 본 연구에서는 전동기 영역 및 발전기영역에서 평활전류 모드로 동작할 수 있는 인버터회로를 제안하고, 발전에너지를 효과적으로 사용할 수 있는 스위칭 방식을 돌출하였다.